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수정, 발진기, 공진기(5864)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	평가	사이즈/치수	높이 - 자리에 앉다(최대)	장착	세트/케이스	에	기본 제품 번호	그들	널리	전압 - 공급	민감도특급(MSL)	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	기능	프로그래밍 가능 여부	현재 - 공급(최대)	찹 공진기	안드로이드	절대 금지 범위(APR)	전개분류의 구분	현재 - 공급(비활성화)(최대)	사용 가능한 유튜브 범위	안드로이드의 특징(전체)
504NCA-ABAG	-	보상요청	2846	실리콘랩스	CMEMS® Si504	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	504NCA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 80MHz	±20ppm
502JCA-ADAF	-	보상요청	5304	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502JCA		LVCMOS	3.3V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
504DCA-BCAF	-	보상요청	7012	실리콘랩스	CMEMS® Si504	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	504DCA		LVCMOS	1.8V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501NAA-ACAF	-	보상요청	2574	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501NAA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501HAH-ADAG	-	보상요청	1833년	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501하하		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501AAA25M0000DAF	-	보상요청	3955	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®		25MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	2(1년)	336-2932	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화		2.5mA	MEMS	±50ppm	-	-	2.5mA
501JCA20M0000BAF	-	보상요청	4846	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®		20MHz	LVCMOS	3.3V	2(1년)	336-2904	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화		4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501HCA27M0000BAFR	-	보상요청	3900	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®		27MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	1,500	활성화/비활성화		4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501JBL-ACAF	-	보상요청	2123	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501JBL		LVCMOS	3.3V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
504FCA-ADAF	-	보상요청	8749	실리콘랩스	CMEMS® Si504	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	504FCA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 80MHz	±20ppm
501PAH-ADAF	-	보상요청	9462	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501PAH		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501EAA48M0000CAF	-	보상요청	3824	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®		48MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	2(1년)	336-2972	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화		2.5mA	MEMS	±50ppm	-	-	2.5mA
503BBA-ACAG	-	보상요청	7237	실리콘랩스	CMEMS® Si503	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	503BBA		LVCMOS	3.3V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501BCB-ABAG	-	보상요청	9778	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501BCB		LVCMOS	3.3V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501HCA12M0000BAFR	-	보상요청	1741년	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®		12MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	1,500	활성화/비활성화		4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501JAA24M0000BAF	-	보상요청	2179	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®		24MHz	LVCMOS	3.3V	2(1년)	336-2916	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화		4.9mA	MEMS	±50ppm	-	-	4.9mA
501JCA100M000BAGR	-	보상요청	4369	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®		100MHz	LVCMOS	3.3V	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	1,500	활성화/비활성화		8.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501JCA20M0000CAFR	-	보상요청	5881	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®		20MHz	LVCMOS	3.3V	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	2,500	활성화/비활성화		4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
502PAF-ADAG	-	보상요청	2617	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502PAF		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
502KAE-ABAG	-	보상요청	7092	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502KAE		LVCMOS	2.5V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
502CAA-ACAG	-	보상요청	5597	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502CAA		LVCMOS	2.5V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501ACA10M0000CAFR	-	보상요청	1983년	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®		10MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	2,500	활성화/비활성화		2.5mA	MEMS	±20ppm	-	-	2.5mA
503AAB-ACAF	-	보상요청	3489	실리콘랩스	CMEMS® Si503	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	503AAB		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
504LCA-ADAF	-	보상요청	7394	실리콘랩스	CMEMS® Si504	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	504LCA		LVCMOS	1.8V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 80MHz	±20ppm
503KBA-ACAG	-	보상요청	4219	실리콘랩스	CMEMS® Si503	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	503KBA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501EAB-ADAF	-	보상요청	8171	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501EAB		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501JCA20M0000CAF	-	보상요청	9817	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®		20MHz	LVCMOS	3.3V	2(1년)	336-2906	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화		4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501JAA25M0000CAFR	-	보상요청	3051	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®		25MHz	LVCMOS	3.3V	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	2,500	활성화/비활성화		4.9mA	MEMS	±50ppm	-	-	4.9mA
501GBG-ABAG	-	보상요청	1877년	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501GBG		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
502BBF-ACAF	-	보상요청	9317	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502BBF		LVCMOS	3.3V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

수정, 발진기, 공진기(5864)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²