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수정, 발진기, 공진기(5864)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	평가	사이즈/치수	높이 - 자리에 앉다(최대)	장착	세트/케이스	에	기본 제품 번호	그들	널리	전압 - 공급	민감도특급(MSL)	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	기능	프로그래밍 가능 여부	현재 - 공급(최대)	찹 공진기	안드로이드	절대 금지 범위(APR)	전개분류의 구분	현재 - 공급(비활성화)(최대)	사용 가능한 유튜브 범위	안드로이드의 특징(전체)
502JAB-ADAG	-	보상요청	9353	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502JAB		LVCMOS	3.3V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501MBK-ACAG	-	보상요청	7368	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501MBK		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501FBG-ABAF	-	보상요청	4613	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501FBG		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
503CAB-ABAF	-	보상요청	2512	실리콘랩스	CMEMS® Si503	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	503CAB		LVCMOS	2.5V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
502PAA-ADAG	-	보상요청	4343	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502PAA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
503ACB-ACAG	-	보상요청	4282	실리콘랩스	CMEMS® Si503	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	503ACB		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
503MCA-ABAG	-	보상요청	3399	실리콘랩스	CMEMS® Si503	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	503MCA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
504MBA-BDAF	-	보상요청	8388	실리콘랩스	CMEMS® Si504	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	504MBA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
502KAF-ADAG	-	보상요청	5627	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502KAF		LVCMOS	2.5V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
502KBE-ACAG	-	보상요청	4277	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502KBE		LVCMOS	2.5V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501JCA10M0000BAGR	-	보상요청	2148	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®		10MHz	LVCMOS	3.3V	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	1,500	활성화/비활성화		4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501AAB-ACAF	-	보상요청	3622	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501AAB		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
503DBB-ACAG	-	보상요청	1926년	실리콘랩스	CMEMS® Si503	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	503DBB		LVCMOS	1.8V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501MBE-ACAF	-	보상요청	1116	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501MBE		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501BAA16M0000CAG	-	보상요청	3837	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®		16MHz	LVCMOS	3.3V	2(1년)	336-2901	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화		2.5mA	MEMS	±50ppm	-	-	2.5mA
504NAA-BCAG	-	보상요청	8582	실리콘랩스	CMEMS® Si504	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	504NAA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
502JBF-ADAG	-	보상요청	2570	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502JBF		LVCMOS	3.3V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501AAL-ADAG	-	보상요청	3611	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501AAL		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
504HAA-ADAG	-	보상요청	3884	실리콘랩스	CMEMS® Si504	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	504HAA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 80MHz	±50ppm
501BCD-ABAG	-	보상요청	8519	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501BCD		LVCMOS	3.3V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501DAL-ADAG	-	보상요청	2328	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501달		LVCMOS	1.8V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501BCA-ABAG	-	보상요청	2895	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501BCA		LVCMOS	3.3V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501HBC-ACAF	-	보상요청	4813	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501HBC		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
504PCA-BCAG	-	보상요청	4360	실리콘랩스	CMEMS® Si504	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	504PCA		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501PAM-ADAG	-	보상요청	1420	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501PAM		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501JBD-ADAF	-	보상요청	5096	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501JBD		LVCMOS	3.3V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501KAH-ABAF	-	보상요청	4412	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501KAH		LVCMOS	2.5V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501HAD-ACAF	-	보상요청	7448	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501HAD		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501HCH-ACAG	-	보상요청	3554	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501HCH		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501ABB-ABAF	-	보상요청	5262	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501ABB		LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)		EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-		-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

수정, 발진기, 공진기(5864)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²