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결정, 공진기, 발진기 (5864)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
501JAL-ADAF Silicon Labs 501Jal-Adaf -
RFQ
 ECAD 2379 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501Jal LVCMOS 3.3v 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 50ppm
501CAJ-ABAF Silicon Labs 501CAJ-ABAF -
RFQ
 ECAD 9000 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501caj LVCMOS 2.5V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 50ppm
502ACD-ACAG Silicon Labs 502ACD-ACAG -
RFQ
 ECAD 4918 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI502 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 502ACD LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
503JBA-ADAF Silicon Labs 503JBA-ADAF -
RFQ
 ECAD 4860 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI503 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 503JBA LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 30ppm
501BAE-ABAF Silicon Labs 501BAE-ABAF -
RFQ
 ECAD 7902 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501BAE LVCMOS 3.3v 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 50ppm
501JCAM032768DAF Silicon Labs 501JCAM032768DAF -
RFQ
 ECAD 2172 0.00000000 실리콘 실리콘 SI501 조각 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 3.3v 2 (1 년) 336-2860 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 4.9ma MEMS ± 20ppm - - 4.9ma
501FBE-ACAG Silicon Labs 501fbe-acag -
RFQ
 ECAD 4488 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501fbe LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 30ppm
501JBE-ADAG Silicon Labs 501JBE-ADAG -
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501JBE LVCMOS 3.3v 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 30ppm
501HCL-ACAG Silicon Labs 501hcl-acag -
RFQ
 ECAD 5193 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501hcl LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
501JCM-ADAF Silicon Labs 501JCM-ADAF -
RFQ
 ECAD 1212 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501JCM LVCMOS 3.3v 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
501JBC-ACAF Silicon Labs 501JBC-ACAF -
RFQ
 ECAD 3643 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501JBC LVCMOS 3.3v 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 30ppm
501JAA24M0000BAG Silicon Labs 501JAA24M0000 백 0.9100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 실리콘 실리콘 SI501 조각 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 24 MHz LVCMOS 3.3v 2 (1 년) 336-2917 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 4.9ma MEMS ± 50ppm - - 4.9ma
501JCA24M0000BAFR Silicon Labs 501JCA24M0000BAFR -
RFQ
 ECAD 8798 0.00000000 실리콘 실리콘 SI501 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 24 MHz LVCMOS 3.3v 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 1,500 활성화/비활성화 4.9ma MEMS ± 20ppm - - 4.9ma
501JBB-ACAG Silicon Labs 501JBB-ACAG -
RFQ
 ECAD 5017 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501JBB LVCMOS 3.3v 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 30ppm
504NBA-ADAG Silicon Labs 504NBA 조작 -
RFQ
 ECAD 6239 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI504 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 504NBA LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 80MHz ± 30ppm
502MBC-ACAF Silicon Labs 502MBC-ACAF -
RFQ
 ECAD 2101 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI502 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 502MBC LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 30ppm
501MCD-ABAG Silicon Labs 501MCD-ABAG -
RFQ
 ECAD 5808 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501MCD LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
501ECA-ACAG Silicon Labs 501ECA-ACAG -
RFQ
 ECAD 5950 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501ECA LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
501CAF-ABAG Silicon Labs 501CAF-ABAG -
RFQ
 ECAD 8101 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501CAF LVCMOS 2.5V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 50ppm
503GBA-ABAG Silicon Labs 503GBA-ABAG -
RFQ
 ECAD 8084 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI503 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 503GBA LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 30ppm
502GCC-ABAF Silicon Labs 502GCC-ABAF -
RFQ
 ECAD 7693 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI502 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 502GCC LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
501GBA-ADAG Silicon Labs 501GBA 조작 -
RFQ
 ECAD 2564 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501GBA LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 30ppm
501CBB-ACAG Silicon Labs 501cbb-acag -
RFQ
 ECAD 8769 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501cbb LVCMOS 2.5V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 30ppm
501HCA26M0000CAFR Silicon Labs 501HCA26M0000CAR -
RFQ
 ECAD 2109 0.00000000 실리콘 실리콘 SI501 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 26 MHz LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 2,500 활성화/비활성화 4.9ma MEMS ± 20ppm - - 4.9ma
501JBJ-ADAG Silicon Labs 501JBJ-ADAG -
RFQ
 ECAD 1921 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501JBJ LVCMOS 3.3v 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 8.9ma MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 30ppm
501HCA12M0000BAF Silicon Labs 501HCA12M0000BAF -
RFQ
 ECAD 8434 0.00000000 실리콘 실리콘 SI501 조각 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 12MHz LVCMOS 1.7V ~ 3.6V 2 (1 년) 336-2886 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 4.9ma MEMS ± 20ppm - - 4.9ma
501JCA20M0000DAF Silicon Labs 501JCA20M0000DAF -
RFQ
 ECAD 7245 0.00000000 실리콘 실리콘 SI501 조각 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 20MHz LVCMOS 3.3v 2 (1 년) 336-2908 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 4.9ma MEMS ± 20ppm - - 4.9ma
501DBF-ABAF Silicon Labs 501DBF-ABAF -
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501dbf LVCMOS 1.8V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 30ppm
501CCF-ADAG Silicon Labs 501ccf-adag -
RFQ
 ECAD 7408 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI501 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 501ccf LVCMOS 2.5V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
502DCC-ABAF Silicon Labs 502DCC-ABAF -
RFQ
 ECAD 3396 0.00000000 실리콘 실리콘 CMEMS® SI502 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMEMS® 502DCC LVCMOS 1.8V 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 6.5MA MEMS - - 1 µA 32 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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