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수정, 발진기, 공진기(5864)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	평가	사이즈/치수	높이 - 자리에 앉다(최대)	장착	세트/케이스	에	기본 제품 번호	널리	전압 - 공급	민감도특급(MSL)	ECCN	HTSUS	세트 세트	기능	프로그래밍 가능 여부	현재 - 공급(최대)	찹 공진기	안드로이드	전개분류의 구분	현재 - 공급(비활성화)(최대)	사용 가능한 유튜브 범위	안드로이드의 특징(전체)
502GBE-ABAG	-	보상요청	9350	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502GBE	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
502JBB-ACAG	-	보상요청	1542	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502JBB	LVCMOS	3.3V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
503PBA-ACAG	-	보상요청	1961년	실리콘랩스	CMEMS® Si503	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	503PBA	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
502NAC-ADAG	-	보상요청	6842	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502NAC	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501JAA-ABAF	-	보상요청	6784	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501JAA	LVCMOS	3.3V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
502GCE-ADAF	-	보상요청	6890	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502GCE	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
502ACB-ABAG	-	보상요청	4577	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502ACB	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
502PBB-ABAF	-	보상요청	2955	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502PBB	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501MCD-ADAG	-	보상요청	3766	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501MCD	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
503LAB-ABAF	-	보상요청	6140	실리콘랩스	CMEMS® Si503	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	503LAB	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501FAG-ABAG	-	보상요청	2679	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501FAG	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
502LBF-ABAF	-	보상요청	3271	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502LBF	LVCMOS	1.8V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501LAE-ACAG	-	보상요청	2766	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501LAE	LVCMOS	1.8V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501GCC-ACAG	-	보상요청	3862	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501GCC	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
504LBA-BBAF	-	보상요청	8357	실리콘랩스	CMEMS® Si504	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	504LBA	LVCMOS	1.8V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501MBH-ABAF	-	보상요청	8312	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501MBH	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501CBL-ADAF	-	보상요청	7149	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501CBL	LVCMOS	2.5V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501CCC-ACAF	-	보상요청	2325	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501CCC	LVCMOS	2.5V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501GBF-ADAG	-	보상요청	6072	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501GBF	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
503EBA-ABAF	-	보상요청	6521	실리콘랩스	CMEMS® Si503	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	503EBA	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
502KCE-ABAG	-	보상요청	7206	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502KCE	LVCMOS	2.5V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
502KBA-ADAG	-	보상요청	9933	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502KBA	LVCMOS	2.5V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
501PBL-ABAG	-	보상요청	2998년	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501PBL	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
502DBA-ACAG	-	보상요청	4921	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502DBA	LVCMOS	1.8V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
502GCF-ABAF	-	보상요청	6399	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502GCF	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
501EBA-ACAF	-	보상요청	1048	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501EBA	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
502CAE-ABAG	-	보상요청	9380	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502CAE	LVCMOS	2.5V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±50ppm
501ACF-ADAF	-	보상요청	9113	실리콘랩스	CMEMS® Si501	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	501ACF	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±20ppm
502FBD-ABAG	-	보상요청	3233	실리콘랩스	CMEMS® Si502	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	502FBD	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	6.5mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 100MHz	±30ppm
504LAA-ABAG	-	보상요청	6870	실리콘랩스	CMEMS® Si504	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	504LAA	LVCMOS	1.8V	1(무제한)	EAR99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에서 프로그래밍함(웹 주문 메모에 입력)	8.9mA	MEMS	-	-	1μA	32kHz ~ 80MHz	±50ppm

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

수정, 발진기, 공진기(5864)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²