SIC
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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SVC75C3D48C2-125.000M Suntsu Electronics, Inc. SVC75C3D48C2-125.000M 14.2200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Suntsu Electronics, Inc. SVC75C 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 125MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 20ppm ± 50ppm - -
25QHTF22-73.750-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22-73.750 -OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 73.75 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF22-73.750-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 26MA 결정 ± 50ppm - -
SG-8101CG 148.4250M-TBGPA0 EPSON SG-8101CG 148.4250M-TBGPA0 2.0796
RFQ
 ECAD 1947 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 148.425 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG148.4250M-TBGPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
3QHTF53-51.4102-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53-51.4102-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 51.4102 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF53-51.4102-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 24MA 결정 ± 50ppm - -
18QHTF32-14.76056-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32-14.76056-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 14.76056 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF32-14.76056 -oe 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
ATXAIG-12-A-37.400MHZ-E05-T3 Abracon LLC ATXAIG-12-A-37.400MHZ-E05-T3 1.6362
RFQ
 ECAD 4104 0.00000000 Abracon LLC atxaig-12 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C AEC-Q200 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 37.4 MHz 사인파를 사인파를 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 535-ATXAIG-12-A-37.400MHZ-E05-T3TR 귀 99 8541.60.0080 3,000 - 2.5MA 결정 ± 500ppb - - -
SIT8208AC-21-18S-31.250000 SiTime SIT8208AC-21-18S-31.250000 3.2400
RFQ
 ECAD 7138 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 31.25 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 20ppm - -
18QHTF21-23.040-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21-23.040-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 23.04 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF21-23.040-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
SIT8208AC-GF-28E-62.500000T SiTime SIT8208AC-GF-28E-62.500000T 3.6149
RFQ
 ECAD 8181 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 62.5 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
CA32C0802NLT CTS-Frequency Controls CA32C0802NLT 1.4027
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 cts- 제어 주파수 CA32 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8 MHz HCMOS, TTL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 40ma 결정 ± 100ppm - - 10µA
DSC6183CI2A-457K000T Microchip Technology DSC6183CI2A-457K000T -
RFQ
 ECAD 7123 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 457 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
AMPMEDA-5.1200T Abracon LLC AMPMEDA-5.1200T -
RFQ
 ECAD 1505 0.00000000 Abracon LLC AMPM 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 5.12 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - -
589S260X2CAT CTS-Frequency Controls 589S260X2CAT -
RFQ
 ECAD 8010 0.00000000 cts- 제어 주파수 589 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo 26 MHz HCMOS 5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 6MA 결정 ± 140ppb - -
SIT9365AI-4E1-30N74.250000 SiTime SIT9365AI-4E1-30N74.250000 14.0000
RFQ
 ECAD 6581 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 74.25 MHz HCSL 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 20ppm - -
3QHTF22-15.60576-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-15.60576-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 15.60576 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-15.60576-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
SIT8208AC-G1-33S-12.800000X SiTime SIT8208AC-G1-33S-12.800000X 2.2505
RFQ
 ECAD 5758 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 12.8 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 20ppm - - 70µA
SIT8208AI-GF-28E-12.288000Y SiTime SIT8208AI-GF-28E-1288000Y 3.8969
RFQ
 ECAD 7014 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.288 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SG-8018CB 107.9000M-TJHPA0 EPSON SG-8018CB 107.9000M-TJHPA0 0.6363
RFQ
 ECAD 9192 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 107.9 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CB107.9000M-TJHPA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
637E15622I3T CTS-Frequency Controls 637E15622I3T 3.2124
RFQ
 ECAD 7010 0.00000000 cts- 제어 주파수 637 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 50.0025 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 88ma 결정 ± 100ppm - -
SG-8018CG 14.0700M-TJHSA0 EPSON SG-8018CG 14.0700M-TJHSA0 0.5606
RFQ
 ECAD 6271 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 14.07 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CG14.0700M-TJHSA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3.5MA 결정 ± 50ppm - - 1.1µA
SIT9501AI-04A3-2510-161.132813E SiTime SIT9501AI-04A3-2510-161.132813E 4.5441
RFQ
 ECAD 5420 0.00000000 시민 SIT9501 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9501 161.132813 MHz HCSL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1473-SIT9501AI-04A3-2510-161.132813etr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 50ppm - - -
653V2505C2T CTS-Frequency Controls 653V2505C2T 2.7757
RFQ
 ECAD 6144 0.00000000 cts- 제어 주파수 653 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 25ppm - -
SG-8018CB 8.0002M-TJHSA0 EPSON SG-8018CB 8.0002M-TJHSA0 0.6363
RFQ
 ECAD 4700 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8.0002 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CB8.0002M-TJHSA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3.5MA 결정 ± 50ppm - - 1.1µA
AMPMAFA-33.333333T3 Abracon LLC AMPMAFA-33.33333333T3 -
RFQ
 ECAD 1238 0.00000000 Abracon LLC AMPM 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.3333 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - -
18QHTF21-33.720-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21-33.720-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.72 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF21-33.720-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
545AAD200M000BAG Skyworks Solutions Inc. 545AAD200m000 백 -
RFQ
 ECAD 6259 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. Ultra ™ SI545 조각 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.052 "(1.33mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 200MHz lvpecl 2.5V, 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 153ma 결정 ± 20ppm - - 112MA
VMQF326D33-66.660-1.0/-40+85 Mercury United Electronics, Inc. VMQF326D33-66.660-1.0/-40+85 35.7500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 vctcxo 66.66 MHz LVD 3.3v 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 2425-VMQF326D33-66.660-1.0/-40+85 귀 99 8541.60.0060 3 진폭 진폭 26MA (유형) 결정 ± 1ppm ± 8ppm - 18MA (유형)
18QHTF53-37.0879-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF53-37.0879-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 37.0879 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF53-37.0879-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
SG-8101CG 57.8500M-TBGSA0 EPSON SG-8101CG 57.8500M-TBGSA0 2.0796
RFQ
 ECAD 9916 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 57.85 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG57.8500M-TBGSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 1.1µA
SIT3373AI-2B3-30NX625.000000 SiTime SIT3373AI-2B3-30NX625.000000 8.6300
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 625 MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm ± 345ppm -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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