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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SIT3372AC-2E2-30NX125.000000 SiTime SIT3372AC-2E2-30NX125.000000 13.0100
RFQ
 ECAD 9230 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 125MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 25ppm ± 370ppm - -
SIT3373AC-1B3-25NG222.527472 SiTime SIT3373AC-1B3-25NG222.527472 9.9000
RFQ
 ECAD 5270 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 222.527472 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm ± 95ppm -
SIT3373AC-1B2-25NE500.000000 SiTime SIT3373AC-1B2-25NE500.000000 13.0000
RFQ
 ECAD 6984 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 500MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm ± 70ppm -
SIT9365AI-2E3-28N122.880000 SiTime SIT9365AI-2E3-28N122.880000 10.2000
RFQ
 ECAD 8493 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 122.88 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm - -
SIT3372AI-2E3-25NY161.132810 SiTime SIT3372AI-2E3-25NY161.132810 10.2000
RFQ
 ECAD 1451 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 161.13281 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 50ppm ± 745ppm - -
SG-8101CG 111.154120M-TBGSA0 EPSON SG-8101CG 111.154120M-TBGSA0 2.0796
RFQ
 ECAD 1335 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 111.15412 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG111.154120M-TBGSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 1.1µA
SG-8101CG 159.2500M-TBGSA0 EPSON SG-8101CG 159.2500M-TBGSA0 2.0796
RFQ
 ECAD 4790 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 159.25 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG159.2500M-TBGSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 1.1µA
ASTMUPCD-33-156.250MHZ-EJ-E-T3 Abracon LLC ASTMUPCD-33-156.250MHZ-EJ-E-T3 -
RFQ
 ECAD 5145 0.00000000 Abracon LLC astmupc 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 36MA MEMS ± 20ppm - 31MA
SIT3372AC-1B2-25NG160.000000 SiTime SIT3372AC-1B2-25NG160.000000 13.0000
RFQ
 ECAD 3642 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 160MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 120ppm - -
VCC1-B0D-25M0000000 Microchip Technology VCC1-B0D-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 9927 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100
FCO3C03532550CGE00 Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited FCO3C03532550CGE00 0.5902
RFQ
 ECAD 4328 0.00000000 후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한 FCO-3C 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 35.325 MHz CMOS 5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4972-FCO3C03532550CGE00TR 귀 99 3,000 활성화/비활성화 40ma 결정 ± 100ppm - - -
SIT3372AC-1E2-33NZ155.520000 SiTime SIT3372AC-1E2-33NZ155.520000 13.0100
RFQ
 ECAD 9387 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 155.52 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 1570ppm - -
SIT8208AI-23-33E-24.576000 SiTime SIT8208AI-23-33E-24.576000 2.5000
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 50ppm - -
SG-8101CG 112.2400M-TCHPA0 EPSON SG-8101CG 112.2400M-TCHPA0 2.0796
RFQ
 ECAD 3356 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 112.24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG112.2400M-TCHPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 3.5MA
S73305T-100.000-X-15-CT Aker Technology USA S73305T-100.000-X-15-CT 1.7500
RFQ
 ECAD 230 0.00000000 Aker Technology USA S7 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2754-S73305T-100.000-X-15-CT 귀 99 8541.60.0060 10 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 50ppm - - -
SIT8208AC-22-18S-40.000000 SiTime SIT8208AC-22-18S-40.000000 3.1000
RFQ
 ECAD 4256 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 25ppm - -
VCC6-RCF-125M000000 Microchip Technology VCC6-RCF-125M000000 -
RFQ
 ECAD 6081 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1004DI1-050.0000T Microchip Technology DSC1004DI1-050.0000T -
RFQ
 ECAD 9834 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1004 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.1ma MEMS ± 50ppm - - -
3QHTF32-15.553-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32-15.553-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 15.553 MHz LVCMOS 3.3v - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF32-15.553-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
SIT8208AI-G3-33E-16.000000T SiTime SIT8208AI-G3-33E-16.000000T 1.3174
RFQ
 ECAD 9075 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 16MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 50ppm - - 31MA
SG-8018CG 28.63636M-TJHPA5 EPSON SG-8018CG 28.63636M-TJHPA5 0.5419
RFQ
 ECAD 9519 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8018 28.63636 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CG28.63636M-TJHPA5TR 귀 99 8541.60.0080 3,000 활성화/비활성화 6.8ma 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
25QHTF22-65.5636-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22-65.5636-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 65.5636 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF22-65.5636-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 26MA 결정 ± 50ppm - -
QVMQF576D25-2.0A-35.328 Mercury United Electronics, Inc. QVMQF576D25-2.0A-35.328 36.7500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.102 "(2.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 vctcxo 35.328 MHz LVD 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-QVMQF576D25-2.0A-35.328 귀 99 8541.60.0050 3 활성화/비활성화 23MA (유형) 결정 ± 2ppm ± 8ppm -
SIT8208AI-G3-33E-26.000000T SiTime SIT8208AI-G3-33E-26.000000T 1.3174
RFQ
 ECAD 9204 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 26 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 50ppm - - 31MA
SIT8208AI-G3-28S-75.000000X SiTime SIT8208AI-G3-28S-75.000000X 1.6938
RFQ
 ECAD 1262 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 75MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 50ppm - - 70µA
353SB3C777R CTS-Frequency Controls 353SB3C777R -
RFQ
 ECAD 7427 0.00000000 cts- 제어 주파수 353 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 77.76 MHz HCMOS 5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 50ppm - -
356P4000B5C2T CTS-Frequency Controls 356P4000B5C2T 4.2082
RFQ
 ECAD 7825 0.00000000 cts- 제어 주파수 356p/l 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.073 "(1.85mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 400MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 88ma 결정 ± 25ppm ± 50ppm - 22MA
CE3292-18.432 Crystek Corporation CE3292-18.432 1.2067
RFQ
 ECAD 5479 0.00000000 Crystek Corporation C3292 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.283 "L x 0.205"W (7.20mm x 5.20mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 18.432 MHz HCMOS, TTL 5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CE3292-18.432MHz 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 50ppm - -
SIT8208AC-G1-28S-33.330000Y SiTime SIT8208AC-G1-28S-33.330000Y 1.8647
RFQ
 ECAD 2603 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 33.33 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 20ppm - - 70µA
SIT8208AC-GF-18S-25.000000X SiTime SIT8208AC-GF-18S-25.000000X 4.3488
RFQ
 ECAD 3240 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 10ppm - - 10µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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