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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
3QHTF21-124.913-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21-124.913-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 124.913 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF21-124.913-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 28ma 결정 ± 50ppm - -
3QHTF57-38.910-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57-38.910-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38.91 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF57-38.910-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
3QHTF22-49.7664-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-49.7664-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 49.7664 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-49.7664-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
SIT3373AC-1B2-28NC280.550000 SiTime SIT3373AC-1B2-28NC280.550000 13.0000
RFQ
 ECAD 8434 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 280.55 MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm - -
18QHTF57-10.964705-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57-10.964705-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10.964705 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF57-10.964705-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
CA32P15004GNR CTS-Frequency Controls CA32P15004GNR 4.0526
RFQ
 ECAD 9565 0.00000000 cts- 제어 주파수 CA32P 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) CA32 150MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 110-CA32P15004GNRTR 귀 99 8541.60.0080 3,000 대기 (다운 전원) 80ma 결정 ± 30ppm - - 15µA
25QHTF32-57.443667-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32-57.443667-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 57.443667 MHz LVCMOS 2.5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF32-57.443667-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 24ma 결정 ± 50ppm - -
CA32L7424INR CTS-Frequency Controls CA32L7424INR 4.0526
RFQ
 ECAD 7026 0.00000000 cts- 제어 주파수 CA32L 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) CA32 74.25 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 110-CA32L7424INRTR 귀 99 8541.60.0080 3,000 대기 (다운 전원) 60ma 결정 ± 30ppm - - 15µA
QMQF326P25-2.0A-51.840 Mercury United Electronics, Inc. QMQF326P25-2.0A-51.840 34.7500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 51.84 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-QMQF326P25-2.0A-51.840 귀 99 8541.60.0050 3 - 30MA (유형) 결정 ± 2ppm - -
25QHTF21-156.251-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21-156.251-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 156.251 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF21-156.251-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 29ma 결정 ± 50ppm - -
SG-8101CG 44.7360M-TBGPA0 EPSON SG-8101CG 44.7360M-TBGPA0 2.0796
RFQ
 ECAD 3194 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 44.736 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-sg-8101cg44.7360m-tbgpa0tr 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
18QHTF32-25.250-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32-25.250 -oe 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25.25 MHz LVCMOS 1.8V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF32-25.250 -OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
VMQF574T33-12.688656-1.0/-40+85 Mercury United Electronics, Inc. VMQF574T33-12.688656-1.0/-40+85 37.7500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.102 "(2.60mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo 12.688656 MHz CMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 2425-VMQF574T33-12.688656-1.0/-40+85 귀 99 8541.60.0050 3 진폭 진폭 24MA (유형) 결정 ± 1ppm ± 8ppm - 18MA (유형)
531AB000132DGR Skyworks Solutions Inc. 531AB000132DGR 27.1481
RFQ
 ECAD 5752 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI531 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 531ab 132 kHz lvpecl 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 121ma 결정 ± 20ppm - - 75MA
SIT9120AI-2B3-XXS100.000000 SiTime SIT9120AI-2B3-XXS100.000000 4.5300
RFQ
 ECAD 1983 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 55MA MEMS ± 50ppm - -
SIT8208AC-GF-33S-66.666660T SiTime SIT8208AC-GF-33S-66.666660T 3.6149
RFQ
 ECAD 9583 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.66666 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT9365AC-1E1-33E153.600000 SiTime SIT9365AC-1-33E153.600000 13.7100
RFQ
 ECAD 4205 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 153.6 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ± 20ppm - -
3QHTF32-36.5714-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32-36.5714-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 36.5714 MHz LVCMOS 3.3v - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF32-36.5714-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
SIT3372AC-1E2-33NZ98.304000 SiTime SIT3372AC-1E2-33NZ98.304000 13.0100
RFQ
 ECAD 5111 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 98.304 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 1570ppm - -
SIT3373AC-2B2-28NZ500.000000 SiTime SIT3373AC-2B2-28NZ500.000000 13.0000
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 500MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm ± 1570ppm -
SG-8101CG 44.0400M-TCHSA0 EPSON SG-8101CG 44.0400M-TCHSA0 2.0796
RFQ
 ECAD 2256 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 44.04 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG44.0400M-TCHSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
SIT3372AC-2E2-33NH25.000000 SiTime SIT3372AC-2E2-33NH25.000000 13.0100
RFQ
 ECAD 1211 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 25MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 25ppm ± 170ppm - -
SIT1602BI-83-33E-38.000000 SiTime SIT1602BI-83-33E-38.000000 1.1800
RFQ
 ECAD 5721 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 50ppm - -
18QHTF53-115.500-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF53-115.500-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 115.5 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF53-115.500-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 28ma 결정 ± 50ppm - -
571ACA000148DGR Skyworks Solutions Inc. 571ACA000148DGR 142.2838
RFQ
 ECAD 9391 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI571 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 VCXO 571aca 24.576 MHz lvpecl 2.97V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 130ma 결정 ± 50ppm ± 150ppm -
3QHTF32-165.165-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32-165.165-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 165.165 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF32-165.165-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 29ma 결정 ± 50ppm - -
656V12283C3T CTS-Frequency Controls 656V12283C3T 2.7297
RFQ
 ECAD 9500 0.00000000 cts- 제어 주파수 656p/l 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.073 "(1.85mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 122.88 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 65MA 결정 ± 50ppm - - 22MA
SIT8208AI-G2-18E-26.000000T SiTime SIT8208AI-G2-18E-26.000000T 1.5215
RFQ
 ECAD 6467 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 26 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 25ppm - - 30ma
SIT1602BC-81-28E-10.000000 SiTime SIT1602BC-81-28E-10.000000 1.5700
RFQ
 ECAD 9372 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 20ppm - -
SG-8101CG 19.2280M-TBGPA0 EPSON SG-8101CG 19.2280M-TBGPA0 2.0796
RFQ
 ECAD 4531 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 19.228 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG19.2280M-TBGPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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