SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
SG-8101CG 40.6100M-TBGSA0 EPSON SG-8101CG 40.6100M-TBGSA0 2.0796
RFQ
ECAD 7454 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 40.61 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG40.6100M-TBGSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 1.1µA
SIT3372AI-4E9-25NH51.200000 SiTime SIT3372AI-4E9-25NH51.200000 11.2200
RFQ
ECAD 6871 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 51.2 MHz HCSL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 35ppm ± 160ppm -
TSM21-H50CQ18ST-6.144M Transko Electronics, Inc. TSM21-H50CQ18st-6.144M 5.0000
RFQ
ECAD 366 0.00000000 Transko Electronics, Inc. TSM21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 6.144 MHz HCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2492-TSM21-H50CQ18st-6.144M 귀 99 8541.60.0050 250 활성화/비활성화 400µA (() 결정 ± 50ppm - - -
18QHTF57-55.4666-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57-55.4666 -OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 55.4666 MHz LVCMOS 1.8V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF57-55.4666 -oe 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 24ma 결정 ± 50ppm - -
STH22K33Q38-38.400M Suntsu Electronics, Inc. STH22K33Q38-38.400M 3.1700
RFQ
ECAD 1383 0.00000000 Suntsu Electronics, Inc. STH22K 대부분 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 38.4 MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2388-STH22K33Q38-38.400M 귀 99 8542.39.0001 1 - 2MA 결정 ± 1.5ppm - - -
532L38410CTT CTS-Frequency Controls 532L38410CTT 3.1783
RFQ
ECAD 8351 0.00000000 cts- 제어 주파수 532 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 38.4 MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 2.5MA 결정 ± 1ppm - - -
QVMQF574T25-2.0A-153.600 Mercury United Electronics, Inc. QVMQF574T25-2.0A-153.600 36.7500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.102 "(2.60mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo 153.6 MHz CMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-QVMQF574T25-2.0A-153.600 귀 99 8541.60.0050 3 활성화/비활성화 25MA (유형) 결정 ± 2ppm ± 8ppm -
353WB3C307R CTS-Frequency Controls 353WB3C307R -
RFQ
ECAD 3957 0.00000000 cts- 제어 주파수 353 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 30.72 MHz HCMOS 5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 50ppm - -
3QHTF32-155.025-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32-155.025-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 155.025 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF32-155.025-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 29ma 결정 ± 50ppm - -
3QHM572C0.125-23.600 Mercury United Electronics, Inc. 3QHM572C0.125-23.600 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -45 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 SSXO 23.6 MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHM572C0.125-23.600 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 결정 ± 50ppm - ± 0.125%, 센터 스프레드
SIT3372AI-1E3-33NH100.000000 SiTime SIT3372AI-1E3-33NH100.000000 8.6300
RFQ
ECAD 2194 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 100MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 50ppm ± 145ppm - -
SG-8101CA 6.764380M-TBGPA0 EPSON SG-8101CA 6.764380M-TBGPA0 1.6842
RFQ
ECAD 5814 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 6.76438 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA6.764380M-TBGPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
SIT3373AI-1E9-28NY256.000000 SiTime SIT3373AI-1E9-28NY256.000000 9.2900
RFQ
ECAD 3452 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 256 MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 760ppm -
SIT1602BI-83-25E-25.000625 SiTime SIT1602BI-83-25E-25.000625 1.1800
RFQ
ECAD 8437 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25.000625 MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.2MA MEMS ± 50ppm - -
25QHTF32-65.576-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32-65.576-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 65.576 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF32-65.576-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 26MA 결정 ± 50ppm - -
SIT9365AC-2E1-33N212.500000 SiTime SIT9365AC-2E1-33N212.500000 13.7100
RFQ
ECAD 5427 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 212.5 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 20ppm - -
25QHTF21-74.170-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21-74.170-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 74.17 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF21-74.170-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 26MA 결정 ± 50ppm - -
18QHTF57-49.3667-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57-49.3667-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 49.3667 MHz LVCMOS 1.8V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF57-49.3667-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
SIT5156AECFA-28VT-50.000000 SiTime SIT5156AECFA-28VT-50.000000 53.1800
RFQ
ECAD 9297 0.00000000 시민 SIT5156, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.042 "(1.06mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 vctcxo SIT5156 50MHz 사인파를 사인파를 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 57ma MEMS ± 1ppm ± 6.25ppm - -
18QHTF32-50.484667-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32-50.484667-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50.484667 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF32-50.48467-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 24ma 결정 ± 50ppm - -
520T14725DTR CTS-Frequency Controls 520T14725DTR 1.9416
RFQ
ECAD 2523 0.00000000 cts- 제어 주파수 520 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 14.7456 MHz 사인파를 사인파를 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 2MA 결정 ± 2.5ppm - - -
AX7DCF1-748.0709 Abracon LLC AX7DCF1-748.0709 -
RFQ
ECAD 7927 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX7 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 748.0709 MHz LVD 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 70ma 결정 ± 25ppm - 65MA
3QHTF53-39.7024-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53-39.7024-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 39.7024 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF53-39.7024-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
SIT1602BI-12-28N-4.096000 SiTime SIT1602BI-12-28N-4.096000 1.4100
RFQ
ECAD 8752 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4.096 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
535L40005GA5 CTS-Frequency Controls 535L40005GA5 13.4254
RFQ
ECAD 8089 0.00000000 cts- 제어 주파수 535 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.079 "(2.00mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 vctcxo 40MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 110-535L40005Ga5tr 귀 99 8542.39.0001 500 - 10MA 결정 ± 500ppb - - 3.5MA
3QHTF53-26.667-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53-26.667-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 26.667 MHz LVCMOS 3.3v - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF53-26.667-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
525T14715DTR CTS-Frequency Controls 525T14715DTR 1.9416
RFQ
ECAD 4169 0.00000000 cts- 제어 주파수 525 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 525 14.7456 MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 110-525T14715DTR 귀 99 8541.60.0080 3,000 - 2MA 결정 ± 1.5ppm - - -
SIT3372AI-1B2-25NU76.800000 SiTime SIT3372AI-1B2-25NU76.800000 11.1100
RFQ
ECAD 7750 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 76.8 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 3170ppm - -
25QHTF57-28.376-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57-28.376-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 28.376 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF57-28.376-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
SIT8208AI-82-18E-72.000000 SiTime SIT8208AI-82-18E-72.000000 3.2900
RFQ
ECAD 5865 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 72 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 25ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고