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발진기 (651585)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
AX3HCF2-120.0000	-	RFQ	9740	Abracon LLC	ClearClock ™ AX3	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.043 "(1.10mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		120MHz	HCSL	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	활성화/비활성화	30ma	결정	± 25ppm	-	-	10µA
25qhm53d0.25-25.000	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-45 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	SSXO		25MHz	CMOS (EMI)	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25qhm53d0.25-25.000	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화		결정	± 50ppm	-	-0.25%, 하향 확산
SIT8924AA-11-33E-25.000000	4.9200	RFQ	9503	시민	SIT8924	조각	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		25MHz	lvcmos, lvttl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	4.8ma	MEMS	± 20ppm	-	-
18QHTF57-16.31725-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		16.31725 MHz	LVCMOS	1.8V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF57-16.31725-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
fco7c050211a3cei00	0.6105	RFQ	7166	후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한	FCO-7C	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.059 "(1.50mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		50.1733 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	4972-fco7c050211a3cei00tr	귀 99		1,000	활성화/비활성화	6.8ma (유형)	결정	± 15ppm	-	-	-
18QHTF57-14.74772-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		14.74772 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF57-14.74772-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
SQG32L2A271N-212.500M	5.4200	RFQ	1	Suntsu Electronics, Inc.	SQG32L	대부분	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.045 "(1.15mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		212.5 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는	2388-SQG32L2A271N-212.500M	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	35MA	결정	± 50ppm	-	-	-
25QHTF53-49.9256-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		49.9256 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF53-49.9256-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF22-27.683055-PD	20.2500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		27.683055 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF22-27.683055-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
SIT5156AECFD-33E0-30.720000	48.9100	RFQ	8933	시민	SIT5156, 5 플랫폼 ™	조각	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.042 "(1.06mm)	표면 표면	10-smd,, 없음	TCXO	SIT5156	30.72 MHz	사인파를 사인파를	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	53MA	MEMS	± 2.5ppm	-	-	51MA
18QHTF57-33.125-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		33.125 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF57-33.125-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHM53D4.0-33.600	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-45 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	SSXO		33.6 MHz	CMOS (EMI)	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHM53D4.0-33.600	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화		결정	± 50ppm	-	-4.00%,, 스프레드
25QHTF32-161.500-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		161.5 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF32-161.500-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	29ma	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF21-14.746-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		14.746 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF21-14.746-PD	귀 99	8541.60.0050	5	대기 (다운 전원)	22MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF57-19.6416-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		19.6416 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF57-19.6416-PD	귀 99	8541.60.0050	5	대기 (다운 전원)	22MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF21-123.000-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		123MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF21-123.000-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	28ma	결정	± 50ppm	-	-
SIT3372AC-1E3-33NG77.760000	9.9000	RFQ	9769	시민	Sit3372, 7 플랫폼 ™	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	VCXO		77.76 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	-	92MA	MEMS	± 50ppm	± 95ppm	-	-
SIT9365AC-1E2-33N325.000000	13.0100	RFQ	1013	시민	SIT9365, 6 플랫폼 ™	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)		325MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	-		MEMS	± 25ppm	-	-
SG-8101CE 18.4320M-TCHPA0	0.7449	RFQ	3492	엡슨	SG-8101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	SG-8101	18.432 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8101CE18.4320M-TCHPA0TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	6.8ma (유형)	결정	± 20ppm	-	-	3.5MA
3QHM572C0.5-44.000	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-45 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	SSXO		44 MHz	CMOS (EMI)	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHM572C0.5-44.000	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화		결정	± 50ppm	-	± 0.50%, 50 스프레드
SG-8101CB 77.7000M-TCHSA0	1.8746	RFQ	3527	엡슨	SG-8101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	SG-8101	77.7 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8101CB77.7000M-TCHSA0TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.8ma (유형)	결정	± 20ppm	-	-	1.1µA
3QHTF21-132.810-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		132.81 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF21-132.810-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	28ma	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF21-35.4688-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		35.4688 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF21-35.4688-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
SIT3373AI-1E9-28NY540.000000	11.2200	RFQ	6515	시민	SIT3373, 7 플랫폼 ™	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	VCXO		540MHz	lvpecl	2.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	-		MEMS	± 35ppm	± 760ppm	-
3QHM53C1.5-64.000	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-45 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	SSXO		64 MHz	CMOS (EMI)	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHM53C1.5-64.000	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화		결정	± 50ppm	-	± 1.50%, 50 스프레드
CA25L13303HLR	4.0526	RFQ	6143	cts- 제어 주파수	CA25L	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q200	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.043 "(1.10mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	CA25	133 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	110-CA25L13303HLRTR	귀 99	8541.60.0080	3,000	대기 (다운 전원)	60ma	결정	± 50ppm	-	-	15µA
3QHTF32-49.7133-PD	20.2500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		49.7133 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF32-49.7133-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
SIT8918BA-21-XXE-24.576000	4.9200	RFQ	9818	시민	SIT8918B	조각	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		24.576 MHz	lvcmos, lvttl	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	4.5MA	MEMS	± 20ppm	-	-
25QHTF22-38.57143-OE	20.2500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		38.57143 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF22-38.57143-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
SG-8018CE 16.7772M-TJHPA0	0.5909	RFQ	9245	엡슨	SG-8018	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		16.7772 MHz	CMOS	1.62V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8018CE16.7772M-TJHPA0	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3.5MA	결정	± 50ppm	-	-	3.5MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (651585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²