SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
SVC75C3B38B2-50.000M Suntsu Electronics, Inc. SVC75C3B38B2-50.000m 3.2800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Suntsu Electronics, Inc. SVC75C 대부분 활동적인 -30 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 50MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 30ppm ± 100ppm - -
SIT3372AI-4E3-28NX61.440000 SiTime SIT3372AI-4E3-28NX61.440000 10.2000
RFQ
ECAD 7425 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 61.44 MHz HCSL 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 50ppm ± 345ppm -
SIT3372AC-2B3-33NE133.516483 SiTime SIT3372AC-2B3-33NE133.516483 9.9000
RFQ
ECAD 2151 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 133.516483 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 50ppm ± 45ppm - -
SIT9120AI-2D3-25S25.000000 SiTime SIT9120AI-2D3-25S25.000000 4.5400
RFQ
ECAD 1703 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 55MA MEMS ± 50ppm - -
SIT1602BI-31-18S-31.250000 SiTime SIT1602BI-31-18S-31.250000 1.6000
RFQ
ECAD 8833 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 31.25 MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.1ma MEMS ± 20ppm - -
SIT8208AI-2F-28S-4.096000T SiTime SIT8208AI-2F-28S-4.096000T 3.8969
RFQ
ECAD 1130 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4.096 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
510KCA33M3333BAG Skyworks Solutions Inc. 510KCA33M3333 백 4.4602
RFQ
ECAD 1972 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI510 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.050 "(1.28mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 510KCA 33.3333 MHz CMOS 1.8V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 200 활성화/비활성화 26MA 결정 ± 20ppm - - 18MA
3QHM53C0.25-33.400 Mercury United Electronics, Inc. 3QHM53C0.25-33.400 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -45 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 SSXO 33.4 MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHM53C0.25-33.400 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 결정 ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드
EG-2102CA 106.2500M-PGPAL0 EPSON EG-2102CA 106.2500M-PGPAL0 -
RFQ
ECAD 3576 0.00000000 엡슨 EG-2102CA 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 그래서 (톱) 106.25 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 100ma 결정 ± 50ppm - 32MA
SG-8018CA 33.333300 MHZ TJHSA EPSON SG-8018CA 33.333300 MHZ TJHSA -
RFQ
ECAD 9468 0.00000000 엡슨 SG-8018CA 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.3333 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 8.1ma 결정 ± 50ppm - 3.5MA
SIT8209AC-82-33S-166.600000 SiTime SIT8209AC-82-33S-166.600000 3.2300
RFQ
ECAD 9212 0.00000000 시민 SIT8209 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 166.6 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 36MA MEMS ± 25ppm - -
25QHTF22-41.440041-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22-41.440041-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 41.440041 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF22-41.440041-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
SIT1602BC-22-28N-74.250000 SiTime SIT1602BC-22-28N-74.250000 1.3800
RFQ
ECAD 2572 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 74.25 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
SIT8208AC-21-33E-8.192000 SiTime SIT8208AC-21-33E-8.192000 3.2400
RFQ
ECAD 7104 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8.192 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 20ppm - -
SIT9120AC-1C2-33E100.000000 SiTime SIT9120AC-1C2-33E100.000000 5.3500
RFQ
ECAD 1355 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 69ma MEMS ± 25ppm - -
DSC1001BI5-084.0000 Microchip Technology DSC1001BI5-084.0000 -
RFQ
ECAD 6580 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 84 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
SIT8209AC-23-25S-166.600000 SiTime SIT8209AC-23-25S-166.600000 2.4400
RFQ
ECAD 6415 0.00000000 시민 SIT8209 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 166.6 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 36MA MEMS ± 50ppm - -
AX7DAF3-1800.0000T Abracon LLC AX7DAF3-1800.0000T -
RFQ
ECAD 6825 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 1.8GHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 70ma 결정 ± 25ppm - 65MA
SIT1602BI-72-25S-30.000000 SiTime SIT1602BI-72-25S-30.000000 1.4100
RFQ
ECAD 4773 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 30MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.2MA MEMS ± 25ppm - -
C3392-75.000 Crystek Corporation C3392-75.000 1.0577
RFQ
ECAD 8139 0.00000000 Crystek Corporation C33 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.283 "L x 0.205"W (7.20mm x 5.20mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 75MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 C3392-75.000MHz 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 45MA 결정 ± 50ppm - -
DSC1101BI3-025.0000T Microchip Technology DSC1101BI3-025.0000T -
RFQ
ECAD 5483 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 20ppm - 95µA
3QHTF32-50.0733-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32-50.0733-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50.0733 MHz LVCMOS 3.3v - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF32-50.0733-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 24MA 결정 ± 50ppm - -
SIT5356AICFP-30E0-30.720000 SiTime SIT5356AICFP-30E0-30.720000 85.5200
RFQ
ECAD 9212 0.00000000 시민 SIT5356, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO 30.72 MHz 사인파를 사인파를 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ± 200ppb - -
SIT3372AC-2E3-28NZ75.000000 SiTime SIT3372AC-2E3-28NZ75.000000 9.9000
RFQ
ECAD 4815 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 75MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 50ppm ± 1545ppm - -
EG-2102CA 126.2500M-PHPAB EPSON EG-2102CA 126.2500M-PHPAB -
RFQ
ECAD 6819 0.00000000 엡슨 EG-2102CA 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 그래서 (톱) 126.25 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 100ma 결정 ± 100ppm - 32MA
SIT1602BC-71-30N-62.500000 SiTime SIT1602BC-71-30N-62.500000 1.4800
RFQ
ECAD 8228 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 62.5 MHz HCMOS, LVCMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - 4.5MA MEMS ± 20ppm - -
540BAA830M000BCG Skyworks Solutions Inc. 540BAA830M000BCG -
RFQ
ECAD 1845 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. Ultra ™ SI540 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.052 "(1.33mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 830 MHz LVD 1.8V ~ 3.3V 다운로드 863-540BAA830M000BCG 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 111ma 결정 ± 20ppm - - 100ma
ECX-L32BN-33.000 ECS Inc. ECX-L32BN-33.000 6.7810
RFQ
ECAD 7639 0.00000000 ECS Inc. ECX-L ECSPRESSCON ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 33MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 10 활성화/비활성화 18MA 결정 ± 50ppm - - -
FO2HSBBM16.0-T3 Fox Electronics FO2HSBBM16.0-T3 -
RFQ
ECAD 6847 0.00000000 폭스 폭스 장치 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 631-FO2HSBBM16.0-T3TR 귀 99 8542.39.0001 3,000
SIT8208AI-8F-28S-3.570000X SiTime SIT8208AI-8F-28S-3.570000X 4.8668
RFQ
ECAD 7090 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 3.57 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고