SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
3QHTF21-49.800-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21-49.800-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 49.8MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF21-49.800-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
4MA133330Z3BACTGI Renesas Electronics America Inc 4MA133330Z3BACTGI -
RFQ
ECAD 6323 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 4MA 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 133.33 MHz lvpecl 2.5V - 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 70 활성화/비활성화 - MEMS ± 50ppm - -
DSC1033CC1-012.0000T Microchip Technology DSC103333CC1-012.0000T -
RFQ
ECAD 1416 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
3QHTF21-161.8098-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21-161.8098-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 161.8098 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF21-161.8098-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 29ma 결정 ± 50ppm - -
18QHTF22-84.7193-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-84.7193-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 84.7193 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-84.7193-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 26MA 결정 ± 50ppm - -
25QHM53D1.0-49.500 Mercury United Electronics, Inc. 25QHM53D1.0-49.500 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -45 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 SSXO 49.5MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHM53D1.0-49.500 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 결정 ± 50ppm - -1.00%, 00 확산
SIT3372AI-1E9-30NH161.132810 SiTime SIT3372AI-1E9-30NH161.132810 11.2200
RFQ
ECAD 4348 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 161.13281 MHz lvpecl 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 35ppm ± 160ppm - -
550CC108M000DGR Skyworks Solutions Inc. 550cc108m000dgr 11.3034
RFQ
ECAD 6946 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI550 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 550cc 108 MHz CMOS 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 98ma 결정 ± 50ppm ± 150ppm - 75MA
3QHTF21-10.00001-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21-10.00001-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10.00001 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF21-10.00001-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
3QHTF32-49.840-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32-49.840-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 49.84 MHz LVCMOS 3.3v - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF32-49.840-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
QTM252E-38.400MBE-T QST QTM252E-38.400MBE-T 0.8910
RFQ
ECAD 3141 0.00000000 QST QTM252E 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38.4 MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
SIT8208AC-83-28S-12.800000 SiTime SIT8208AC-83-28S-12.800000 2.6000
RFQ
ECAD 7294 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.8 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 50ppm - -
S53305T-90.000-X-R Aker Technology USA S53305T-90.000-XR 0.8900
RFQ
ECAD 5675 0.00000000 Aker Technology USA S5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 90MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2754-S53305T-90.000-XR 귀 99 8541.60.0060 1,000 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 50ppm - - -
S21805T-26.000-CT Aker Technology USA S21805T-26.000-CT 1.5000
RFQ
ECAD 220 0.00000000 Aker Technology USA S2 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.037 "(0.95mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 26 MHz HCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2754-S21805T-26.000-CT 귀 99 8541.60.0060 10 활성화/비활성화 5MA 결정 ± 50ppm - - -
CA70C12503GNT CTS-Frequency Controls CA70C12503GNT 1.9112
RFQ
ECAD 7176 0.00000000 cts- 제어 주파수 CA70 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q200 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz HCMOS, TTL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 50ppm - - 10µA
550BD16M3840DGR Skyworks Solutions Inc. 550BD16M3840DGR 13.9703
RFQ
ECAD 5319 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI550 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 550BD 16.384 MHz LVD 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 108ma 결정 ± 50ppm ± 80ppm - 75MA
SG-8101CA 25.0125M-TCHPA0 EPSON SG-8101CA 25.0125M-TCHPA0 1.6842
RFQ
ECAD 2253 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 25.0125 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA25.0125M-TCHPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 3.5MA
SG-8018CA 25.278170M-TJHPA0 EPSON SG-8018CA 25.278170M-TJHPA0 0.7121
RFQ
ECAD 9982 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25.27817 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CA25.278170M-TJHPA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
3QHTF21-1.9584-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21-1.9584-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 1.9584 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF21-1.9584-OE 귀 99 8541.60.0030 5 활성화/비활성화 21ma 결정 ± 50ppm - -
SIT3372AC-1B3-33NH156.250000 SiTime SIT3372AC-1B3-33NH156.250000 9.9000
RFQ
ECAD 1348 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 156.25 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 50ppm ± 145ppm - -
FCO7C016333A3CEI00 Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited fco7c016333a3cei00 0.6105
RFQ
ECAD 5804 0.00000000 후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한 FCO-7C 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27.12 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4972-fco7c016333a3cei00tr 귀 99 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - -
25QHTF53-13.5575-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53-13.5575-PD 20.2500
RFQ
ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.5575 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF53-13.5575-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
SIT8208AI-G2-25E-54.000000X SiTime SIT8208AI-G2-25E-54.000000X 1.9722
RFQ
ECAD 1424 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 54 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 25ppm - - 31MA
SIT8208AI-33-18S-66.666000 SiTime SIT8208AI-33-18S-66.666000 2.5000
RFQ
ECAD 4224 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.666 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 50ppm - -
SIT9365AI-2B3-33E100.000000 SiTime SIT9365AI-2B3-33E100.000000 10.1900
RFQ
ECAD 8035 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ± 50ppm - -
OTERDCLTNF-68.750000 Taitien OTERDCLTNF-68.750000 6.4478
RFQ
ECAD 6449 0.00000000 Taitien OT 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 68.75 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 75MA 결정 ± 25ppm - -
3QHTF53-110.592-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53-110.592-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 110.592 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF53-110.592-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 28ma 결정 ± 50ppm - -
25QHTF22-56.058-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22-56.058-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 56.058 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF22-56.058-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 24MA 결정 ± 50ppm - -
634M13204I2T CTS-Frequency Controls 634M13204I2T 3.8418
RFQ
ECAD 7620 0.00000000 cts- 제어 주파수 634C 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 132 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 65MA 결정 ± 30ppm - - 22MA
3QHTF21-173.3707-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21-173.3707-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 173.3707 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF21-173.3707-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 29ma 결정 ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고