SIC
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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SIT3373AC-2B9-30NH307.695484 SiTime SIT3373AC-2B9-30NH307.695484 10.9200
RFQ
 ECAD 4542 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 307.695484 MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 160ppm -
SG-8101CA 99.9980M-TBGPA0 EPSON SG-8101CA 99.9980M-TBGPA0 1.6842
RFQ
 ECAD 5732 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 99.998 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA99.9980M-TBGPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
SG-8101CA 75.361736M-TCHPA0 EPSON SG-8101CA 75.361736M-TCHPA0 1.6842
RFQ
 ECAD 4872 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 75.361736 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA75.361736M-TCHPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 3.5MA
581EL160X2IAT CTS-Frequency Controls 581EL160X2IAT 16.8594
RFQ
 ECAD 9811 0.00000000 cts- 제어 주파수 581 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.079 "(2.00mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 vctcxo 16MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 110-581EL160X2IATTR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 9.5MA 결정 ± 280ppb ± 5ppm - 10µA
25QHTF53-16.254-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53-16.254-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16.254 MHz LVCMOS 2.5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF53-16.254-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
3QHTF22-49.800-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-49.800-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 49.8MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-49.800-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
18QHTF57-56.244-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57-56.244-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 56.244 MHz LVCMOS 1.8V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF57-56.244-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 24MA 결정 ± 50ppm - -
18QHTF21-36.480-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21-36.480-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 36.48 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF21-36.480-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
25QHTF21-22.625-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21-22.625-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 22.625 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF21-22.625-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
3QHM572D2.0-38.7072 Mercury United Electronics, Inc. 3QHM572D2.0-38.7072 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -45 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 SSXO 38.7072 MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHM572D2.0-38.7072 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 결정 ± 50ppm - -2.00%,, 스프레드
XUP535156.250JS6I8 Renesas Electronics America Inc XUP535156.250JS6I8 -
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xup 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XUP535 156.25 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 115ma 결정 ± 50ppm - -
SIT1602AI-33-33E-33.000000 SiTime SIT1602AI-33-33E-33.000000 1.1800
RFQ
 ECAD 5862 0.00000000 시민 SIT1602 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 50ppm - -
SG-8101CG 59.407060M-TBGSA0 EPSON SG-8101CG 59.407060M-TBGSA0 2.0796
RFQ
 ECAD 1556 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 59.40706 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG59.407060M-TBGSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 1.1µA
FCO7C030320A3CBY00 Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited FCO7C030320A3CBY00 0.6105
RFQ
 ECAD 6388 0.00000000 후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한 FCO-7C 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.354 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4972-fco7c030320a3cby00tr 귀 99 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 30ppm - - -
XLH325026.000000I Renesas Electronics America Inc XLH325026.000000I 1.0187
RFQ
 ECAD 6789 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH325 26 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 800-XLH325026.0000000 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 50ppm - - -
525T18405CTR CTS-Frequency Controls 525T18405ctr 1.9416
RFQ
 ECAD 1128 0.00000000 cts- 제어 주파수 525 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 525 18.432 MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 110-525T18405ctr 귀 99 8541.60.0080 3,000 - 2MA 결정 ± 500ppb - - -
18QHTF32-25.00075-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32-25.00075-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25.00075 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF32-25.00075-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
FCO7C031500A3CEI00 Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited FCO7C031500A3CEI00 0.6105
RFQ
 ECAD 9045 0.00000000 후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한 FCO-7C 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 39.864 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4972-FCO7C031500A3CEI00tr 귀 99 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 30ppm - - -
SG-8018CG 24.5600M-TJHPA0 EPSON SG-8018CG 24.5600M-TJHPA0 0.5606
RFQ
 ECAD 4058 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.56 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CG24.5600M-TJHPA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
520L38420CTR CTS-Frequency Controls 520L38420CTR 1.9416
RFQ
 ECAD 5279 0.00000000 cts- 제어 주파수 520 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 38.4 MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 2.5MA 결정 ± 2ppm - - -
18QHTF21-23.79021-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21-23.79021-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 23.79021 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF21-23.79021-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
25QHTF53-155.480-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53-155.480-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 155.48 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF53-155.480-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 29ma 결정 ± 50ppm - -
QMQF576P33-2.0A-140.000 Mercury United Electronics, Inc. QMQF576P33-2.0A-140.000 36.7500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.102 "(2.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 140MHz lvpecl 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-QMQF576P33-2.0A-140.000 귀 99 8541.60.0050 3 - 38MA (유형) 결정 ± 2ppm - -
AX5DBF1-204.8000 Abracon LLC AX5DBF1-204.8000 -
RFQ
 ECAD 4459 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX5 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 204.8 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 80ma 결정 ± 20ppm - 70ma
SIT1602BI-22-28S-38.400000 SiTime SIT1602BI-22-28S-38.400000 1.4100
RFQ
 ECAD 5491 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38.4 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
SIT9365AC-1B3-25N166.666666 SiTime SIT9365AC-1B3-25N166.666666 9.9000
RFQ
 ECAD 4560 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 166.666666 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm - -
SG-8101CE 8.4480M-TBGPA0 EPSON SG-8101CE 8.4480M-TBGPA0 0.7449
RFQ
 ECAD 2238 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 8.448 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CE8.4480M-TBGPA0TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
25QHTF22-58.41875-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22-58.41875-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 58.41875 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF22-58.41875-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 24MA 결정 ± 50ppm - -
580EL16002CTT CTS-Frequency Controls 580EL16002CTT 16.8594
RFQ
 ECAD 4832 0.00000000 cts- 제어 주파수 580 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.079 "(2.00mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 TCXO 580 16MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 110-580EL16002CTTTR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6MA 결정 ± 200ppb - - 10µA
SIT8008BI-23-18E-80.000000 SiTime SIT8008BI-23-18E-80.000000 1.2900
RFQ
 ECAD 1781 0.00000000 시민 SIT8008B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 80MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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