SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
SIT1602BC-31-XXE-6.000000 SiTime SIT1602BC-31-XXE-6.000000 1.5700
RFQ
ECAD 7981 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 6MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 20ppm - -
SIT3372AI-1E3-33NG148.425787 SiTime SIT3372AI-1E3-33NG148.425787 8.5500
RFQ
ECAD 1297 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 148.425787 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 50ppm ± 95ppm - -
SIT3372AI-2B2-30NZ125.000000 SiTime SIT3372AI-2B2-30NZ125.000000 13.2900
RFQ
ECAD 8833 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 125MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 25ppm ± 1570ppm - -
SIT3372AI-4E2-30NH135.000000 SiTime SIT3372AI-4E2-30NH135.000000 13.2900
RFQ
ECAD 5755 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 135 MHz HCSL 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 25ppm ± 170ppm - -
SIT3372AI-4E9-28NC75.000000 SiTime SIT3372AI-4E9-28NC75.000000 11.2200
RFQ
ECAD 6018 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 75MHz HCSL 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 35ppm - -
SIT8209AC-G3-33S-161.132800 SiTime SIT8209AC-G3-33S-161.132800 2.4400
RFQ
ECAD 6589 0.00000000 시민 SIT8209 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8209 161.1328 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 50ppm - - 70µA
SIT3373AC-1B9-33NE445.500000 SiTime SIT3373AC-1B9-33NE445.500000 10.9200
RFQ
ECAD 5413 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 445.5 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 60ppm -
SIT5356AI-FN-28N0-19.200000 SiTime SIT5356AI-FN-28N0-19.200000 77.2900
RFQ
ECAD 6664 0.00000000 시민 SIT5356, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO 19.2 MHz LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 250ppb - -
SIT3372AI-2B2-30NC160.000000 SiTime SIT3372AI-2B2-30NC160.000000 13.2900
RFQ
ECAD 6539 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 160MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 25ppm ± 50ppm - -
SIT1602BC-31-25S-10.000000 SiTime SIT1602BC-31-25S-10.000000 1.5700
RFQ
ECAD 8821 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.2MA MEMS ± 20ppm - -
SIT3372AC-2B9-28NH74.250000 SiTime SIT3372AC-2B9-28NH74.250000 10.9200
RFQ
ECAD 3704 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 74.25 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm ± 160ppm - -
SIT3373AI-2E9-28NE491.520000 SiTime SIT3373AI-2E9-28NE491.520000 11.2200
RFQ
ECAD 1898 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 491.52 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 60ppm -
SIT8208AI-32-33E-66.666667 SiTime SIT8208AI-32-33E-66.666667 3.1700
RFQ
ECAD 8481 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.666667 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 25ppm - -
SIT3372AI-4B2-33NC76.800000 SiTime SIT3372AI-4B2-33NC76.800000 11.1100
RFQ
ECAD 7581 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 76.8 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 25ppm ± 50ppm - -
SIT9003AC-44-33EO-33.80000X SiTime SIT9003AC-44-33EO-33.80000X 2.3118
RFQ
ECAD 3171 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) SIT9003 33.8 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 100ppm - - 4.3µA
SIT1602BC-31-28E-6.000000 SiTime SIT1602BC-31-28E-6.000000 1.5700
RFQ
ECAD 1265 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 6MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 20ppm - -
SIT8208AC-G3-18S-31.250000Y SiTime SIT8208AC-G3-18S-31.250000Y 1.2906
RFQ
ECAD 9118 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 31.25 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 50ppm - - 10µA
SIT8209AI-33-33E-148.351648 SiTime SIT8209AI-33-33E-148.351648 2.5000
RFQ
ECAD 5918 0.00000000 시민 SIT8209 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 148.351648 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 36MA MEMS ± 50ppm - -
SIT9375AI-01P1-3310-156.250000E SiTime SIT9375AI-01P1-3310-156.250000E 6.5742
RFQ
ECAD 3330 0.00000000 시민 SIT9375 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9375 156.25 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1473-SIT9375AI-01P1-3310-156.250000etr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42.5MA MEMS ± 20ppm - - -
SIT3372AI-1B3-30NY98.304000 SiTime SIT3372AI-1B3-30NY98.304000 10.1900
RFQ
ECAD 4775 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 98.304 MHz lvpecl 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 50ppm ± 745ppm - -
SIT9365AC-1E3-30E75.000000 SiTime SIT9365AC-1E3-30E75.000000 9.9000
RFQ
ECAD 1372 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 75MHz lvpecl 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ± 50ppm - -
SIT3373AI-4B3-25NE240.000000 SiTime SIT3373AI-4B3-25NE240.000000 8.6300
RFQ
ECAD 8515 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 240 MHz HCSL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm ± 45ppm -
SIT9365AC-2B3-25E200.000000 SiTime SIT9365AC-2B3-25E200.000000 9.8000
RFQ
ECAD 7613 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 200MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ± 50ppm - -
SIT3373AI-2B2-25NU307.695484 SiTime SIT3373AI-2B2-25NU307.695484 13.2900
RFQ
ECAD 1716 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 307.695484 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm ± 3170ppm -
SIT3373AC-2B2-28NX364.800000 SiTime SIT3373AC-2B2-28NX364.800000 13.0000
RFQ
ECAD 5949 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 364.8 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm ± 370ppm -
SIT1602BC-71-33S-20.000000 SiTime SIT1602BC-71-33S-20.000000 1.4800
RFQ
ECAD 4071 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 20ppm - -
SIT3907AI-22-33NZ-48.461000T SiTime SIT3907AI-22-33NZ-48.461000T 6.4718
RFQ
ECAD 8895 0.00000000 시민 SIT3907 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 DCXO SIT3907 48.461 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 34ma MEMS ± 25ppm - - -
SIT9501AI-01B3-1810-312.500000E SiTime SIT9501AI-01B3-1810-312.500000E 4.5441
RFQ
ECAD 7435 0.00000000 시민 SIT9501 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9501 312.5 MHz lvpecl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1473-SIT9501AI-01B3-1810-312.500000etr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35.5MA MEMS ± 50ppm - - -
SIT3372AI-1E9-28NZ122.880000 SiTime SIT3372AI-1E9-28NZ122.880000 11.2200
RFQ
ECAD 7841 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 122.88 MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 35ppm ± 1560ppm -
SIT1602BI-23-33E-24.576000 SiTime SIT1602BI-23-33E-24.576000 1.2900
RFQ
ECAD 8039 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고