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발진기(193576)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 평가 사이즈/치수 높이 - 자리에 앉다(최대) 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 그들 널리 전압 - 공급 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 기능 현재 - 공급(최대) 찹 공진기 안드로이드 절대 금지 범위(APR) 전개분류의 구분 현재 - 공급(비활성화)(최대)
SIT3372AC-2B2-25NB161.132810 SiTime SIT3372AC-2B2-25NB161.132810 13.0000
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 ECAD 9883 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 161.13281MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±25ppm ±20ppm - -
SIT3373AC-4B2-28NZ240.000000 SiTime SIT3373AC-4B2-28NZ240.000000 13.0000
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 ECAD 5155 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 240MHz HCSL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±1570ppm -
SIT1602BI-13-XXS-18.432000 SiTime SIT1602BI-13-XXS-18.432000 1.2900
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 ECAD 1256 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 18.432MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.5mA MEMS ±50ppm - -
SIT8208AC-82-33S-66.666660 SiTime SIT8208AC-82-33S-66.666660 3.2300
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 ECAD 7966 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 66.66666MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 33mA MEMS ±25ppm - -
SIT9120AI-2B1-XXS166.000000 SiTime SIT9120AI-2B1-XXS166.000000 5.5100
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 ECAD 8396 0.00000000 사이타임 SiT9120 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 166MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 55mA MEMS ±20ppm - -
SIT9365AC-2E3-28E61.440000 SiTime SIT9365AC-2E3-28E61.440000 9.9000
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 ECAD 2423 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 XO(표준) 61.44MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±50ppm - -
SIT1602BC-81-28E-25.000625 SiTime SIT1602BC-81-28E-25.000625 1.5700
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 ECAD 5383 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 25.000625MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±20ppm - -
SIT1602BI-11-33N-66.660000 SiTime SIT1602BI-11-33N-66.660000 1.5100
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 ECAD 3722 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 66.66MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA MEMS ±20ppm - -
SIT8209AI-81-33S-133.333300 SiTime SIT8209AI-81-33S-133.333300 3.5100
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 ECAD 3032 0.00000000 사이타임 SiT8209 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 133.3333MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 36mA MEMS ±20ppm - -
SIT8209AI-81-18S-148.351648 SiTime SIT8209AI-81-18S-148.351648 3.5100
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 ECAD 6010 0.00000000 사이타임 SiT8209 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 148.351648MHz LVCMOS, LVTTL 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 33mA MEMS ±20ppm - -
SIT3372AI-2E2-33NX14.400000 SiTime SIT3372AI-2E2-33NX14.400000 13.2900
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 ECAD 4694 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 14.4MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±25ppm ±370ppm - -
SIT1602BC-82-28E-26.000000 SiTime SIT1602BC-82-28E-26.000000 1.4700
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 ECAD 3195 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 26MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±25ppm - -
SIT3373AC-4E2-28NH256.000000 SiTime SIT3373AC-4E2-28NH256.000000 13.0100
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 ECAD 9774 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 256MHz HCSL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±170ppm -
SIT9365AC-4E2-30E122.880000 SiTime SIT9365AC-4E2-30E122.880000 13.0100
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 ECAD 8976 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 XO(표준) 122.88MHz HCSL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±25ppm - -
SIT3372AC-2E9-25NY96.000000 SiTime SIT3372AC-2E9-25NY96.000000 10.9200
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 ECAD 2798 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 96MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±35ppm ±760ppm - -
SIT3373AC-2B2-30NG245.760000 SiTime SIT3373AC-2B2-30NG245.760000 13.0000
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 ECAD 9272 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 245.76MHz LVDS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±120ppm -
SIT3372AI-1B2-30NH10.240000 SiTime SIT3372AI-1B2-30NH10.240000 11.1100
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 ECAD 8089 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 10.24MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±25ppm ±170ppm - -
SIT3372AC-2B2-30NZ148.350000 SiTime SIT3372AC-2B2-30NZ148.350000 13.0000
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 ECAD 8504 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 148.35MHz LVDS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±25ppm ±1570ppm - -
SIT1602BI-11-XXE-27.000000 SiTime SIT1602BI-11-XXE-27.000000 1.5100
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 ECAD 3684 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 27MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±20ppm - -
SIT3373AC-2B3-28NU644.531250 SiTime SIT3373AC-2B3-28NU644.531250 9.9000
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 ECAD 8560 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 644.53125MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm ±3145ppm -
SIT1602BI-22-28S-20.000000 SiTime SIT1602BI-22-28S-20.000000 1.4100
보상요청
 ECAD 9199 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 20MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.5mA MEMS ±25ppm - -
SIT3373AC-1B3-28NH364.800000 SiTime SIT3373AC-1B3-28NH364.800000 9.9000
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 ECAD 8511 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 364.8MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm ±145ppm -
SIT3372AI-1E9-28NE74.250000 SiTime SIT3372AI-1E9-28NE74.250000 11.2200
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 ECAD 7361 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 74.25MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±35ppm ±60ppm -
SIT3372AI-1E9-28NY133.650000 SiTime SIT3372AI-1E9-28NY133.650000 2000년 9월
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 ECAD 2212 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 133.65MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±35ppm ±760ppm -
SIT3372AC-2B9-33NY148.351648 SiTime SIT3372AC-2B9-33NY148.351648 10.9200
보상요청
 ECAD 6525 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 148.351648MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±35ppm ±760ppm - -
SIT9365AI-1B2-25N50.000000 SiTime SIT9365AI-1B2-25N50.000000 13.2900
보상요청
 ECAD 7891 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 50MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm - -
SIT3372AC-2B9-33NG200.000000 SiTime SIT3372AC-2B9-33NG200.000000 10.9200
보상요청
 ECAD 4433 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 200MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±35ppm ±110ppm - -
SIT3373AI-1E3-30NG222.527472 SiTime SIT3373AI-1E3-30NG222.527472 2000년 10월
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 ECAD 2841 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 222.527472MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm ±95ppm -
SIT8924BM-72-33E-20.000000 SiTime SIT8924BM-72-33E-20.000000 20.2100
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 ECAD 4019 0.00000000 사이타임 SiT8924B 조각 활동적인 -55°C ~ 125°C AEC-Q100 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8924 20MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.8mA MEMS ±25ppm - - 4.5mA
SIT9120AC-2D2-25S156.250000 SiTime SIT9120AC-2D2-25S156.250000 5.3500
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 ECAD 1911년 0.00000000 사이타임 SiT9120 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 156.25MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 55mA MEMS ±25ppm - -
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