SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
SIT8002AI-13-18E-25.00000 SiTime SIT8002AI-13-18E-25.00000 -
RFQ
ECAD 1586 0.00000000 시민 SIT8002 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q9259381 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 19ma MEMS ± 50ppm - - 50µA
CS00094AC-J5-DCC-32.7707 SiTime CS00094AC-J5-DCC-32.7707 -
RFQ
ECAD 3710 0.00000000 시민 CS00094 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.061 "L x 0.033"W (1.54mm x 0.84mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 4-UFBGA, CSPBGA TCXO CS00094 32.7707 KHZ LVCMOS - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q9620706A 귀 99 8542.39.0001 1 - - MEMS ± 20ppm - - -
SIT3907AC-CF-33NY-10.000000T SiTime SIT3907AC-CF-33NY-10.000000T 9.4696
RFQ
ECAD 8467 0.00000000 시민 SIT3907 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 DCXO SIT3907 10MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 34ma MEMS ± 10ppm - - -
SIT3907AI-22-25NE96.000000T SiTime SIT3907AI-22-25NE96.000000T 6.4718
RFQ
ECAD 7460 0.00000000 시민 SIT3907 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 DCXO SIT3907 96 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 34ma MEMS ± 25ppm - - -
SIT3907AI-C2-25NZ-125.000000T SiTime SIT3907AI-C2-25NZ-125.000000T 11.4979
RFQ
ECAD 9314 0.00000000 시민 SIT3907 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 DCXO SIT3907 125MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 34ma MEMS ± 25ppm - - -
SIT3907AI-DF-33NB-50.000000T SiTime SIT3907AI-DF-33NB-50.000000T 10.2290
RFQ
ECAD 4731 0.00000000 시민 SIT3907 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 DCXO SIT3907 50MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 34ma MEMS ± 10ppm - - -
SIT3922AC-2CF-33EM300.000000T SiTime SIT3922AC-2CF-33M300.000000T 37.3876
RFQ
ECAD 1179 0.00000000 시민 SIT3922 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 DCXO SIT3922 300MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 55MA MEMS ± 10ppm - - -
SIT5000AI-2E-33E0-26.000000T SiTime SIT5000AI-2E-33E0-26.000000T 2.0048
RFQ
ECAD 1049 0.00000000 시민 SIT5000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5000 26 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 5ppm - - 31MA
SIT5000AI-2E-33N0-25.000000T SiTime SIT5000AI-2E-33N0-25.000000T 2.0048
RFQ
ECAD 3915 0.00000000 시민 SIT5000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5000 25MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5000AI-GE-18S0-12.000000T SiTime SIT5000AI-GE-18S0-12.000000T 2.0048
RFQ
ECAD 5925 0.00000000 시민 SIT5000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5000 12MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 5ppm - - 10µA
SIT5000AI-GE-33N0-10.000000T SiTime SIT5000AI-GE-33N0-10.000000T 2.0048
RFQ
ECAD 4560 0.00000000 시민 SIT5000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5000 10MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AC-2E-33VB-4.096000T SiTime SIT5001AC-2E-33VB-4.096000T 3.9142
RFQ
ECAD 6076 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5001 4.096 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AC-3E-33N0-48.000000T SiTime SIT5001AC-3E-33N0-48.000000T 4.1270
RFQ
ECAD 5679 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 48MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AC-8E-33E0-19.440000T SiTime SIT5001AC-8E-33E0-19.440000T 4.1270
RFQ
ECAD 6304 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 19.44 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 5ppm - - 31MA
SIT5001AC-8E-33E0-38.880000T SiTime SIT5001AC-8E-33E0-38.880000T 4.1270
RFQ
ECAD 8696 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 38.88 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 5ppm - - 31MA
SIT5001AC-8E-33E0-65.016000T SiTime SIT5001AC-8E-33E0-65.016000T 4.1270
RFQ
ECAD 4530 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 65.016 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 5ppm - - 31MA
SIT5001AC-GE-33N0-32.768000T SiTime SIT5001AC-GE-33N0-32.768000T 3.9142
RFQ
ECAD 6545 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 32.768 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AC-GE-33VB-40.000000T SiTime SIT5001AC-GE-33VB-40.000000T 3.9142
RFQ
ECAD 4041 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5001 40MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AI-2E-33E0-27.000000T SiTime SIT5001AI-2E-33E0-27.000000T 4.4967
RFQ
ECAD 1373 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 27 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 5ppm - - 31MA
SIT5001AI-2E-33E0-48.000000T SiTime SIT5001AI-2E-33E0-48.000000T 4.4967
RFQ
ECAD 4016 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 48MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 5ppm - - 31MA
SIT5001AI-2E-33N0-60.000000T SiTime SIT5001AI-2E-33N0-60.000000T 4.4967
RFQ
ECAD 2566 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 60MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AI-2E-33N0-62.000000T SiTime SIT5001AI-2E-33N0-62.000000T 4.4967
RFQ
ECAD 4270 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 62 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AI-2E-33VB-50.000000T SiTime SIT5001AI-2E-33VB-50.000000T 4.4967
RFQ
ECAD 8814 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5001 50MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AI-2E-33VB-51.200000T SiTime SIT5001AI-2E-33VB-51.200000T 4.4967
RFQ
ECAD 4801 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5001 51.2 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AI-3E-33VB-39.000000T SiTime SIT5001AI-3E-33VB-39.000000T 4.7441
RFQ
ECAD 5058 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5001 39MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AI-8E-33N0-10.000000T SiTime SIT5001AI-8E-33N0-10.000000T 4.7441
RFQ
ECAD 4314 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 10MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AI-GE-33N0-50.000000T SiTime SIT5001AI-GE-33N0-50.000000T 4.4967
RFQ
ECAD 2861 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 50MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AI-GE-33N0-60.000000T SiTime SIT5001AI-GE-33N0-60.000000T 4.4967
RFQ
ECAD 1436 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 60MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AI-GE-33VB-27.000000T SiTime SIT5001AI-GE-33VB-27.000000T 4.4967
RFQ
ECAD 3563 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 27 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT9003AI-13-18DO-25.00000Y SiTime SIT9003AI-13-18DO-25.00000Y 2.1840
RFQ
ECAD 3153 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 25MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3.5MA MEMS ± 50ppm - -0.50%, 50 스프레드 0.8µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고