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발진기(193576)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 평가 사이즈/치수 높이 - 자리에 앉다(최대) 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 그들 널리 전압 - 공급 데이터시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 기능 현재 - 공급(최대) 찹 공진기 안드로이드 절대 금지 범위(APR) 전개분류의 구분 현재 - 공급(비활성화)(최대)
SIT8208AI-G3-33S-66.666660T SiTime SIT8208AI-G3-33S-66.666660T 1.3174
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 ECAD 7891 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8208 66.66666MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 3,000 전원 처리기 33mA MEMS ±50ppm - - 70μA
SIT8208AI-GF-18E-40.000000Y SiTime SIT8208AI-GF-18E-40.000000Y 3.8969
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 ECAD 2586 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 40MHz LVCMOS, LVTTL 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 31mA MEMS ±10ppm - - 30mA
SIT1602BI-72-33E-66.600000 SiTime SIT1602BI-72-33E-66.600000 1.4100
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 ECAD 5990 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 66.6MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±25ppm - -
SIT3372AC-4B3-30NC148.425787 SiTime SIT3372AC-4B3-30NC148.425787 9.9000
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 ECAD 9725 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 148.425787MHz HCSL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±50ppm - - -
SIT1602BC-71-XXN-66.000000 SiTime SIT1602BC-71-XXN-66.000000 1.4800
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 ECAD 3378 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 66MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA MEMS ±20ppm - -
SIT9003AC-33-33DQ-12.00000 SiTime SIT9003AC-33-33DQ-12.00000 3.0200
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 ECAD 2216 0.00000000 사이타임 SiT9003 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT9003 12MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 4.1mA MEMS ±50ppm - -1.00%, 자신감 있는
SIT5356AI-FP-25E0-20.000000 SiTime SIT5356AI-FP-25E0-20.000000 85.5200
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 ECAD 6012 0.00000000 사이타임 SiT5356, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 TCXO 20MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±200ppb - -
SIT3373AI-2B9-28NG270.000000 SiTime SIT3373AI-2B9-28NG270.000000 11.2100
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 ECAD 7460 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 270MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±110ppm -
SIT9365AC-2B3-30E161.132813 SiTime SIT9365AC-2B3-30E161.132813 9.9000
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 ECAD 4324 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 161.132813MHz LVDS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±50ppm - -
SIT3373AI-2B3-25NX614.400000 SiTime SIT3373AI-2B3-25NX614.400000 10.1900
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 ECAD 4296 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 614.4MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm ±345ppm -
SIT8208AI-2F-33S-33.333000Y SiTime SIT8208AI-2F-33S-33.333000Y 3.8969
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 ECAD 5036 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 33.333MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1,000 전원 처리기 33mA MEMS ±10ppm - - 70μA
SIT5156AE-FK-33VT-40.000000 SiTime SIT5156AE-FK-33VT-40.000000 60.4700
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 ECAD 4784 0.00000000 사이타임 SiT5156, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 105°C - 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.042"(1.06mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 VCTCXO SIT5156 40MHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 57mA MEMS ±500ppb ±6.25ppm - -
SIT8208AI-83-25E-27.000000 SiTime SIT8208AI-83-25E-27.000000 2.6600
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 ECAD 2227 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 27MHz LVCMOS, LVTTL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 33mA MEMS ±50ppm - -
SIT3372AC-2B2-28NC80.000000 SiTime SIT3372AC-2B2-28NC80.000000 13.0000
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 ECAD 6678 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 80MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±25ppm - - -
SIT1602BC-82-XXS-4.000000 SiTime SIT1602BC-82-XXS-4.000000 1.4700
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 ECAD 6681 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 4MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.5mA MEMS ±25ppm - -
SIT3372AC-2E3-28NX25.000000 SiTime SIT3372AC-2E3-28NX25.000000 9.9000
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 ECAD 7897 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 25MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±50ppm ±345ppm - -
SIT8208AI-2F-28E-33.333300X SiTime SIT8208AI-2F-28E-33.333300X 4.6880
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 ECAD 6451 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 33.3333MHz LVCMOS, LVTTL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33mA MEMS ±10ppm - - 31mA
SIT3372AI-4B3-25NY173.370750 SiTime SIT3372AI-4B3-25NY173.370750 8.5400
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 ECAD 3962 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 173.37075MHz HCSL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±50ppm ±745ppm - -
SIT8208AC-2F-18E-4.096000Y SiTime SIT8208AC-2F-18E-4.096000Y 3.6149
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 ECAD 1974년 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 4.096MHz LVCMOS, LVTTL 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 31mA MEMS ±10ppm - - 30mA
SIT3372AC-2B3-28NZ160.000000 SiTime SIT3372AC-2B3-28NZ160.000000 9.9000
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 ECAD 6038 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 160MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±50ppm ±1545ppm - -
SIT3372AC-1B2-30NH160.000000 SiTime SIT3372AC-1B2-30NH160.000000 13.0000
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 ECAD 2962 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 160MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±25ppm ±170ppm - -
SIT8208AC-GF-28S-16.368000T SiTime SIT8208AC-GF-28S-16.368000T 3.6149
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 ECAD 8114 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 16.368MHz LVCMOS, LVTTL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 3,000 전원 처리기 33mA MEMS ±10ppm - - 70μA
SIT3372AC-1E2-30NG200.000000 SiTime SIT3372AC-1E2-30NG200.000000 13.0100
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 ECAD 7016 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 200MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±25ppm ±120ppm - -
SIT1602BI-73-18E-48.000000 SiTime SIT1602BI-73-18E-48.000000 1.2900
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 ECAD 2083 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 48MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.1mA MEMS ±50ppm - -
SIT9365AI-2B1-25E106.250000 SiTime SIT9365AI-2B1-25E106.250000 14.0000
보상요청
 ECAD 9428 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 106.25MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±20ppm - -
SIT3373AI-1E3-33NX307.695484 SiTime SIT3373AI-1E3-33NX307.695484 8.5500
보상요청
 ECAD 8938 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 307.695484MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm ±345ppm -
SIT3373AI-4E2-25NC270.000000 SiTime SIT3373AI-4E2-25NC270.000000 13.2900
보상요청
 ECAD 2623 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 270MHz HCSL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm - -
SIT3373AI-4E9-33NY240.000000 SiTime SIT3373AI-4E9-33NY240.000000 11.2200
보상요청
 ECAD 5201 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 240MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±760ppm -
SIT9001AC-34-33D5-66.66667T SiTime SIT9001AC-34-33D5-66.66667T -
보상요청
 ECAD 7066 0.00000000 사이타임 SiT9001 조각 더 이상 사용하지 않는 경우 -20°C ~ 70°C - 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT9001 66.66667MHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 1473-SIT9001AC-34-33D5-66.66667T EAR99 8542.39.0001 1 - 34mA MEMS ±100ppm - -1.00%, 자신감 있는
SIT1602BC-71-28E-65.000000 SiTime SIT1602BC-71-28E-65.000000 1.4800
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 ECAD 6035 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 65MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±20ppm - -
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