| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 평가 | 사이즈/치수 | 높이 - 자리에 앉다(최대) | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 그들 | 널리 | 전압 - 공급 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 기능 | 현재 - 공급(최대) | 찹 공진기 | 안드로이드 | 절대 금지 범위(APR) | 전개분류의 구분 | 현재 - 공급(비활성화)(최대) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIT8208AC-2F-28E-30.000000Y | 3.6149 | ![]() | 3429 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 30MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | |||
![]() | SIT8208AC-2F-28E-37.500000X | 4.3488 | ![]() | 3387 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 37.5MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | |||
![]() | SIT8208AC-2F-28S-12.288000X | 4.3488 | ![]() | 8910 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 12.288MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | |||
![]() | SIT8208AC-2F-28S-16.369000Y | 3.6149 | ![]() | 3002 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 16.369MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | |||
![]() | SIT8208AC-2F-28S-33.000000X | 4.3488 | ![]() | 8401 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 33MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | |||
![]() | SIT8208AC-2F-28S-38.400000Y | 3.6149 | ![]() | 9347 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 38.4MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | |||
![]() | SIT8208AC-2F-28S-65.000000T | 3.6149 | ![]() | 5859 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 65MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | |||
![]() | SIT8208AC-2F-18E-16.369000X | 4.3488 | ![]() | 4446 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 16.369MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 30mA | |||
![]() | SIT8208AC-2F-18E-18.432000X | 4.3488 | ![]() | 5415 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 18.432MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 30mA | |||
![]() | SIT8208AC-2F-18E-19.440000X | 4.3488 | ![]() | 9108 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 19.44MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 30mA | |||
![]() | SIT8208AC-G2-18S-33.333330Y | 1.5196 | ![]() | 8170 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 33.33333MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 31mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 10μA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-18S-74.175824T | 1.4148 | ![]() | 2003년 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 74.175824MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1473-SIT8208AC-G2-18S-74.175824TTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 31mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 10μA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-18S-74.175824Y | 1.5196 | ![]() | 5314 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 74.175824MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 31mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 10μA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-18S-74.176000Y | 1.5196 | ![]() | 5689 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 74.176MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 31mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 10μA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-25E-16.369000Y | 1.5196 | ![]() | 3213 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 16.369MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-25E-20.000000X | 1.8340 | ![]() | 8592 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 20MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-25E-25.000000Y | 1.5196 | ![]() | 3095 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 25MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-25E-28.636300Y | 1.5196 | ![]() | 8913 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 28.6363MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-25E-33.300000X | 1.8340 | ![]() | 4056 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 33.3MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-25E-38.000000X | 1.8340 | ![]() | 1542 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 38MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-25E-66.600000X | 1.8340 | ![]() | 6152 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 66.6MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-8F-28E-14.000000T | 3.7918 | ![]() | 1557 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) | 0.039"(1.00mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 14MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | |||
![]() | SIT8208AC-8F-28E-31.250000Y | 3.7918 | ![]() | 4925 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) | 0.039"(1.00mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 31.25MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | |||
![]() | SIT8208AC-8F-28E-33.600000Y | 3.7918 | ![]() | 5672 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) | 0.039"(1.00mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 33.6MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | |||
![]() | SIT8208AC-8F-28E-35.840000Y | 3.7918 | ![]() | 5879 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) | 0.039"(1.00mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 35.84MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | |||
![]() | SIT8208AC-8F-28S-19.200000T | 3.7918 | ![]() | 9868 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) | 0.039"(1.00mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 19.2MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | |||
![]() | SIT8208AC-8F-28S-33.300000Y | 3.7918 | ![]() | 5926 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) | 0.039"(1.00mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 33.3MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | |||
![]() | SIT8208AC-8F-28S-33.333000T | 3.7918 | ![]() | 3577 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) | 0.039"(1.00mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 33.333MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | |||
![]() | SIT8208AC-8F-28S-33.600000X | 4.5616 | ![]() | 2608 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) | 0.039"(1.00mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 33.6MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | |||
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