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발진기(193576)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 평가 사이즈/치수 높이 - 자리에 앉다(최대) 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 그들 널리 전압 - 공급 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 기능 현재 - 공급(최대) 찹 공진기 안드로이드 절대 금지 범위(APR) 전개분류의 구분 현재 - 공급(비활성화)(최대)
SIT3372AI-2E9-30NZ100.000000 SiTime SIT3372AI-2E9-30NZ100.000000 11.2200
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 ECAD 7187 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 100MHz LVDS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±35ppm ±1560ppm - -
SIT1602BC-33-28E-28.636300 SiTime SIT1602BC-33-28E-28.636300 1.1500
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 ECAD 4532 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 28.6363MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±50ppm - -
SIT8208AC-23-33S-38.400000 SiTime SIT8208AC-23-33S-38.400000 2.4400
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 ECAD 2439 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 38.4MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 33mA MEMS ±50ppm - -
SIT3372AC-2E2-28NC140.000000 SiTime SIT3372AC-2E2-28NC140.000000 13.0100
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 ECAD 4114 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 140MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±25ppm - - -
SIT5156AI-FA-25N0-16.368000 SiTime SIT5156AI-FA-25N0-16.368000 44.2900
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 ECAD 3331 0.00000000 사이타임 SiT5156, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.042"(1.06mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 TCXO SIT5156 16.368MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 53mA MEMS ±1ppm - - -
SIT1602BC-71-18S-66.000000 SiTime SIT1602BC-71-18S-66.000000 1.4800
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 ECAD 4293 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 66MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.1mA MEMS ±20ppm - -
SIT3373AI-1B2-28NH281.000000 SiTime SIT3373AI-1B2-28NH281.000000 11.0000
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 ECAD 1537 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 281MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±170ppm -
SIT3372AI-1E9-28NC148.350000 SiTime SIT3372AI-1E9-28NC148.350000 9.2900
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 ECAD 8409 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 148.35MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±35ppm - -
SIT3372AC-4B3-28NE122.880000 SiTime SIT3372AC-4B3-28NE122.880000 9.9000
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 ECAD 6922 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 122.88MHz HCSL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±50ppm ±45ppm - -
SIT1602BC-12-33S-32.768000 SiTime SIT1602BC-12-33S-32.768000 1.3800
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 ECAD 6726 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 32.768MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.5mA MEMS ±25ppm - -
SIT5156AICFD-25E0-16.369000 SiTime SIT5156AICFD-25E0-16.369000 40.0200
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 ECAD 5735 0.00000000 사이타임 SiT5156, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.042"(1.06mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 TCXO SIT5156 16.369MHz 잘린 사인파 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 53mA MEMS ±2.5ppm - - 51mA
SIT8208AI-G2-18E-16.368000T SiTime SIT8208AI-G2-18E-16.368000T 1.5215
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 ECAD 6280 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8208 16.368MHz LVCMOS, LVTTL 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31mA MEMS ±25ppm - - 30mA
SIT3372AI-1B9-25NZ200.000000 SiTime SIT3372AI-1B9-25NZ200.000000 11.2100
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 ECAD 8127 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 200MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±35ppm ±1560ppm - -
SIT5021AI-2BE-33V-48.004800G SiTime SIT5021AI-2BE-33V-48.004800G 10.2662
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 ECAD 2749 0.00000000 사이타임 SiT5021 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCTCXO SIT5021 48.0048MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 1473-SIT5021AI-2BE-33V-48.004800GTR EAR99 8542.39.0001 250 - 55mA MEMS ±5ppm - - -
SIT3372AI-2B2-33NX204.800000 SiTime SIT3372AI-2B2-33NX204.800000 13.2900
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 ECAD 2646 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 204.8MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±25ppm ±370ppm - -
SIT3373AI-1E2-33NB240.000000 SiTime SIT3373AI-1E2-33NB240.000000 11.0100
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 ECAD 8413 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 240MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±20ppm -
SIT1602AI-22-33E-25.000625G SiTime SIT1602AI-22-33E-25.000625G -
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 ECAD 1232 0.00000000 사이타임 SiT1602 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 25.000625MHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±25ppm - - 4mA
SIT1602BC-22-18E-30.000000 SiTime SIT1602BC-22-18E-30.000000 1.3800
보상요청
 ECAD 2761 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 30MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.1mA MEMS ±25ppm - -
SIT1602BC-72-18E-40.000000 SiTime SIT1602BC-72-18E-40.000000 1.3800
보상요청
 ECAD 9006 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 40MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.1mA MEMS ±25ppm - -
SIT8209AI-81-33S-166.000000 SiTime SIT8209AI-81-33S-166.000000 3.5100
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 ECAD 5442 0.00000000 사이타임 SiT8209 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 166MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 36mA MEMS ±20ppm - -
SIT8209AI-G2-18S-156.253906 SiTime SIT8209AI-G2-18S-156.253906 3.1600
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 ECAD 3614 0.00000000 사이타임 SiT8209 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8209 156.253906MHz LVCMOS, LVTTL 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 31mA MEMS ±25ppm - - 70μA
SIT8208AC-21-25E-54.000000 SiTime SIT8208AC-21-25E-54.000000 3.2400
보상요청
 ECAD 2858 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 54MHz LVCMOS, LVTTL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 33mA MEMS ±20ppm - -
SIT1618AE-23-XXS-48.000000 SiTime SIT1618AE-23-XXS-48.000000 3.3100
보상요청
 ECAD 9060 0.00000000 사이타임 SiT1618 조각 활동적인 -40°C ~ 105°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 48MHz LVCMOS, LVTTL 2.5V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.7mA MEMS ±50ppm - -
SIT1602BC-11-25E-38.000000 SiTime SIT1602BC-11-25E-38.000000 1.4800
보상요청
 ECAD 4723 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 38MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.2mA MEMS ±20ppm - -
SIT9365AC-2B2-30E30.720000 SiTime SIT9365AC-2B2-30E30.720000 13.0000
보상요청
 ECAD 1811년 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 30.72MHz LVDS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±25ppm - -
SIT3373AC-2B2-28NX281.000000 SiTime SIT3373AC-2B2-28NX281.000000 13.0000
보상요청
 ECAD 9898 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 281MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±370ppm -
SIT1602BC-11-XXE-28.636300 SiTime SIT1602BC-11-XXE-28.636300 1.4800
보상요청
 ECAD 5967 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 28.6363MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±20ppm - -
SIT9122AI-2B2-XXE250.000000 SiTime SIT9122AI-2B2-XXE250.000000 5.4500
보상요청
 ECAD 8840 0.00000000 사이타임 SiT9122 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 250MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55mA MEMS ±25ppm - -
SIT9120AC-2B2-33E200.000000 SiTime SIT9120AC-2B2-33E200.000000 5.3500
보상요청
 ECAD 5046 0.00000000 사이타임 SiT9120 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 200MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55mA MEMS ±25ppm - -
SIT3372AC-1E3-33NY80.000000 SiTime SIT3372AC-1E3-33NY80.000000 9.9000
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 ECAD 5566 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 80MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±50ppm ±745ppm - -
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