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발진기(193576)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 평가 사이즈/치수 높이 - 자리에 앉다(최대) 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 그들 널리 전압 - 공급 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 기능 현재 - 공급(최대) 찹 공진기 안드로이드 절대 금지 범위(APR) 전개분류의 구분 현재 - 공급(비활성화)(최대)
SIT1602BC-33-18E-33.300000 SiTime SIT1602BC-33-18E-33.300000 1.1500
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 ECAD 9623 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 33.3MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.1mA MEMS ±50ppm - -
SIT5156AI-FA-33N0-16.367667 SiTime SIT5156AI-FA-33N0-16.367667 44.2900
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 ECAD 1663년 0.00000000 사이타임 SiT5156, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.042"(1.06mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 TCXO SIT5156 16.367667MHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 53mA MEMS ±1ppm - - -
SIT1602BI-83-XXS-24.000000 SiTime SIT1602BI-83-XXS-24.000000 1.1800
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 ECAD 8198 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 24MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.5mA MEMS ±50ppm - -
SIT3373AC-2B9-28NE250.000000 SiTime SIT3373AC-2B9-28NE250.000000 10.9200
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 ECAD 5525 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 250MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±60ppm -
SIT3372AI-2B2-30NG135.000000 SiTime SIT3372AI-2B2-30NG135.000000 13.2900
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 ECAD 4004 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 135MHz LVDS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±25ppm ±120ppm - -
SIT3372AI-4B3-28NG133.650000 SiTime SIT3372AI-4B3-28NG133.650000 10.1900
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 ECAD 4174 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 133.65MHz HCSL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±50ppm ±95ppm - -
SIT3373AC-2E2-30NG622.000000 SiTime SIT3373AC-2E2-30NG622.000000 13.0100
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 ECAD 1484 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 622MHz LVDS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±120ppm -
SIT8208AC-2F-18S-33.300000Y SiTime SIT8208AC-2F-18S-33.300000Y 3.6149
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 ECAD 9967 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 33.3MHz LVCMOS, LVTTL 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1,000 전원 처리기 31mA MEMS ±10ppm - - 10μA
SIT3372AC-2E3-30NC75.000000 SiTime SIT3372AC-2E3-30NC75.000000 9.9000
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 ECAD 7832 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 75MHz LVDS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±50ppm - - -
SIT8208AC-G3-33E-72.000000T SiTime SIT8208AC-G3-33E-72.000000T 1.2250
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 ECAD 2885 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8208 72MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33mA MEMS ±50ppm - - 31mA
SIT8208AC-2F-33S-16.000000X SiTime SIT8208AC-2F-33S-16.000000X 4.3488
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 ECAD 6757 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 16MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 250 전원 처리기 33mA MEMS ±10ppm - - 70μA
SIT5002AI-2E-33VM-121.500000T SiTime SIT5002AI-2E-33VM-121.500000T 5.3958
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 ECAD 4015 0.00000000 사이타임 SiT5002 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 VCTCXO SIT5002 121.5MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 3,000 - 33mA MEMS ±5ppm - - -
SIT1602BI-81-18E-4.096000 SiTime SIT1602BI-81-18E-4.096000 1.6000
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 ECAD 6478 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 4.096MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.1mA MEMS ±20ppm - -
SIT1602BI-72-30E-19.200000 SiTime SIT1602BI-72-30E-19.200000 1.4100
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 ECAD 1106 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 19.2MHz HCMOS, LVCMOS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±25ppm - -
SIT3372AI-4B2-25NZ90.000000 SiTime SIT3372AI-4B2-25NZ90.000000 11.1100
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 ECAD 4847 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 90MHz HCSL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±25ppm ±1570ppm - -
SIT5356AI-FN-28VT-38.880000 SiTime SIT5356AI-FN-28VT-38.880000 77.2900
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 ECAD 2801 0.00000000 사이타임 SiT5356, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 VCTCXO 38.88MHz LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±250ppb ±6.25ppm -
SIT3373AC-2B2-25NX312.500000 SiTime SIT3373AC-2B2-25NX312.500000 13.0000
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 ECAD 7787 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 312.5MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±370ppm -
SIT1602BI-23-25S-66.666600 SiTime SIT1602BI-23-25S-66.666600 1.2900
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 ECAD 9017 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 66.6666MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.2mA MEMS ±50ppm - -
SIT3372AI-2E9-33NE90.000000 SiTime SIT3372AI-2E9-33NE90.000000 11.2200
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 ECAD 5486 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 90MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±35ppm ±60ppm - -
SIT5356AI-FP-25VT-16.384000 SiTime SIT5356AI-FP-25VT-16.384000 85.5200
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 ECAD 1964년 0.00000000 사이타임 SiT5356, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 VCTCXO 16.384MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±200ppb ±6.25ppm -
SIT3373AC-4E9-28NB222.750000 SiTime SIT3373AC-4E9-28NB222.750000 10.9200
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 ECAD 8538 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 222.75MHz HCSL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±10ppm -
SIT8208AI-GF-25E-4.096000T SiTime SIT8208AI-GF-25E-4.096000T 3.8969
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 ECAD 4313 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 4.096MHz LVCMOS, LVTTL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33mA MEMS ±10ppm - - 31mA
SIT9120AC-1D1-XXS166.666000 SiTime SIT9120AC-1D1-XXS166.666000 5.7200
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 ECAD 9454 0.00000000 사이타임 SiT9120 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 166.666MHz LVPECL 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 69mA MEMS ±20ppm - -
SIT3372AC-4E9-33NZ74.175820 SiTime SIT3372AC-4E9-33NZ74.175820 10.9200
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 ECAD 6939 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 74.17582MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±35ppm ±1560ppm - -
SIT3373AI-1E2-30NY223.000000 SiTime SIT3373AI-1E2-30NY223.000000 13.2900
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 ECAD 8619 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 223MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±770ppm -
SIT9365AI-4B2-33E98.304000 SiTime SIT9365AI-4B2-33E98.304000 13.1600
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 ECAD 1935년 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 98.304MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±25ppm - -
SIT9365AI-2B2-28N156.250000 SiTime SIT9365AI-2B2-28N156.250000 13.2900
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 ECAD 1711 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 156.25MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm - -
SIT8256AI-8F-33E-156.250000T SiTime SIT8256AI-8F-33E-156.250000T 7.6010
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 ECAD 7727 0.00000000 사이타임 SiT8256 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8256 156.25MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33mA MEMS ±10ppm - - 31mA
SIT8208AC-G1-33S-25.000000T SiTime SIT8208AC-G1-33S-25.000000T 1.7361
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 ECAD 1888년 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8208 25MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 3,000 전원 처리기 33mA MEMS ±20ppm - - 70μA
SIT3372AC-1E3-33NU125.000000 SiTime SIT3372AC-1E3-33NU125.000000 9.9000
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 ECAD 3098 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 125MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±50ppm ±3145ppm - -
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