SIC
close

발진기(193576)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 평가 사이즈/치수 높이 - 자리에 앉다(최대) 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 그들 널리 전압 - 공급 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 기능 현재 - 공급(최대) 찹 공진기 안드로이드 절대 금지 범위(APR) 전개분류의 구분 현재 - 공급(비활성화)(최대)
SIT3372AI-2E2-30NY100.000000 SiTime SIT3372AI-2E2-30NY100.000000 13.2900
보상요청
 ECAD 4846 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 100MHz LVDS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±25ppm ±770ppm - -
SIT3373AI-4B2-30NZ280.550000 SiTime SIT3373AI-4B2-30NZ280.550000 11.0000
보상요청
 ECAD 4917 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 280.55MHz HCSL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±1570ppm -
SIT8208AI-8F-28E-60.000000Y SiTime SIT8208AI-8F-28E-60.000000Y 4.1097
보상요청
 ECAD 4404 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 60MHz LVCMOS, LVTTL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33mA MEMS ±10ppm - - 31mA
SIT3373AI-2E9-25NY540.000000 SiTime SIT3373AI-2E9-25NY540.000000 11.2200
보상요청
 ECAD 2333 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 540MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±760ppm -
SIT3373AI-2E3-33NC622.000000 SiTime SIT3373AI-2E3-33NC622.000000 2000년 10월
보상요청
 ECAD 9928 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 622MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm - -
SIT5002AI-2E-33S0-98.304000Y SiTime SIT5002AI-2E-33S0-98.304000Y 5.3958
보상요청
 ECAD 3766 0.00000000 사이타임 SiT5002 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 TCXO SIT5002 98.304MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1,000 전원 처리기 33mA MEMS ±5ppm - - 70μA
SIT8208AC-21-25S-28.636300 SiTime SIT8208AC-21-25S-28.636300 3.2400
보상요청
 ECAD 1821년 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 28.6363MHz LVCMOS, LVTTL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 33mA MEMS ±20ppm - -
SIT1602BI-22-28S-6.000000 SiTime SIT1602BI-22-28S-6.000000 1.4100
보상요청
 ECAD 5619 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 6MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.5mA MEMS ±25ppm - -
SIT1602BI-73-33E-54.000000 SiTime SIT1602BI-73-33E-54.000000 1.2900
보상요청
 ECAD 8740 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 54MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±50ppm - -
SIT3372AI-4E2-33NE30.720000 SiTime SIT3372AI-4E2-33NE30.720000 13.2900
보상요청
 ECAD 9978 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 30.72MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±25ppm ±70ppm - -
SIT5156AE-FD-28VT-16.369000 SiTime SIT5156AE-FD-28VT-16.369000 48.9100
보상요청
 ECAD 4144 0.00000000 사이타임 SiT5156, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 105°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.042"(1.06mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 VCTCXO SIT5156 16.369MHz LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 57mA MEMS ±2.5ppm ±6.25ppm - -
SIT3372AI-1B2-28NC122.880000 SiTime SIT3372AI-1B2-28NC122.880000 13.2900
보상요청
 ECAD 3090 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 122.88MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±25ppm ±50ppm - -
SIT9121AI-2C1-25E161.132812 SiTime SIT9121AI-2C1-25E161.132812 5.5200
보상요청
 ECAD 2442 0.00000000 사이타임 SiT9121 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 161.132812MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55mA MEMS ±20ppm - - 35mA
SIT1602BC-83-18S-19.200000 SiTime SIT1602BC-83-18S-19.200000 1.1600
보상요청
 ECAD 2294 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 19.2MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.1mA MEMS ±50ppm - -
SIT3372AC-2B3-28NG156.250000 SiTime SIT3372AC-2B3-28NG156.250000 9.9000
보상요청
 ECAD 3704 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 156.25MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±50ppm ±95ppm - -
SIT8208AI-8F-33E-12.000000T SiTime SIT8208AI-8F-33E-12.000000T 4.1097
보상요청
 ECAD 8507 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 12MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33mA MEMS ±10ppm - - 31mA
SIT1602BC-32-XXN-38.000000 SiTime SIT1602BC-32-XXN-38.000000 1.4700
보상요청
 ECAD 2147 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 38MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA MEMS ±25ppm - -
SIT3373AI-1E3-33NZ222.750000 SiTime SIT3373AI-1E3-33NZ222.750000 8.6300
보상요청
 ECAD 1353 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 222.75MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm ±1545ppm -
SIT8208AC-G2-33S-60.000000X SiTime SIT8208AC-G2-33S-60.000000X 1.8340
보상요청
 ECAD 9418 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8208 60MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 250 전원 처리기 33mA MEMS ±25ppm - - 70μA
SIT3372AI-1B2-25NY61.440000 SiTime SIT3372AI-1B2-25NY61.440000 13.2900
보상요청
 ECAD 4389 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 61.44MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±25ppm ±770ppm - -
SIT3372AC-4B3-30NZ200.000000 SiTime SIT3372AC-4B3-30NZ200.000000 9.9000
보상요청
 ECAD 1944년 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 200MHz HCSL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±50ppm ±1545ppm - -
SIT9365AI-1B1-30E166.666666 SiTime SIT9365AI-1B1-30E166.666666 14.0000
보상요청
 ECAD 4325 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 166.666666MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±20ppm - -
SIT8208AI-8F-18S-38.000000X SiTime SIT8208AI-8F-18S-38.000000X 4.8668
보상요청
 ECAD 7622 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 38MHz LVCMOS, LVTTL 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 250 전원 처리기 31mA MEMS ±10ppm - - 10μA
SIT9120AI-1D2-25E133.000000 SiTime SIT9120AI-1D2-25E133.000000 5.4600
보상요청
 ECAD 1015 0.00000000 사이타임 SiT9120 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 133MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 69mA MEMS ±25ppm - -
SIT3372AC-4B9-33NY128.000000 SiTime SIT3372AC-4B9-33NY128.000000 10.9200
보상요청
 ECAD 3138 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 128MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±35ppm ±760ppm - -
SIT5021AI-2CE-25N-50.000000Y SiTime SIT5021AI-2CE-25N-50.000000Y 9.7529
보상요청
 ECAD 9367 0.00000000 사이타임 SiT5021 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 TCXO SIT5021 50MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1,000 - 55mA MEMS ±5ppm - - -
SIT1602BC-82-XXN-30.000000 SiTime SIT1602BC-82-XXN-30.000000 1.4700
보상요청
 ECAD 3380 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 30MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA MEMS ±25ppm - -
SIT3372AI-4E2-30NU148.500000 SiTime SIT3372AI-4E2-30NU148.500000 13.2900
보상요청
 ECAD 4727 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 148.5MHz HCSL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±25ppm ±3170ppm - -
SIT1602BC-33-18E-33.300000 SiTime SIT1602BC-33-18E-33.300000 1.1500
보상요청
 ECAD 9623 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 33.3MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.1mA MEMS ±50ppm - -
SIT5156AI-FA-33N0-16.367667 SiTime SIT5156AI-FA-33N0-16.367667 44.2900
보상요청
 ECAD 1663년 0.00000000 사이타임 SiT5156, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.042"(1.06mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 TCXO SIT5156 16.367667MHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 53mA MEMS ±1ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

견적요청 목록 (0개 항목)
장바구니 목록 (0개 품목)
Wishlist위시리스트(0개 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량: 1

비교 목록(0개 항목)
검색하려면 Enter 키를 누르고 닫으려면 ESC 키를 누르세요.