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발진기(193576)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 평가 사이즈/치수 높이 - 자리에 앉다(최대) 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 그들 널리 전압 - 공급 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 기능 현재 - 공급(최대) 찹 공진기 안드로이드 절대 금지 범위(APR) 전개분류의 구분 현재 - 공급(비활성화)(최대)
SIT3372AI-1B3-25NE80.000000 SiTime SIT3372AI-1B3-25NE80.000000 8.6300
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 ECAD 6304 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 80MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±50ppm ±45ppm - -
SIT8208AI-31-33S-16.369000 SiTime SIT8208AI-31-33S-16.369000 3.3000
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 ECAD 3398 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 16.369MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 33mA MEMS ±20ppm - -
SIT9365AI-1B1-30E77.760000 SiTime SIT9365AI-1B1-30E77.760000 14.0000
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 ECAD 3226 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 77.76MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±20ppm - -
SIT9365AC-1B3-25E160.000000 SiTime SIT9365AC-1B3-25E160.000000 9.9000
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 ECAD 9888 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 160MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±50ppm - -
SIT9120AI-2C2-25S125.000000 SiTime SIT9120AI-2C2-25S125.000000 5.4500
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 ECAD 3477 0.00000000 사이타임 SiT9120 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 125MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 55mA MEMS ±25ppm - -
SIT9365AC-4B3-25N122.880000 SiTime SIT9365AC-4B3-25N122.880000 9.8000
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 ECAD 3916 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 122.88MHz HCSL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm - -
SIT8208AI-83-28S-20.000000 SiTime SIT8208AI-83-28S-20.000000 2.6600
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 ECAD 4141 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 20MHz LVCMOS, LVTTL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 33mA MEMS ±50ppm - -
SIT3372AC-1B2-33NY173.370750 SiTime SIT3372AC-1B2-33NY173.370750 13.0000
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 ECAD 1422 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 173.37075MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±25ppm ±770ppm - -
SIT8208AC-21-28S-30.000000 SiTime SIT8208AC-21-28S-30.000000 3.2400
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 ECAD 5356 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 30MHz LVCMOS, LVTTL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 33mA MEMS ±20ppm - -
SIT1602BI-22-30S-66.660000 SiTime SIT1602BI-22-30S-66.660000 1.4100
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 ECAD 8593 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 66.66MHz HCMOS, LVCMOS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.5mA MEMS ±25ppm - -
SIT8209AC-81-25S-166.666000 SiTime SIT8209AC-81-25S-166.666000 3.4500
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 ECAD 9352 0.00000000 사이타임 SiT8209 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 166.666MHz LVCMOS, LVTTL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 36mA MEMS ±20ppm - -
SIT3372AC-1B3-33NE51.200000 SiTime SIT3372AC-1B3-33NE51.200000 9.9000
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 ECAD 8986 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 51.2MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±50ppm ±45ppm - -
SIT1602BC-72-18N-33.333300 SiTime SIT1602BC-72-18N-33.333300 1.3800
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 ECAD 5930 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 33.3333MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 4.1mA MEMS ±25ppm - -
SIT3372AC-2E9-28NY15.360000 SiTime SIT3372AC-2E9-28NY15.360000 10.9200
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 ECAD 3879 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 15.36MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±35ppm ±760ppm - -
SIT1602BI-21-XXN-35.840000 SiTime SIT1602BI-21-XXN-35.840000 1.5000
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 ECAD 3316 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 35.84MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA MEMS ±20ppm - -
SIT3372AI-1B3-28NE96.000000 SiTime SIT3372AI-1B3-28NE96.000000 10.1900
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 ECAD 4359 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 96MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±50ppm ±45ppm - -
SIT1602BC-22-XXE-74.175824 SiTime SIT1602BC-22-XXE-74.175824 1.3800
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 ECAD 7945 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 74.175824MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±25ppm - -
SIT1602BC-11-25E-74.176000 SiTime SIT1602BC-11-25E-74.176000 1.4800
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 ECAD 4194 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 74.176MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.2mA MEMS ±20ppm - -
SIT3372AC-4B9-28NB148.350000 SiTime SIT3372AC-4B9-28NB148.350000 8.9700
보상요청
 ECAD 9663 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 148.35MHz HCSL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±35ppm ±10ppm - -
SIT5356AE-FQ-33VT-16.369000 SiTime SIT5356AE-FQ-33VT-16.369000 116.7700
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 ECAD 6781 0.00000000 사이타임 SiT5356, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 105°C 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 VCTCXO 16.369MHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±100ppb ±6.25ppm -
SIT3372AI-2B2-25NY35.328000 SiTime SIT3372AI-2B2-25NY35.328000 13.2900
보상요청
 ECAD 8419 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 35.328MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±25ppm ±770ppm - -
SIT3372AC-4B3-30NX100.000000 SiTime SIT3372AC-4B3-30NX100.000000 9.9000
보상요청
 ECAD 8203 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 100MHz HCSL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±50ppm ±345ppm - -
SIT8208AC-33-25S-66.666660 SiTime SIT8208AC-33-25S-66.666660 2.4400
보상요청
 ECAD 9394 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 66.66666MHz LVCMOS, LVTTL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 33mA MEMS ±50ppm - -
SIT3372AI-1B3-30NG51.200000 SiTime SIT3372AI-1B3-30NG51.200000 10.1900
보상요청
 ECAD 1176 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 51.2MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±50ppm ±95ppm - -
SIT3372AC-1E3-30NZ200.000000 SiTime SIT3372AC-1E3-30NZ200.000000 9.9000
보상요청
 ECAD 2062년 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 200MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±50ppm ±1545ppm - -
SIT8208AC-G2-28S-77.760000T SiTime SIT8208AC-G2-28S-77.760000T 1.4148
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 ECAD 2516 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8208 77.76MHz LVCMOS, LVTTL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 3,000 전원 처리기 33mA MEMS ±25ppm - - 70μA
SIT1602BC-73-33N-20.000000 SiTime SIT1602BC-73-33N-20.000000 1.2600
보상요청
 ECAD 4560 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 20MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA MEMS ±50ppm - -
SIT3372AC-1E2-33NY184.320000 SiTime SIT3372AC-1E2-33NY184.320000 13.0100
보상요청
 ECAD 6312 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 184.32MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±25ppm ±770ppm - -
SIT3372AC-1E3-30NZ35.437431 SiTime SIT3372AC-1E3-30NZ35.437431 9.9000
보상요청
 ECAD 9116 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 35.437431MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±50ppm ±1545ppm - -
SIT3373AI-1B3-25NX500.000000 SiTime SIT3373AI-1B3-25NX500.000000 10.1900
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 ECAD 2256 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 500MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm ±345ppm -
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    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

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