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발진기(193576)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 평가 사이즈/치수 높이 - 자리에 앉다(최대) 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 그들 널리 전압 - 공급 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 기능 현재 - 공급(최대) 찹 공진기 안드로이드 절대 금지 범위(APR) 전개분류의 구분 현재 - 공급(비활성화)(최대)
SIT9120AC-2D2-33S133.333330 SiTime SIT9120AC-2D2-33S133.333330 5.3500
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 ECAD 3677 0.00000000 사이타임 SiT9120 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 133.33333MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 55mA MEMS ±25ppm - -
SIT3372AC-4E2-33NX155.520000 SiTime SIT3372AC-4E2-33NX155.520000 13.0100
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 ECAD 6364 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 155.52MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±25ppm ±370ppm - -
SIT3373AI-4B2-28NZ270.000000 SiTime SIT3373AI-4B2-28NZ270.000000 13.2900
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 ECAD 3304 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 270MHz HCSL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±1570ppm -
SIT1602BC-31-XXN-7.372800 SiTime SIT1602BC-31-XXN-7.372800 1.5700
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 ECAD 2714 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 7.3728MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA MEMS ±20ppm - -
SIT9120AI-2D1-25S148.500000 SiTime SIT9120AI-2D1-25S148.500000 5.5200
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 ECAD 8792 0.00000000 사이타임 SiT9120 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 148.5MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 55mA MEMS ±20ppm - -
SIT9365AC-4E2-28N160.000000 SiTime SIT9365AC-4E2-28N160.000000 13.0100
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 ECAD 1881년 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 XO(표준) 160MHz HCSL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm - -
SIT1602BI-83-25E-25.000625 SiTime SIT1602BI-83-25E-25.000625 1.1800
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 ECAD 8437 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 25.000625MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.2mA MEMS ±50ppm - -
SIT3372AI-1B2-25NU76.800000 SiTime SIT3372AI-1B2-25NU76.800000 11.1100
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 ECAD 7750 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 76.8MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±25ppm ±3170ppm - -
SIT3372AC-4E9-25NY148.350000 SiTime SIT3372AC-4E9-25NY148.350000 10.9200
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 ECAD 8488 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 148.35MHz HCSL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±35ppm ±760ppm - -
SIT1602BC-73-18N-40.000000 SiTime SIT1602BC-73-18N-40.000000 1.2600
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 ECAD 7550 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 40MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 4.1mA MEMS ±50ppm - -
SIT8208AI-23-25E-26.000000 SiTime SIT8208AI-23-25E-26.000000 2.5000
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 ECAD 8646 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 26MHz LVCMOS, LVTTL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 33mA MEMS ±50ppm - -
SIT3373AC-2E9-33NZ625.000000 SiTime SIT3373AC-2E9-33NZ625.000000 10.9200
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 ECAD 8528 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 625MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±1560ppm -
SIT3372AC-2B3-25NE80.000000 SiTime SIT3372AC-2B3-25NE80.000000 9.9000
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 ECAD 2667 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 80MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±50ppm ±45ppm - -
SIT3372AI-1E3-33NE10.000000 SiTime SIT3372AI-1E3-33NE10.000000 2000년 10월
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 ECAD 8032 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 10MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±50ppm ±45ppm - -
SIT3372AC-2E9-30NZ133.650000 SiTime SIT3372AC-2E9-30NZ133.650000 10.9200
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 ECAD 4753 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 133.65MHz LVDS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±35ppm ±1560ppm - -
SIT9122AI-1D3-25E625.000000 SiTime SIT9122AI-1D3-25E625.000000 7.0800
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 ECAD 8777 0.00000000 사이타임 SiT9122 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 625MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 69mA MEMS ±50ppm - -
SIT3373AC-2E9-25NY345.600000 SiTime SIT3373AC-2E9-25NY345.600000 10.9200
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 ECAD 6613 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 345.6MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±760ppm -
SIT1602BI-82-28N-14.000000 SiTime SIT1602BI-82-28N-14.000000 1.5000
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 ECAD 4263 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 14MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA MEMS ±25ppm - -
SIT8208AI-G2-33S-7.372800X SiTime SIT8208AI-G2-33S-7.372800X 1.9722
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 ECAD 3958 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8208 7.3728MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 250 전원 처리기 33mA MEMS ±25ppm - - 70μA
SIT3372AC-1B2-28NB35.328000 SiTime SIT3372AC-1B2-28NB35.328000 13.0000
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 ECAD 1567년 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 35.328MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±25ppm ±20ppm - -
SIT9365AI-4B1-28E30.720000 SiTime SIT9365AI-4B1-28E30.720000 14.0000
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 ECAD 8983 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 30.72MHz HCSL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±20ppm - -
SIT8008AI-11-33E-24.000000 SiTime SIT8008AI-11-33E-24.000000 1.5100
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 ECAD 7913 0.00000000 사이타임 SiT8008 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 24MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±20ppm - - 4mA
SIT3373AI-1E9-25NX445.500000 SiTime SIT3373AI-1E9-25NX445.500000 2000년 9월
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 ECAD 4591 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 445.5MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±360ppm -
SIT9365AI-2E3-30N106.250000 SiTime SIT9365AI-2E3-30N106.250000 2000년 10월
보상요청
 ECAD 2352 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 XO(표준) 106.25MHz LVDS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm - -
SIT3372AC-1B3-30NU122.880000 SiTime SIT3372AC-1B3-30NU122.880000 9.9000
보상요청
 ECAD 4281 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 122.88MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±50ppm ±3145ppm - -
SIT1602BI-21-33N-66.666600 SiTime SIT1602BI-21-33N-66.666600 1.5000
보상요청
 ECAD 2366 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 66.6666MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA MEMS ±20ppm - -
SIT3372AI-4B3-30NC10.240000 SiTime SIT3372AI-4B3-30NC10.240000 8.6300
보상요청
 ECAD 4176 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 10.24MHz HCSL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±50ppm ±25ppm - -
SIT9120AI-2B2-XXS74.250000 SiTime SIT9120AI-2B2-XXS74.250000 5.4500
보상요청
 ECAD 7549 0.00000000 사이타임 SiT9120 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 74.25MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 55mA MEMS ±25ppm - -
SIT3372AC-2E3-30NX61.440000 SiTime SIT3372AC-2E3-30NX61.440000 9.9000
보상요청
 ECAD 8737 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 61.44MHz LVDS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±50ppm ±345ppm - -
SIT3373AC-1E3-28NH644.531250 SiTime SIT3373AC-1E3-28NH644.531250 8.3200
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 ECAD 7890 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 644.53125MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm ±145ppm -
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