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발진기(193576)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 평가 사이즈/치수 높이 - 자리에 앉다(최대) 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 그들 널리 전압 - 공급 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 기능 현재 - 공급(최대) 찹 공진기 안드로이드 절대 금지 범위(APR) 전개분류의 구분 현재 - 공급(비활성화)(최대)
SIT8209AC-G3-33S-100.000000 SiTime SIT8209AC-G3-33S-100.000000 2.4400
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 ECAD 5422 0.00000000 사이타임 SiT8209 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8209 100MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 31mA MEMS ±50ppm - - 70μA
SIT3373AC-2B9-25NC307.695484 SiTime SIT3373AC-2B9-25NC307.695484 10.9200
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 ECAD 6900 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 307.695484MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm - -
SIT9365AI-4E2-25E322.265625 SiTime SIT9365AI-4E2-25E322.265625 13.2900
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 ECAD 4115 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 XO(표준) 322.265625MHz HCSL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±25ppm - -
SIT3372AC-4B2-33NX122.880000 SiTime SIT3372AC-4B2-33NX122.880000 13.0000
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 ECAD 1601 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 122.88MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±25ppm ±370ppm - -
SIT3372AI-1E3-30NU184.320000 SiTime SIT3372AI-1E3-30NU184.320000 2000년 10월
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 ECAD 7186 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 184.32MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±50ppm ±3145ppm - -
SIT8008AC-23-33E-80.000000 SiTime SIT8008AC-23-33E-80.000000 1.2600
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 ECAD 6648 0.00000000 사이타임 SiT8008 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 80MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±50ppm - - 4mA
SIT9365AC-2B2-25E74.250000 SiTime SIT9365AC-2B2-25E74.250000 13.0000
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 ECAD 5017 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 74.25MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±25ppm - -
SIT3373AC-1E2-30NG625.000000 SiTime SIT3373AC-1E2-30NG625.000000 13.0100
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 ECAD 5433 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 625MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±120ppm -
SIT9375AE-01A1-1810-644.531250E SiTime SIT9375AE-01A1-1810-644.531250E 7.7694
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 ECAD 7594 0.00000000 사이타임 SiT9375 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C - 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) SIT9375 644.53125MHz LVPECL 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 1473-SIT9375AE-01A1-1810-644.531250ETR EAR99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42.5mA MEMS ±20ppm - - -
SIT3372AI-1E3-33NH184.320000 SiTime SIT3372AI-1E3-33NH184.320000 8.5500
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 ECAD 7619 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 184.32MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±50ppm ±145ppm - -
SIT8920AM-31-33N-40.000000 SiTime SIT8920AM-31-33N-40.000000 25.8800
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 ECAD 6501 0.00000000 사이타임 SiT8920 조각 활동적인 -55°C ~ 125°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 40MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA MEMS ±20ppm - -
SIT3373AC-2B2-30NH222.750000 SiTime SIT3373AC-2B2-30NH222.750000 13.0000
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 ECAD 2527 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 222.75MHz LVDS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±170ppm -
SIT3372AI-1B9-33NX148.500000 SiTime SIT3372AI-1B9-33NX148.500000 2000년 9월
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 ECAD 3901 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 148.5MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±35ppm ±360ppm - -
SIT8008BI-12-XXN-1.843200 SiTime SIT8008BI-12-XXN-1.843200 1.4000
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 ECAD 1172 0.00000000 사이타임 SiT8008B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 1.8432MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA MEMS ±25ppm - - -
SIT9120AC-1B1-25E25.000000 SiTime SIT9120AC-1B1-25E25.000000 5.7100
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 ECAD 8708 0.00000000 사이타임 SiT9120 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 25MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 69mA MEMS ±20ppm - -
SIT9365AI-2E3-33N25.000000 SiTime SIT9365AI-2E3-33N25.000000 2000년 10월
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 ECAD 9231 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 XO(표준) 25MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm - -
SIT3372AC-2E9-28NE74.175820 SiTime SIT3372AC-2E9-28NE74.175820 10.9200
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 ECAD 5145 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 74.17582MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±35ppm ±60ppm - -
SIT9001AIL23-25E1-125.00000T SiTime SIT9001AIL23-25E1-125.00000T -
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 ECAD 8407 0.00000000 사이타임 SiT9001 조각 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT9001 125MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 1473-SIT9001AIL23-25E1-125.00000T EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 31mA MEMS ±50ppm - -
SIT3373AI-2E2-28NX432.000000 SiTime SIT3373AI-2E2-28NX432.000000 13.2900
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 ECAD 4311 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 432MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±370ppm -
SIT1602BI-73-28E-74.250000 SiTime SIT1602BI-73-28E-74.250000 1.2900
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 ECAD 6492 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 74.25MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±50ppm - -
SIT5156AECFK-25VT-20.000000 SiTime SIT5156AECFK-25VT-20.000000 60.4700
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 ECAD 3634 0.00000000 사이타임 SiT5156, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 105°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.042"(1.06mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 VCTCXO SIT5156 20MHz 잘린 사인파 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 57mA MEMS ±500ppb ±6.25ppm - -
SIT8924BIR71-30E-32.000000 SiTime SIT8924BIR71-30E-32.000000 8.0800
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 ECAD 7818 0.00000000 사이타임 SiT8924B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C AEC-Q100 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8924 32MHz LVCMOS, LVTTL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.8mA MEMS ±20ppm - - 4.5mA
SIT8209AI-81-33S-133.333000 SiTime SIT8209AI-81-33S-133.333000 3.5100
보상요청
 ECAD 5948 0.00000000 사이타임 SiT8209 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 133.333MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 36mA MEMS ±20ppm - -
SIT3373AI-4B3-28NH625.000000 SiTime SIT3373AI-4B3-28NH625.000000 10.1900
보상요청
 ECAD 5928 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 625MHz HCSL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm ±145ppm -
SIT9501AE-02P1-1810-312.500000E SiTime SIT9501AE-02P1-1810-312.500000E 9.8284
보상요청
 ECAD 9916 0.00000000 사이타임 SiT9501 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) SIT9501 312.5MHz LVDS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 1473-SIT9501AE-02P1-1810-312.500000ETR EAR99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32mA MEMS ±20ppm - - -
SIT3372AI-1B2-30NZ15.360000 SiTime SIT3372AI-1B2-30NZ15.360000 13.2900
보상요청
 ECAD 3537 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 15.36MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±25ppm ±1570ppm - -
SIT1602BI-83-XXN-33.300000 SiTime SIT1602BI-83-XXN-33.300000 1.1800
보상요청
 ECAD 3584 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 33.3MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA MEMS ±50ppm - -
SIT1602BC-33-XXS-19.200000 SiTime SIT1602BC-33-XXS-19.200000 1.1500
보상요청
 ECAD 8516 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 19.2MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.5mA MEMS ±50ppm - -
SIT1602BI-13-28E-31.250000 SiTime SIT1602BI-13-28E-31.250000 1.2900
보상요청
 ECAD 9302 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 31.25MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±50ppm - -
SIT3373AC-2E2-28NE250.000000 SiTime SIT3373AC-2E2-28NE250.000000 13.0100
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 ECAD 5219 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 250MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±70ppm -
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