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발진기(193576)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 평가 사이즈/치수 높이 - 자리에 앉다(최대) 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 그들 널리 전압 - 공급 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 기능 현재 - 공급(최대) 찹 공진기 안드로이드 절대 금지 범위(APR) 전개분류의 구분 현재 - 공급(비활성화)(최대)
SIT5156AICFD-28VT-16.369000 SiTime SIT5156AICFD-28VT-16.369000 40.0200
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 ECAD 7741 0.00000000 사이타임 SiT5156, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.042"(1.06mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 VCTCXO SIT5156 16.369MHz 잘린 사인파 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 57mA MEMS ±2.5ppm ±6.25ppm - -
SIT3373AC-1B9-28NC625.000000 SiTime SIT3373AC-1B9-28NC625.000000 10.9200
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 ECAD 8477 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 625MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm - -
SIT9501AI-01P3-2510-25.000000E SiTime SIT9501AI-01P3-2510-25.000000E 4.9985
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 ECAD 3945 0.00000000 사이타임 SiT9501 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) SIT9501 25MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 1473-SIT9501AI-01P3-2510-25.000000ETR EAR99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35.5mA MEMS ±50ppm - - -
SIT9375AE-02A3-2510-50.000000E SiTime SIT9375AE-02A3-2510-50.000000E 5.1369
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 ECAD 7307 0.00000000 사이타임 SiT9375 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C - 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) SIT9375 50MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 1473-SIT9375AE-02A3-2510-50.000000ETR EAR99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 39mA MEMS ±50ppm - - -
SIT3373AC-4E9-28NX345.600000 SiTime SIT3373AC-4E9-28NX345.600000 10.9200
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 ECAD 9533 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 345.6MHz HCSL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±360ppm -
SIT9365AC-4B3-28N75.000000 SiTime SIT9365AC-4B3-28N75.000000 9.9000
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 ECAD 4775 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 75MHz HCSL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm - -
SIT1602BC-83-33N-66.666600 SiTime SIT1602BC-83-33N-66.666600 1.1600
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 ECAD 8487 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 66.6666MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA MEMS ±50ppm - -
SIT9120AI-2D2-33E166.666666 SiTime SIT9120AI-2D2-33E166.666666 5.4600
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 ECAD 2149 0.00000000 사이타임 SiT9120 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 166.666666MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55mA MEMS ±25ppm - -
SIT1602BI-83-XXS-33.330000 SiTime SIT1602BI-83-XXS-33.330000 1.1800
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 ECAD 2410 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 33.33MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.5mA MEMS ±50ppm - -
SIT9156AC-1C2-33E156.250000 SiTime SIT9156AC-1C2-33E156.250000 5.3500
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 ECAD 4257 0.00000000 사이타임 SiT9156 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 156.25MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 69mA MEMS ±25ppm - - 35mA
SIT3372AI-2B2-25NC135.000000 SiTime SIT3372AI-2B2-25NC135.000000 13.2900
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 ECAD 4018 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 135MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±25ppm ±50ppm - -
SIT3373AC-4E2-28NX614.000000 SiTime SIT3373AC-4E2-28NX614.000000 13.0100
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 ECAD 8589 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 614MHz HCSL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±370ppm -
SIT9365AC-1E1-30N168.040678 SiTime SIT9365AC-1E1-30N168.040678 13.7100
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 ECAD 9552 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 XO(표준) 168.040678MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±20ppm - -
SIT3373AI-4E9-25NB222.527472 SiTime SIT3373AI-4E9-25NB222.527472 11.2200
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 ECAD 9580 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 222.527472MHz HCSL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±10ppm -
SIT9365AC-1B2-30E125.000000 SiTime SIT9365AC-1B2-30E125.000000 13.0000
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 ECAD 4498 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 125MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±25ppm - -
SIT3372AC-2E9-28NX184.320000 SiTime SIT3372AC-2E9-28NX184.320000 10.9200
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 ECAD 5784 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 184.32MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±35ppm ±360ppm - -
SIT3372AC-1E9-33NB76.800000 SiTime SIT3372AC-1E9-33NB76.800000 10.9200
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 ECAD 7129 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 76.8MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±35ppm ±10ppm - -
SIT1602BCF31-18E-10.000000 SiTime SIT1602BCF31-18E-10.000000 1.5700
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 ECAD 4376 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 10MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.1mA MEMS ±20ppm - -
SIT8208AI-32-33S-38.400000 SiTime SIT8208AI-32-33S-38.400000 3.1700
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 ECAD 5036 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 38.4MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 33mA MEMS ±25ppm - -
SIT8225AI-83-33E-25.000625 SiTime SIT8225AI-83-33E-25.000625 1.8700
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 ECAD 5473 0.00000000 사이타임 SiT8225 조각 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 25.000625MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 33mA MEMS ±50ppm - - 31mA
SIT5156AI-FA-28VT-38.880000 SiTime SIT5156AI-FA-28VT-38.880000 44.2900
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 ECAD 3284 0.00000000 사이타임 SiT5156, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.042"(1.06mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 VCTCXO SIT5156 38.88MHz LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 57mA MEMS ±1ppm ±6.25ppm - -
SIT3372AC-2E9-25NB155.520000 SiTime SIT3372AC-2E9-25NB155.520000 10.9200
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 ECAD 4403 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 155.52MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±35ppm ±10ppm - -
SIT3372AC-4E3-33NZ51.200000 SiTime SIT3372AC-4E3-33NZ51.200000 9.9000
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 ECAD 5661 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 51.2MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±50ppm ±1545ppm - -
SIT1602BC-11-XXS-37.500000 SiTime SIT1602BC-11-XXS-37.500000 1.4800
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 ECAD 2613 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 37.5MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.5mA MEMS ±20ppm - -
SIT3372AI-1E9-28NE70.656000 SiTime SIT3372AI-1E9-28NE70.656000 11.2200
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 ECAD 7026 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 70.656MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±35ppm ±60ppm -
SIT9001AI-14-33D4-100.000000T SiTime SIT9001AI-14-33D4-100.000000T -
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 ECAD 3871 0.00000000 사이타임 SiT9001 조각 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.031"(0.80mm) XO(표준) SIT9001 100MHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 더 이상 사용하지 않는 경우 1 - MEMS ±100ppm - -2.00%, 자신감 있는
SIT9365AC-1B1-25E125.000000 SiTime SIT9365AC-1B1-25E125.000000 13.7100
보상요청
 ECAD 2990 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 125MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±20ppm - -
SIT3372AI-1B3-28NE148.425750 SiTime SIT3372AI-1B3-28NE148.425750 10.1900
보상요청
 ECAD 7654 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 148.42575MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±50ppm ±45ppm - -
SIT1602BC-82-18S-48.000000 SiTime SIT1602BC-82-18S-48.000000 1.4700
보상요청
 ECAD 2542 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 48MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.1mA MEMS ±25ppm - -
SIT9120AI-1C2-33S74.250000 SiTime SIT9120AI-1C2-33S74.250000 5.4500
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 ECAD 5126 0.00000000 사이타임 SiT9120 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 74.25MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 69mA MEMS ±25ppm - -
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    2000+

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