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발진기(193576)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 평가 사이즈/치수 높이 - 자리에 앉다(최대) 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 그들 널리 전압 - 공급 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 기능 현재 - 공급(최대) 찹 공진기 안드로이드 절대 금지 범위(APR) 전개분류의 구분 현재 - 공급(비활성화)(최대)
SIT1602BCF31-18E-10.000000 SiTime SIT1602BCF31-18E-10.000000 1.5700
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 ECAD 4376 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 10MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.1mA MEMS ±20ppm - -
SIT8208AI-32-33S-38.400000 SiTime SIT8208AI-32-33S-38.400000 3.1700
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 ECAD 5036 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 38.4MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 33mA MEMS ±25ppm - -
SIT8225AI-83-33E-25.000625 SiTime SIT8225AI-83-33E-25.000625 1.8700
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 ECAD 5473 0.00000000 사이타임 SiT8225 조각 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 25.000625MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 33mA MEMS ±50ppm - - 31mA
SIT5156AI-FA-28VT-38.880000 SiTime SIT5156AI-FA-28VT-38.880000 44.2900
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 ECAD 3284 0.00000000 사이타임 SiT5156, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.042"(1.06mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 VCTCXO SIT5156 38.88MHz LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 57mA MEMS ±1ppm ±6.25ppm - -
SIT3372AC-2E9-25NB155.520000 SiTime SIT3372AC-2E9-25NB155.520000 10.9200
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 ECAD 4403 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 155.52MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±35ppm ±10ppm - -
SIT3372AC-4E3-33NZ51.200000 SiTime SIT3372AC-4E3-33NZ51.200000 9.9000
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 ECAD 5661 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 51.2MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±50ppm ±1545ppm - -
SIT1602BC-11-XXS-37.500000 SiTime SIT1602BC-11-XXS-37.500000 1.4800
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 ECAD 2613 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 37.5MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.5mA MEMS ±20ppm - -
SIT3372AI-1E9-28NE70.656000 SiTime SIT3372AI-1E9-28NE70.656000 11.2200
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 ECAD 7026 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 70.656MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±35ppm ±60ppm -
SIT9001AI-14-33D4-100.000000T SiTime SIT9001AI-14-33D4-100.000000T -
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 ECAD 3871 0.00000000 사이타임 SiT9001 조각 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.031"(0.80mm) XO(표준) SIT9001 100MHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 더 이상 사용하지 않는 경우 1 - MEMS ±100ppm - -2.00%, 자신감 있는
SIT9365AC-1B1-25E125.000000 SiTime SIT9365AC-1B1-25E125.000000 13.7100
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 ECAD 2990 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 125MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±20ppm - -
SIT3372AI-1B3-28NE148.425750 SiTime SIT3372AI-1B3-28NE148.425750 10.1900
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 ECAD 7654 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 148.42575MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±50ppm ±45ppm - -
SIT1602BC-82-18S-48.000000 SiTime SIT1602BC-82-18S-48.000000 1.4700
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 ECAD 2542 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 48MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.1mA MEMS ±25ppm - -
SIT9120AI-1C2-33S74.250000 SiTime SIT9120AI-1C2-33S74.250000 5.4500
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 ECAD 5126 0.00000000 사이타임 SiT9120 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 74.25MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 69mA MEMS ±25ppm - -
SIT3372AC-1E2-33NG200.000000 SiTime SIT3372AC-1E2-33NG200.000000 13.0100
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 ECAD 4348 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 200MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±25ppm ±120ppm - -
SIT9375AI-02P3-1810-25.000000E SiTime SIT9375AI-02P3-1810-25.000000E 4.5204
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 ECAD 7992 0.00000000 사이타임 SiT9375 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) SIT9375 25MHz LVDS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 1473-SIT9375AI-02P3-1810-25.000000ETR EAR99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 39mA MEMS ±50ppm - - -
SIT3372AI-4E3-33NY140.000000 SiTime SIT3372AI-4E3-33NY140.000000 2000년 10월
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 ECAD 1851년 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 140MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±50ppm ±745ppm -
SIT9121AI-2C2-33E40.000000 SiTime SIT9121AI-2C2-33E40.000000 5.4500
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 ECAD 1445 0.00000000 사이타임 SiT9121 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 40MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55mA MEMS ±25ppm - -
SIT9122AC-2D3-XXE233.333333 SiTime SIT9122AC-2D3-XXE233.333333 6.9000
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 ECAD 2840 0.00000000 사이타임 SiT9122 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 233.333333MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55mA MEMS ±50ppm - -
SIT3373AC-4B9-30NH281.000000 SiTime SIT3373AC-4B9-30NH281.000000 10.9200
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 ECAD 2742 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 281MHz HCSL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±160ppm -
SIT1579AI-J3-33E-524.2880 SiTime SIT1579AI-J3-33E-524.2880 6.4600
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 ECAD 2327 0.00000000 사이타임 SiT1579 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.061" 길이 x 0.033" 너비(1.54mm x 0.84mm) 0.024"(0.60mm) 표면 실장 4-UFBGA, CSPBGA XO(표준) SIT1579 524.288kHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 1473-SIT1579AI-J3-33E-524.2880 EAR99 8542.39.0001 1 - 16μA MEMS ±50ppm - - -
SIT3373AI-1B2-25NX307.695484 SiTime SIT3373AI-1B2-25NX307.695484 13.2900
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 ECAD 3032 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 307.695484MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±370ppm -
SIT3373AI-2E3-28NZ432.000000 SiTime SIT3373AI-2E3-28NZ432.000000 2000년 10월
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 ECAD 3550 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 432MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm ±1545ppm -
SIT5356AICFQ-33VT-26.000000 SiTime SIT5356AICFQ-33VT-26.000000 99.6000
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 ECAD 2941 0.00000000 사이타임 SiT5356, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 VCTCXO 26MHz 잘린 사인파 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±100ppb ±6.25ppm -
SIT9365AI-2E3-33E148.351648 SiTime SIT9365AI-2E3-33E148.351648 2000년 10월
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 ECAD 2726 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 XO(표준) 148.351648MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±50ppm - -
SIT8920BM-18-33N-16.000000 SiTime SIT8920BM-18-33N-16.000000 25.8800
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 ECAD 1967년 0.00000000 사이타임 SiT8920B 조각 활동적인 -55°C ~ 125°C - 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 16MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.7mA MEMS ±30ppm - - -
SIT3372AC-4B9-30NC173.370750 SiTime SIT3372AC-4B9-30NC173.370750 10.9200
보상요청
 ECAD 4804 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 173.37075MHz HCSL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±35ppm - - -
SIT9365AI-4B1-33E250.000000 SiTime SIT9365AI-4B1-33E250.000000 14.0000
보상요청
 ECAD 1395 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 250MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±20ppm - -
SIT3372AI-4E3-33NX128.000000 SiTime SIT3372AI-4E3-33NX128.000000 2000년 10월
보상요청
 ECAD 6302 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 128MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±50ppm ±345ppm -
SIT3372AC-2E2-33NX163.840000 SiTime SIT3372AC-2E2-33NX163.840000 13.0100
보상요청
 ECAD 7683 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 163.84MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±25ppm ±370ppm - -
SIT3372AC-2E2-33NC133.516483 SiTime SIT3372AC-2E2-33NC133.516483 13.0100
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 ECAD 3448 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 133.516483MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±25ppm - - -
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