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발진기(193576)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 평가 사이즈/치수 높이 - 자리에 앉다(최대) 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 그들 널리 전압 - 공급 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 기능 현재 - 공급(최대) 찹 공진기 안드로이드 절대 금지 범위(APR) 전개분류의 구분 현재 - 공급(비활성화)(최대)
SIT3372AC-1B3-25NY133.650000 SiTime SIT3372AC-1B3-25NY133.650000 9.9000
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 ECAD 9497 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 133.65MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±50ppm ±745ppm - -
SIT3372AI-2E3-33NU35.328000 SiTime SIT3372AI-2E3-33NU35.328000 2000년 10월
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 ECAD 6419 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 35.328MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±50ppm ±3145ppm - -
SIT9365AI-1E1-25E322.265625 SiTime SIT9365AI-1E1-25E322.265625 14.0000
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 ECAD 6458 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 XO(표준) 322.265625MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±20ppm - -
SIT3372AI-1B2-25NB184.320000 SiTime SIT3372AI-1B2-25NB184.320000 13.2900
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 ECAD 6351 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 184.32MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±25ppm ±20ppm - -
SIT3373AI-1B2-33NY250.000000 SiTime SIT3373AI-1B2-33NY250.000000 13.2900
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 ECAD 6394 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 250MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±770ppm -
SIT9001AC-33-33D1-14.31800Y SiTime SIT9001AC-33-33D1-14.31800Y -
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 ECAD 6498 0.00000000 사이타임 SiT9001 조각 더 이상 사용하지 않는 경우 -20°C ~ 70°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT9001 14.318MHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 1473-SIT9001AC-33-33D1-14.31800Y EAR99 8542.39.0001 1 - 27mA MEMS ±50ppm - ±1.00%, 중앙통신
SIT3373AI-1E3-25NC222.527472 SiTime SIT3373AI-1E3-25NC222.527472 2000년 10월
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 ECAD 7425 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 222.527472MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm - -
SIT8208AI-GF-25S-38.000000X SiTime SIT8208AI-GF-25S-38.000000X 4.6880
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 ECAD 2438 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 38MHz LVCMOS, LVTTL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 250 전원 처리기 33mA MEMS ±10ppm - - 70μA
SIT5156AECFK-33E0-50.000000 SiTime SIT5156AECFK-33E0-50.000000 60.4700
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 ECAD 7200 0.00000000 사이타임 SiT5156, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 105°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.042"(1.06mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 TCXO SIT5156 50MHz 잘린 사인파 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 53mA MEMS ±500ppb - - 51mA
SIT9121AC-2C1-33E100.000000 SiTime SIT9121AC-2C1-33E100.000000 5.7200
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 ECAD 9851 0.00000000 사이타임 SiT9121 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 100MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55mA MEMS ±20ppm - -
SIT3373AI-1B2-33NH245.760000 SiTime SIT3373AI-1B2-33NH245.760000 11.1100
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 ECAD 8329 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 245.76MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±170ppm -
SIT3372AI-4B2-28NX35.437431 SiTime SIT3372AI-4B2-28NX35.437431 11.1100
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 ECAD 1227 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 35.437431MHz HCSL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±25ppm ±370ppm - -
SIT3373AI-1B9-30NZ240.000000 SiTime SIT3373AI-1B9-30NZ240.000000 11.2100
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 ECAD 9694 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 240MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±1560ppm -
SIT8208AI-GF-25S-28.636300X SiTime SIT8208AI-GF-25S-28.636300X 4.6880
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 ECAD 5403 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 28.6363MHz LVCMOS, LVTTL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 250 전원 처리기 33mA MEMS ±10ppm - - 70μA
SIT8209AI-22-33E-161.132800 SiTime SIT8209AI-22-33E-161.132800 3.1600
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 ECAD 8316 0.00000000 사이타임 SiT8209 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 161.1328MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 36mA MEMS ±25ppm - -
SIT8208AC-31-18S-33.330000 SiTime SIT8208AC-31-18S-33.330000 3.2400
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 ECAD 8612 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 33.33MHz LVCMOS, LVTTL 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 31mA MEMS ±20ppm - -
SIT3372AC-2E9-25NU35.328000 SiTime SIT3372AC-2E9-25NU35.328000 10.9200
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 ECAD 9767 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 35.328MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±35ppm ±3160ppm - -
SIT3373AC-1B2-25NC364.800000 SiTime SIT3373AC-1B2-25NC364.800000 10.8900
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 ECAD 1100 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 364.8MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm - -
SIT3372AI-1B9-25NU163.840000 SiTime SIT3372AI-1B9-25NU163.840000 11.2100
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 ECAD 6352 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 163.84MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±35ppm ±3160ppm - -
SIT8209AI-81-25S-161.132800 SiTime SIT8209AI-81-25S-161.132800 3.5100
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 ECAD 1870년 0.00000000 사이타임 SiT8209 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 161.1328MHz LVCMOS, LVTTL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 36mA MEMS ±20ppm - -
SIT3372AI-4B9-28NX50.000000 SiTime SIT3372AI-4B9-28NX50.000000 2000년 9월
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 ECAD 9727 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 50MHz HCSL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±35ppm ±360ppm - -
SIT3373AI-2B9-30NY224.000000 SiTime SIT3373AI-2B9-30NY224.000000 2000년 9월
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 ECAD 6109 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 224MHz LVDS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±760ppm -
SIT8208AI-83-33E-40.000000 SiTime SIT8208AI-83-33E-40.000000 2.6600
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 ECAD 8021 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 40MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 33mA MEMS ±50ppm - -
SIT8208AC-GF-25S-33.600000X SiTime SIT8208AC-GF-25S-33.600000X 4.3488
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 ECAD 9382 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 33.6MHz LVCMOS, LVTTL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 250 전원 처리기 33mA MEMS ±10ppm - - 70μA
SIT8208AI-81-28E-16.369000 SiTime SIT8208AI-81-28E-16.369000 3.5100
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 ECAD 4430 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 16.369MHz LVCMOS, LVTTL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 33mA MEMS ±20ppm - -
SIT1602BC-82-28E-25.000625 SiTime SIT1602BC-82-28E-25.000625 1.4700
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 ECAD 4420 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 25.000625MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±25ppm - -
SIT8209AI-G1-18S-166.666660 SiTime SIT8209AI-G1-18S-166.666660 3.3000
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 ECAD 7643 0.00000000 사이타임 SiT8209 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8209 166.66666MHz LVCMOS, LVTTL 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 31mA MEMS ±20ppm - - 70μA
SIT3372AC-4E3-30NE15.360000 SiTime SIT3372AC-4E3-30NE15.360000 9.9000
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 ECAD 5456 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 15.36MHz HCSL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±50ppm ±45ppm - -
SIT9365AI-2E2-28E212.500000 SiTime SIT9365AI-2E2-28E212.500000 13.2900
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 ECAD 8402 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 XO(표준) 212.5MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±25ppm - -
SIT3372AI-4B3-33NC14.400000 SiTime SIT3372AI-4B3-33NC14.400000 10.1900
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 ECAD 4182 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 14.4MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±50ppm ±25ppm - -
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