| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 평가 | 사이즈/치수 | 높이 - 자리에 앉다(최대) | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 그들 | 널리 | 전압 - 공급 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 기능 | 현재 - 공급(최대) | 찹 공진기 | 안드로이드 | 절대 금지 범위(APR) | 전개분류의 구분 | 현재 - 공급(비활성화)(최대) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIT8208AI-8F-18S-66.666660T | 4.1097 | ![]() | 8667 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) | 0.039"(1.00mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 66.66666MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 10μA | ||
![]() | SIT8208AI-8F-18S-66.666660Y | 4.1097 | ![]() | 7089 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) | 0.039"(1.00mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 66.66666MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 10μA | ||
![]() | SIT8208AI-8F-25E-33.333330T | 4.1097 | ![]() | 1432 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) | 0.039"(1.00mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 33.33333MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AI-G1-18S-14.000000T | 1.8792 | ![]() | 7756 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 14MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 31mA | MEMS | ±20ppm | - | - | 10μA | |
![]() | SIT8208AI-G1-18S-24.576000T | 1.8792 | ![]() | 1216 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 24.576MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 31mA | MEMS | ±20ppm | - | - | 10μA | |
![]() | SIT8208AI-G1-18S-74.176000T | 1.8792 | ![]() | 7451 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 74.176MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 31mA | MEMS | ±20ppm | - | - | 10μA | |
![]() | SIT8208AI-G1-25E-4.096000Y | 2.0184 | ![]() | 9259 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 4.096MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±20ppm | - | - | 31mA | |
![]() | SIT8208AI-3F-25S-33.333000Y | 4.1097 | ![]() | 6272 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 33.333MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AI-3F-25S-66.666660T | 4.1097 | ![]() | 5043 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 66.66666MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AI-3F-33S-33.333000Y | 4.1097 | ![]() | 1842년 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 33.333MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AI-3F-33S-38.000000Y | 4.1097 | ![]() | 2775 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 38MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AI-3F-33S-4.096000X | 4.8668 | ![]() | 2019 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 4.096MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AI-3F-33S-48.000000X | 4.8668 | ![]() | 5857 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 48MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AI-3F-33S-66.660000T | 4.1097 | ![]() | 9546 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 66.66MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AI-3F-33S-74.250000Y | 4.1097 | ![]() | 5041 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.197" 길이 x 0.126" 너비(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 74.25MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AI-8F-18E-20.000000X | 4.8668 | ![]() | 5440 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) | 0.039"(1.00mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 20MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 30mA | ||
![]() | SIT8208AI-8F-18E-25.000625T | 4.1097 | ![]() | 8042 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) | 0.039"(1.00mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 25.000625MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 30mA | ||
![]() | SIT8208AI-8F-18E-32.768000T | 4.1097 | ![]() | 9614 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.276" 가로 x 0.197" 세로(7.00mm x 5.00mm) | 0.039"(1.00mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 32.768MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 30mA | ||
![]() | SIT8208AI-GF-25E-27.000000Y | 3.8969 | ![]() | 5708 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 27MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AI-GF-25E-28.636300T | 3.8969 | ![]() | 3313 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 28.6363MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AI-GF-25S-33.330000T | 3.8969 | ![]() | 3652 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 33.33MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AI-GF-25S-35.840000T | 3.8969 | ![]() | 5281 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 35.84MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AI-GF-25S-38.000000Y | 3.8969 | ![]() | 6343 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 38MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AI-GF-25S-4.096000T | 3.8969 | ![]() | 2566 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 4.096MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AI-GF-25S-40.000000X | 4.6880 | ![]() | 5029 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 40MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AI-GF-25S-66.600000T | 3.8969 | ![]() | 4362 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 66.6MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AI-GF-25S-8.192000X | 4.6880 | ![]() | 1854년 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 8.192MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AI-GF-28E-12.288000T | 3.8969 | ![]() | 1787년 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 12.288MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AI-GF-28E-24.000000Y | 3.8969 | ![]() | 5396 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 24MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AI-GF-18E-40.000000T | 3.8969 | ![]() | 4206 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 40MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 30mA |

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