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발진기(193576)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 평가 사이즈/치수 높이 - 자리에 앉다(최대) 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 그들 널리 전압 - 공급 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 기능 현재 - 공급(최대) 찹 공진기 안드로이드 절대 금지 범위(APR) 전개분류의 구분 현재 - 공급(비활성화)(최대)
SIT8209AI-83-33S-98.304000 SiTime SIT8209AI-83-33S-98.304000 2.6600
보상요청
 ECAD 5352 0.00000000 사이타임 SiT8209 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 98.304MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 36mA MEMS ±50ppm - -
SIT3372AC-1E2-25NG133.650000 SiTime SIT3372AC-1E2-25NG133.650000 13.0100
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 ECAD 3817 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 133.65MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±25ppm ±120ppm - -
SIT3373AI-1E9-25NE622.000000 SiTime SIT3373AI-1E9-25NE622.000000 9.2900
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 ECAD 8919 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 622MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±60ppm -
SIT1602BI-32-30S-66.000000 SiTime SIT1602BI-32-30S-66.000000 1.5000
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 ECAD 3359 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 66MHz HCMOS, LVCMOS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.5mA MEMS ±25ppm - -
SIT5156AE-FA-25N0-24.553500 SiTime SIT5156AE-FA-25N0-24.553500 53.1800
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 ECAD 8473 0.00000000 사이타임 SiT5156, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 105°C - 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.042"(1.06mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 TCXO SIT5156 24.5535MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 53mA MEMS ±1ppm - - -
SIT8208AI-82-33S-72.000000 SiTime SIT8208AI-82-33S-72.000000 3.2900
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 ECAD 2347 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 72MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 33mA MEMS ±25ppm - -
SIT3373AC-4B3-30NZ223.000000 SiTime SIT3373AC-4B3-30NZ223.000000 9.9000
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 ECAD 7645 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 223MHz HCSL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm ±1545ppm -
SIT8208AI-G3-25S-40.000000T SiTime SIT8208AI-G3-25S-40.000000T 1.3174
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 ECAD 2616 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8208 40MHz LVCMOS, LVTTL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 3,000 전원 처리기 33mA MEMS ±50ppm - - 70μA
SIT3821AI-1D2-33EH125.000000T SiTime SIT3821AI-1D2-33EH125.000000T -
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 ECAD 3718 0.00000000 사이타임 SiT3821 조각 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO SIT3821 125MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 1473-SIT3821AI-1D2-33EH125.000000T EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 69mA MEMS ±25ppm ±170ppm -
SIT3372AC-1B2-33NG125.000000 SiTime SIT3372AC-1B2-33NG125.000000 13.0000
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 ECAD 2773 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 125MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±25ppm ±120ppm - -
SIT1602BC-82-28N-66.660000 SiTime SIT1602BC-82-28N-66.660000 1.4700
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 ECAD 3700 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 66.66MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA MEMS ±25ppm - -
SIT8208AI-2F-25S-66.666660X SiTime SIT8208AI-2F-25S-66.666660X 4.6880
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 ECAD 4459 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 66.66666MHz LVCMOS, LVTTL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 250 전원 처리기 33mA MEMS ±10ppm - - 70μA
SIT3372AI-4E2-33NC128.000000 SiTime SIT3372AI-4E2-33NC128.000000 13.2900
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 ECAD 6343 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 128MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±25ppm ±50ppm - -
SIT3373AC-1B9-25NE222.527472 SiTime SIT3373AC-1B9-25NE222.527472 9.0600
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 ECAD 9082 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 222.527472MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±60ppm -
SIT3372AI-2E3-28NY148.425787 SiTime SIT3372AI-2E3-28NY148.425787 2000년 10월
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 ECAD 3988 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 148.425787MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±50ppm ±745ppm - -
SIT3373AC-4B2-25NU364.800000 SiTime SIT3373AC-4B2-25NU364.800000 13.0000
보상요청
 ECAD 7510 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 364.8MHz HCSL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±3170ppm -
SIT9120AC-1B1-33S166.666000 SiTime SIT9120AC-1B1-33S166.666000 5.7100
보상요청
 ECAD 4350 0.00000000 사이타임 SiT9120 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 166.666MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 69mA MEMS ±20ppm - -
SIT8208AC-8F-28S-6.000000Y SiTime SIT8208AC-8F-28S-6.000000Y 3.7918
보상요청
 ECAD 3129 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 6MHz LVCMOS, LVTTL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1,000 전원 처리기 33mA MEMS ±10ppm - - 70μA
SIT3372AI-4B2-33NU173.370750 SiTime SIT3372AI-4B2-33NU173.370750 11.1100
보상요청
 ECAD 4003 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 173.37075MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±25ppm ±3170ppm - -
SIT5157AI-FK-33E0-100.000000 SiTime SIT5157AI-FK-33E0-100.000000 51.5800
보상요청
 ECAD 1004 0.00000000 사이타임 SiT5157, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 TCXO 100MHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±500ppb - -
SIT1602BI-81-28S-33.330000 SiTime SIT1602BI-81-28S-33.330000 1.6000
보상요청
 ECAD 6428 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 33.33MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.5mA MEMS ±20ppm - -
SIT9365AI-2E2-28E62.500000 SiTime SIT9365AI-2E2-28E62.500000 13.2900
보상요청
 ECAD 1585 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 XO(표준) 62.5MHz LVDS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±25ppm - -
SIT9120AC-1C3-XXE98.304000 SiTime SIT9120AC-1C3-XXE98.304000 4.4200
보상요청
 ECAD 1858년 0.00000000 사이타임 SiT9120 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 98.304MHz LVPECL 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 69mA MEMS ±50ppm - -
SIT9121AI-2D2-33E156.238300 SiTime SIT9121AI-2D2-33E156.238300 5.4600
보상요청
 ECAD 1168 0.00000000 사이타임 SiT9121 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 156.2383MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55mA MEMS ±25ppm - -
SIT5346AI-FQ-33E0A24.192000 SiTime SIT5346AI-FQ-33E0A24.192000 219.5220
보상요청
 ECAD 4177 0.00000000 사이타임 SiT5346, Endura™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.042"(1.06mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 TCXO SIT5346 24.192MHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 1473-SIT5346AI-FQ-33E0A24.192000TR EAR99 8542.39.0001 10 활성화/비활성화 53mA MEMS ±100ppb - - 51mA
SIT9001AI-14-33E6-50.000000T SiTime SIT9001AI-14-33E6-50.000000T -
보상요청
 ECAD 6400 0.00000000 사이타임 SiT9001 조각 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.031"(0.80mm) XO(표준) SIT9001 50MHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 더 이상 사용하지 않는 경우 1 활성화/비활성화 MEMS ±100ppm - ±0.50%, 중앙통신
SIT8209AIPG1-18E-100.000000 SiTime SIT8209AIPG1-18E-100.000000 3.3000
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 ECAD 6733 0.00000000 사이타임 SiT8209 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8209 100MHz LVCMOS, LVTTL 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 31mA MEMS ±20ppm - - 31mA
SIT9001AC-33-33E3-18.43200Y SiTime SIT9001AC-33-33E3-18.43200Y -
보상요청
 ECAD 3857 0.00000000 사이타임 SiT9001 조각 더 이상 사용하지 않는 경우 -20°C ~ 70°C - 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT9001 18.432MHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 1473-SIT9001AC-33-33E3-18.43200Y EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 27mA MEMS ±50ppm - -
SIT3373AI-1B9-28NG622.000000 SiTime SIT3373AI-1B9-28NG622.000000 9.2900
보상요청
 ECAD 3216 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 622MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±110ppm -
SIT8208AI-33-33S-24.000000 SiTime SIT8208AI-33-33S-24.000000 2.5000
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 ECAD 8905 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 24MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 33mA MEMS ±50ppm - -
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