| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 평가 | 사이즈/치수 | 높이 - 자리에 앉다(최대) | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 그들 | 널리 | 전압 - 공급 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 기능 | 현재 - 공급(최대) | 찹 공진기 | 안드로이드 | 절대 금지 범위(APR) | 전개분류의 구분 | 현재 - 공급(비활성화)(최대) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIT8208AC-G3-25S-32.768000T | 1.2250 | ![]() | 1558년 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 32.768MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±50ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-G3-25S-33.330000X | 1.5750 | ![]() | 4918 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 33.33MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±50ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-G3-25S-38.000000Y | 1.2906 | ![]() | 7363 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 38MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±50ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-G3-25S-60.000000T | 1.2250 | ![]() | 6543 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 60MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±50ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-G3-25S-65.000000Y | 1.2906 | ![]() | 7095 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 65MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±50ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-G3-28E-12.000000X | 1.5750 | ![]() | 9843 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 12MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±50ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-G3-28E-25.000625T | 1.2250 | ![]() | 5590 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 25.000625MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±50ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-G3-28E-27.000000Y | 1.2906 | ![]() | 5524 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 27MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±50ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-28S-28.636300T | 1.4148 | ![]() | 2373 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 28.6363MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-28S-30.000000T | 1.4148 | ![]() | 3767 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 30MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-28S-30.000000X | 1.8340 | ![]() | 6436 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 30MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-28S-40.000000T | 1.4148 | ![]() | 5627 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 40MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-33E-16.367667T | 1.4148 | ![]() | 5502 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 16.367667MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-33E-19.200000X | 1.8340 | ![]() | 2732 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 19.2MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1473-SIT8208AC-G2-33E-19.200000XTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-33E-33.000000X | 1.8340 | ![]() | 9785 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 33MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1473-SIT8208AC-G2-33E-33.000000XTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-33E-48.000000Y | 1.5196 | ![]() | 9027 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 48MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1473-SIT8208AC-G2-33E-48.000000YTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-33E-72.000000Y | 1.5196 | ![]() | 5128 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 72MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-33E-77.760000Y | 1.5196 | ![]() | 2692 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 77.76MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-33S-10.000000Y | 1.5196 | ![]() | 7267 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 10MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-GF-18S-74.250000X | 4.3488 | ![]() | 9818 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 74.25MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 전원 처리기 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 10μA | |||
![]() | SIT8208AC-GF-18S-75.000000Y | 3.6149 | ![]() | 7949 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 75MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 10μA | |||
![]() | SIT8208AC-GF-25E-24.576000T | 3.6149 | ![]() | 2350 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 24.576MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | |||
![]() | SIT8208AC-GF-25E-33.300000T | 3.6149 | ![]() | 2633 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 33.3MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | |||
![]() | SIT8208AC-GF-25E-33.333000Y | 3.6149 | ![]() | 2958 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 33.333MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | |||
![]() | SIT8208AC-GF-25E-35.840000T | 3.6149 | ![]() | 3528 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 35.84MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | |||
![]() | SIT8208AC-GF-25E-37.500000Y | 3.6149 | ![]() | 1743년 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 37.5MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | |||
![]() | SIT8208AC-GF-25E-66.660000T | 3.6149 | ![]() | 6952 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 66.66MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | |||
![]() | SIT8208AC-GF-25E-77.760000Y | 3.6149 | ![]() | 7946 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 77.76MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | |||
![]() | SIT8208AC-GF-25E-8.192000Y | 3.6149 | ![]() | 9633 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 8.192MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | |||
![]() | SIT8208AC-GF-25S-10.000000X | 4.3488 | ![]() | 8224 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 10MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA |

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