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발진기 (193576)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SIT5001AC-2E-33E0-65.016000Y SiTime SIT5001AC-2E-33E0-65.016000Y 3.9142
RFQ
 ECAD 2046 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 65.016 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 5ppm - - 31MA
SIT5001AC-2E-33VB-4.096000Y SiTime SIT5001AC-2E-33VB-4.096000Y 3.9142
RFQ
 ECAD 2957 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5001 4.096 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AC-2E-33VQ-32.000000Y SiTime SIT5001AC-2E-33VQ-32.000000Y 3.9142
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5001 32 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AC-2E-33VQ-80.000000Y SiTime SIT5001AC-2E-33VQ-80.000000Y 3.9142
RFQ
 ECAD 6961 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5001 80MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AC-3E-33N0-10.000000Y SiTime SIT5001AC-3E-33N0-10.000000Y 4.1270
RFQ
 ECAD 5611 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 10MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AC-3E-33N0-25.000000Y SiTime SIT5001AC-3E-33N0-25.000000Y 4.1270
RFQ
 ECAD 4037 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 25MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AC-3E-33VQ-30.720000Y SiTime SIT5001AC-3E-33VQ-30.720000Y 4.1270
RFQ
 ECAD 6314 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5001 30.72 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AC-3E-33VQ-40.000000Y SiTime SIT5001AC-3E-33VQ-40.000000Y 4.1270
RFQ
 ECAD 2099 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5001 40MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AI-2E-28E0-40.000000Y SiTime SIT5001AI-2E-28E0-40.000000Y 4.4967
RFQ
 ECAD 4584 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 40MHz LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 5ppm - - 31MA
SIT5001AI-2E-33S0-16.320000Y SiTime SIT5001AI-2E-33S0-16.320000Y 4.4967
RFQ
 ECAD 5364 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 16.32 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 5ppm - - 70µA
SIT9003AC-23-33SD-33.00000Y SiTime SIT9003AC-23-33SD-33.00000Y 1.8676
RFQ
 ECAD 5475 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 33MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4.3µA
SIT9003AC-23-33DD-27.00000Y SiTime SIT9003AC-23-33DD-27.00000Y 1.8676
RFQ
 ECAD 8348 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 27 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 4.1ma MEMS ± 50ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 4.3µA
SIT9001AI-44-33E1-100.00000Y SiTime SIT9001AI-44-33E1-100.00000Y -
RFQ
 ECAD 8399 0.00000000 시민 SIT9001 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) SIT9001 100MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 34ma MEMS ± 100ppm - - 50µA
SIT9003AC-13-33EQ-24.00000Y SiTime SIT9003AC-13-33EQ-24.00000Y 1.1948
RFQ
 ECAD 4516 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 24 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4.3µA
SIT5001AC-2E-33VQ-48.000000X SiTime SIT5001AC-2E-33VQ-48.000000X 4.7088
RFQ
 ECAD 1349 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5001 48MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT9003AC-13-33DD-24.000000X SiTime SIT9003AC-13-33DD-24.000000X 2.2540
RFQ
 ECAD 2252 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 24 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1473-SIT9003AC-13-33DD-24.000000XTR 귀 99 8542.39.0001 250 - 4.1ma MEMS ± 50ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 4.3µA
SIT8208AI-G3-18E-33.333333T SiTime SIT8208AI-G3-18E-33.333333T 1.3174
RFQ
 ECAD 7890 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 33.333333 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 50ppm - - 30ma
SIT9003AC-24-33DB-30.00000X SiTime SIT9003AC-24-33DB-30.00000X 2.2540
RFQ
 ECAD 4739 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 30MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 - 4.1ma MEMS ± 100ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 4.3µA
SIT3921AI-2CF-33NZ148.425824X SiTime SIT3921AI-2CF-33NZ148.425824X 37.8465
RFQ
 ECAD 1280 0.00000000 시민 SIT3921 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 DCXO SIT3921 148.425824 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 - 55MA MEMS ± 10ppm - - -
SIT3921AC-2CF-33NZ125.000000X SiTime SIT3921AC-2CF-33NZ125.000000X 24.0384
RFQ
 ECAD 2521 0.00000000 시민 SIT3921 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 DCXO SIT3921 125MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 - 55MA MEMS ± 10ppm - - -
SIT3907AI-23-33NZ-74.175000Y SiTime SIT3907AI-23-33NZ-74.175000Y 5.8906
RFQ
 ECAD 3724 0.00000000 시민 SIT3907 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 DCXO SIT3907 74.175 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 34ma MEMS ± 50ppm - - -
SIT9001AI-44-33E1-48.00000Y SiTime SIT9001AI-44-33E1-48.00000Y -
RFQ
 ECAD 8764 0.00000000 시민 SIT9001 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) SIT9001 48MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 34ma MEMS ± 100ppm - - 50µA
SIT1534AC-J5-DCC-00.256E SiTime SIT1534AC-J5-DCC-00.256E 1.3600
RFQ
 ECAD 1029 0.00000000 시민 SIT1534 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.061 "L x 0.033"W (1.54mm x 0.84mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 4-UFBGA, CSPBGA xo (표준) SIT1534 256 Hz LVCMOS 1.2V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3µA MEMS ± 75ppm - - -
SIT8208AI-G2-33E-24.000000T SiTime SIT8208AI-G2-33E-24.000000T 1.5215
RFQ
 ECAD 9111 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 24 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 25ppm - - 31MA
SIT3921AC-2C3-25NZ148.425000X SiTime SIT3921AC-2C3-25NZ148.425000X 20.8983
RFQ
 ECAD 7408 0.00000000 시민 SIT3921 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 DCXO SIT3921 148.425 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 - 55MA MEMS ± 50ppm - - -
SIT5001AC-2E-33N0-7.680000Y SiTime SIT5001AC-2E-33N0-7.680000Y 3.9142
RFQ
 ECAD 3083 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 7.68 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT9003AI-13-33EB-24.00000Y SiTime SIT9003AI-13-33EB-24.00000Y 1.4455
RFQ
 ECAD 1641 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 24 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4.3µA
SIT1533AC-H5-D93-32.768E SiTime SIT1533AC-H5-D93-32.768E 1.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 시민 SIT1533 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.047"W (2.00mm x 1.20mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT1533 32.768 kHz Nanodrive ™ 1.2V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3µA MEMS ± 75ppm - - -
SIT5001AIC8E-25N0-4.915200Y SiTime SIT5001AIC8E-25N0-4.915200Y 4.7441
RFQ
 ECAD 1351 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 4.9152 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT8208AC-2F-33E-50.000000Y SiTime SIT8208AC-2F-33E-50.000000Y 3.6149
RFQ
 ECAD 7970 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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