| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 평가 | 사이즈/치수 | 높이 - 자리에 앉다(최대) | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 그들 | 널리 | 전압 - 공급 | 데이터시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 기능 | 현재 - 공급(최대) | 찹 공진기 | 안드로이드 | 절대 금지 범위(APR) | 전개분류의 구분 | 현재 - 공급(비활성화)(최대) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIT8208AC-3F-25E-66.000000X | 4.5616 | ![]() | 8856 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 66MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-25E-75.000000T | 3.7918 | ![]() | 1344 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 75MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-25S-10.000000Y | 3.7918 | ![]() | 4697 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 10MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-25S-14.000000T | 3.7918 | ![]() | 1298 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 14MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-25S-16.000000X | 4.5616 | ![]() | 2494 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 16MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-25S-16.367667Y | 3.7918 | ![]() | 7764 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 16.367667MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-18E-27.000000Y | 3.7918 | ![]() | 3628 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 27MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 30mA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-18E-40.000000X | 4.5616 | ![]() | 2388 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 40MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 30mA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-18E-65.000000Y | 3.7918 | ![]() | 7912 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 65MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 30mA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-18E-66.666000X | 4.5616 | ![]() | 9185 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 66.666MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 30mA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-18E-72.000000X | 4.5616 | ![]() | 9918 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 72MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 30mA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-18E-74.175824X | 4.5616 | ![]() | 9288 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 74.175824MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 30mA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-18S-16.367667Y | 3.7918 | ![]() | 1381 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 16.367667MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 10μA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-18S-27.000000T | 3.7918 | ![]() | 1518 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 27MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 10μA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-18S-32.768000X | 4.5616 | ![]() | 6895 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 32.768MHz | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 전원 처리기 | 31mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 10μA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-25S-20.000000T | 3.7918 | ![]() | 1803년 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 20MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-25S-24.000000Y | 3.7918 | ![]() | 5479 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 24MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-25S-25.000000T | 3.7918 | ![]() | 1031 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 25MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-25S-6.000000X | 4.5616 | ![]() | 2438 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 6MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-25S-62.500000X | 4.5616 | ![]() | 4396 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 62.5MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-25S-62.500000Y | 3.7918 | ![]() | 1596년 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 62.5MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-25S-77.760000X | 4.5616 | ![]() | 7370 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 77.76MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 70μA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-28E-12.800000X | 4.5616 | ![]() | 1033 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 12.8MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-28E-27.000000X | 4.5616 | ![]() | 7467 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 27MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-28E-33.000000T | 3.7918 | ![]() | 5295 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 33MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-28E-33.300000T | 3.7918 | ![]() | 6598 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 33.3MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-3F-28E-33.300000Y | 3.7918 | ![]() | 9928 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | 33.3MHz | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33mA | MEMS | ±10ppm | - | - | 31mA | ||
![]() | SIT8208AC-G2-33S-26.000000X | 1.8340 | ![]() | 7235 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 26MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 70μA | |
![]() | SIT8208AC-G2-33S-26.000000Y | 1.5196 | ![]() | 1283 | 0.00000000 | 사이타임 | SiT8208 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -20°C ~ 70°C | - | 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) | 0.031"(0.80mm) | 표면 실장 | 4-SMD, 무연 | XO(표준) | SIT8208 | 26MHz | LVCMOS, LVTTL | 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 전원 처리기 | 33mA | MEMS | ±25ppm | - | - | 70μA | |
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