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발진기(193576)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 평가 사이즈/치수 높이 - 자리에 앉다(최대) 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 그들 널리 전압 - 공급 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 기능 현재 - 공급(최대) 찹 공진기 안드로이드 절대 금지 범위(APR) 전개분류의 구분 현재 - 공급(비활성화)(최대)
SIT8208AI-G1-28S-16.000000T SiTime SIT8208AI-G1-28S-16.000000T 1.8792
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 ECAD 2423 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8208 16MHz LVCMOS, LVTTL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 3,000 전원 처리기 33mA MEMS ±20ppm - - 70μA
SIT3373AI-1E2-28NY312.500000 SiTime SIT3373AI-1E2-28NY312.500000 11.0100
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 ECAD 6647 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 312.5MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±770ppm -
SIT9365AC-4B1-28E74.250000 SiTime SIT9365AC-4B1-28E74.250000 13.5800
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 ECAD 6540 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 74.25MHz HCSL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±20ppm - -
SIT5156AI-FD-30VT-16.369000 SiTime SIT5156AI-FD-30VT-16.369000 40.0200
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 ECAD 8986 0.00000000 사이타임 SiT5156, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.042"(1.06mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 VCTCXO SIT5156 16.369MHz LVCMOS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 57mA MEMS ±2.5ppm ±6.25ppm - -
SIT8256AI-GF-18E-156.253906X SiTime SIT8256AI-GF-18E-156.253906X 7.5936
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 ECAD 1210 0.00000000 사이타임 SiT8256 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8256 156.253906MHz LVCMOS, LVTTL 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31mA MEMS ±10ppm - - 30mA
SIT5155AI-FK-33E0-16.369000 SiTime SIT5155AI-FK-33E0-16.369000 51.5800
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 ECAD 9576 0.00000000 사이타임 SiT5155, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 TCXO 16.369MHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±500ppb - -
SIT8208AC-2F-28S-33.330000T SiTime SIT8208AC-2F-28S-33.330000T 3.6149
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 ECAD 6654 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 33.33MHz LVCMOS, LVTTL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 3,000 전원 처리기 33mA MEMS ±10ppm - - 70μA
SIT8208AI-G2-33E-74.175824X SiTime SIT8208AI-G2-33E-74.175824X 1.9722
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 ECAD 1193 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8208 74.175824MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33mA MEMS ±25ppm - - 31mA
SIT8208AI-G2-33E-65.000000X SiTime SIT8208AI-G2-33E-65.000000X 1.9722
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 ECAD 6983 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8208 65MHz LVCMOS, LVTTL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33mA MEMS ±25ppm - - 31mA
SIT1602BC-23-XXS-62.500000 SiTime SIT1602BC-23-XXS-62.500000 1.2600
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 ECAD 1306 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 62.5MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.5mA MEMS ±50ppm - -
SIT3373AI-1B2-28NH445.500000 SiTime SIT3373AI-1B2-28NH445.500000 13.2900
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 ECAD 6825 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 445.5MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±170ppm -
SIT3372AC-2B9-30NU148.351648 SiTime SIT3372AC-2B9-30NU148.351648 10.9200
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 ECAD 6573 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 148.351648MHz LVDS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±35ppm ±3160ppm - -
SIT3373AI-4E2-25NG345.600000 SiTime SIT3373AI-4E2-25NG345.600000 13.2900
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 ECAD 2446 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 345.6MHz HCSL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±120ppm -
SIT9120AC-1B1-XXE133.330000 SiTime SIT9120AC-1B1-XXE133.330000 5.7100
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 ECAD 6156 0.00000000 사이타임 SiT9120 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 133.33MHz LVPECL 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 69mA MEMS ±20ppm - -
SIT3373AI-1B2-25NU445.500000 SiTime SIT3373AI-1B2-25NU445.500000 13.2900
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 ECAD 3157 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 445.5MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±3170ppm -
SIT3372AI-1B2-30NY80.000000 SiTime SIT3372AI-1B2-30NY80.000000 13.2900
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 ECAD 9551 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 80MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±25ppm ±770ppm - -
SIT5156AE-FA-33E0-16.369000 SiTime SIT5156AE-FA-33E0-16.369000 53.1800
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 ECAD 7321 0.00000000 사이타임 SiT5156, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 105°C - 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.042"(1.06mm) 표면 실장 10-SMD, 무연 TCXO SIT5156 16.369MHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 53mA MEMS ±1ppm - - 51mA
SIT3372AI-4B3-33NE148.500000 SiTime SIT3372AI-4B3-33NE148.500000 8.5400
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 ECAD 8890 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 148.5MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±50ppm ±45ppm - -
SIT9003AC-34-18DQ-24.00000 SiTime SIT9003AC-34-18DQ-24.00000 2.2000
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 ECAD 7119 0.00000000 사이타임 SiT9003 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT9003 24MHz LVCMOS, LVTTL 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 3.5mA MEMS ±100ppm - -1.00%, 자신감 있는
SIT8208AI-G1-28S-24.000000T SiTime SIT8208AI-G1-28S-24.000000T 1.8792
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 ECAD 2736 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8208 24MHz LVCMOS, LVTTL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 3,000 전원 처리기 33mA MEMS ±20ppm - - 70μA
SIT8209AI-G2-25E-150.000000T SiTime SIT8209AI-G2-25E-150.000000T -
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 ECAD 4144 0.00000000 사이타임 SiT8209 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 150MHz LVCMOS, LVTTL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 36mA MEMS ±25ppm - - 31mA
SIT3372AC-2B9-33NE156.250000 SiTime SIT3372AC-2B9-33NE156.250000 10.9200
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 ECAD 8298 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 156.25MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±35ppm ±60ppm - -
SIT1602BC-72-28E-72.000000 SiTime SIT1602BC-72-28E-72.000000 1.3800
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 ECAD 6407 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 72MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±25ppm - -
SIT9375AI-04P3-3310-333.330000E SiTime SIT9375AI-04P3-3310-333.330000E 4.5204
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 ECAD 7829 0.00000000 사이타임 SiT9375 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) SIT9375 333.33MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 1473-SIT9375AI-04P3-3310-333.330000ETR EAR99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 38mA MEMS ±50ppm - - -
SIT3373AC-1B9-30NH644.531250 SiTime SIT3373AC-1B9-30NH644.531250 10.9200
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 ECAD 8189 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 길이 x 0.098" 너비(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 644.53125MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±160ppm -
SIT3372AI-2E9-25NU90.000000 SiTime SIT3372AI-2E9-25NU90.000000 11.2200
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 ECAD 2068년 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 90MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±35ppm ±3160ppm - -
SIT3372AI-1E9-25NZ76.800000 SiTime SIT3372AI-1E9-25NZ76.800000 9.2900
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 ECAD 4700 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 76.8MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±35ppm ±1560ppm - -
SIT8008BI-81-33N-55.000000 SiTime SIT8008BI-81-33N-55.000000 1.6000
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 ECAD 260 0.00000000 사이타임 SiT8008B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 55MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.5mA MEMS ±20ppm - - -
SIT1602BI-81-XXE-6.000000 SiTime SIT1602BI-81-XXE-6.000000 1.6000
보상요청
 ECAD 8167 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 6MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±20ppm - -
SIT3372AI-2E9-25NH51.200000 SiTime SIT3372AI-2E9-25NH51.200000 11.2200
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 ECAD 5246 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 51.2MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±35ppm ±160ppm - -
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