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발진기(193576)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 평가 사이즈/치수 높이 - 자리에 앉다(최대) 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 그들 널리 전압 - 공급 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 기능 현재 - 공급(최대) 찹 공진기 안드로이드 절대 금지 범위(APR) 전개분류의 구분 현재 - 공급(비활성화)(최대)
SIT3372AI-4B9-30NU35.328000 SiTime SIT3372AI-4B9-30NU35.328000 11.2100
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 ECAD 1850년 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 35.328MHz HCSL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 97mA MEMS ±35ppm ±3160ppm - -
SIT3372AC-1B9-28NU30.720000 SiTime SIT3372AC-1B9-28NU30.720000 10.9200
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 ECAD 5987 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 30.72MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±35ppm ±3160ppm - -
SIT3373AC-1B3-28NU256.000000 SiTime SIT3373AC-1B3-28NU256.000000 9.9000
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 ECAD 5223 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 256MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm ±3145ppm -
SIT3373AI-1B9-30NH614.000000 SiTime SIT3373AI-1B9-30NH614.000000 9.2900
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 ECAD 4451 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 614MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±35ppm ±160ppm -
SIT1602BI-83-18N-75.000000 SiTime SIT1602BI-83-18N-75.000000 1.1800
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 ECAD 4689 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 75MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 4.1mA MEMS ±50ppm - -
SIT9501AI-01P3-2510-50.000000E SiTime SIT9501AI-01P3-2510-50.000000E 4.9985
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 ECAD 6176 0.00000000 사이타임 SiT9501 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) SIT9501 50MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 1473-SIT9501AI-01P3-2510-50.000000ETR EAR99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35.5mA MEMS ±50ppm - - -
SIT3372AI-1B3-33NG15.360000 SiTime SIT3372AI-1B3-33NG15.360000 10.1900
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 ECAD 8411 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 15.36MHz LVPECL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±50ppm ±95ppm - -
SIT3372AI-1E2-28NH30.720000 SiTime SIT3372AI-1E2-28NH30.720000 13.2900
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 ECAD 3278 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 30.72MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±25ppm ±170ppm - -
SIT3372AI-2B2-30NC153.600000 SiTime SIT3372AI-2B2-30NC153.600000 13.2900
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 ECAD 3681 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 153.6MHz LVDS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±25ppm ±50ppm - -
SIT3372AI-1B9-30NB148.350000 SiTime SIT3372AI-1B9-30NB148.350000 11.2100
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 ECAD 5381 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 148.35MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±35ppm ±10ppm - -
SIT3373AI-4B2-33NZ256.000000 SiTime SIT3373AI-4B2-33NZ256.000000 13.2900
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 ECAD 2053년 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 256MHz HCSL 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±1570ppm -
SIT3373AI-1E2-25NY281.000000 SiTime SIT3373AI-1E2-25NY281.000000 13.2900
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 ECAD 3268 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 281MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±25ppm ±770ppm -
SIT1602BI-22-25N-7.372800 SiTime SIT1602BI-22-25N-7.372800 1.4100
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 ECAD 9224 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 7.3728MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 4.2mA MEMS ±25ppm - -
SIT1602BC-72-18N-33.000000 SiTime SIT1602BC-72-18N-33.000000 1.3800
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 ECAD 4130 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.079" 길이 x 0.063" 너비(2.00mm x 1.60mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 33MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 - 4.1mA MEMS ±25ppm - -
SIT1602BI-33-28S-33.330000 SiTime SIT1602BI-33-28S-33.330000 1.1800
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 ECAD 5306 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 33.33MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.5mA MEMS ±50ppm - -
SIT1602BC-22-18E-40.000000 SiTime SIT1602BC-22-18E-40.000000 1.3800
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 ECAD 2678 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 40MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.1mA MEMS ±25ppm - -
SIT1602AI-33-33E-33.000000 SiTime SIT1602AI-33-33E-33.000000 1.1800
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 ECAD 5862 0.00000000 사이타임 SiT1602 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 33MHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5mA MEMS ±50ppm - -
SIT8008BI-23-18E-80.000000 SiTime SIT8008BI-23-18E-80.000000 1.2900
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 ECAD 1781년 0.00000000 사이타임 SiT8008B 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 80MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.1mA MEMS ±50ppm - - 4mA
SIT3373AC-1B3-25NY307.695484 SiTime SIT3373AC-1B3-25NY307.695484 9.9000
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 ECAD 4321 0.00000000 사이타임 SiT3373, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 307.695484MHz LVPECL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - MEMS ±50ppm ±745ppm -
SIT8209AC-83-28E-166.666600 SiTime SIT8209AC-83-28E-166.666600 2.6000
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 ECAD 3773 0.00000000 사이타임 SiT8209 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.039"(1.00mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 166.6666MHz LVCMOS, LVTTL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 36mA MEMS ±50ppm - -
SIT1602BC-13-33S-38.400000 SiTime SIT1602BC-13-33S-38.400000 1.2600
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 ECAD 1470 0.00000000 사이타임 SiT1602B 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C - 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 38.4MHz HCMOS, LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 4.5mA MEMS ±50ppm - -
SIT3372AC-1B2-28NX96.000000 SiTime SIT3372AC-1B2-28NX96.000000 13.0000
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 ECAD 9307 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 96MHz LVPECL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 92mA MEMS ±25ppm ±370ppm - -
SIT9005AI-22-33EA100.000000 SiTime SIT9005AI-22-33EA100.000000 5.4500
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 ECAD 5280 0.00000000 사이타임 SiT9005 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 100MHz LVCMOS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 6.5mA MEMS ±25ppm - ±0.125%, 중앙 발표 6.5mA
SIT3372AC-2B2-33NU90.000000 SiTime SIT3372AC-2B2-33NU90.000000 13.0000
보상요청
 ECAD 8288 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 VCXO 90MHz LVDS 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±25ppm ±3170ppm - -
SIT8208AI-33-25S-26.000000 SiTime SIT8208AI-33-25S-26.000000 2.5000
보상요청
 ECAD 5655 0.00000000 사이타임 SiT8208 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 26MHz LVCMOS, LVTTL 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 전원 처리기 33mA MEMS ±50ppm - -
SIT9375AI-02A1-1810-333.330000E SiTime SIT9375AI-02A1-1810-333.330000E 5.9766
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 ECAD 5913 0.00000000 사이타임 SiT9375 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) SIT9375 333.33MHz LVDS 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 1473-SIT9375AI-02A1-1810-333.330000ETR EAR99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 39mA MEMS ±20ppm - - -
SIT9365AI-1B3-30E77.760000 SiTime SIT9365AI-1B3-30E77.760000 10.1900
보상요청
 ECAD 2916 0.00000000 사이타임 SiT9365, 플랫폼™ 조각 활동적인 -40°C ~ 85°C 0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연 XO(표준) 77.76MHz LVPECL 3V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ±50ppm - -
SIT8208AI-GF-18E-6.000000T SiTime SIT8208AI-GF-18E-6.000000T 3.8969
보상요청
 ECAD 1025 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) 6MHz LVCMOS, LVTTL 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31mA MEMS ±10ppm - - 30mA
SIT3372AC-2E2-25NB148.500000 SiTime SIT3372AC-2E2-25NB148.500000 13.0100
보상요청
 ECAD 8618 0.00000000 사이타임 SiT3372, 플랫폼™ 조각 활동적인 -20°C ~ 70°C 0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm) 0.035"(0.90mm) 표면 실장 6-SMD, 무연옆패드 VCXO 148.5MHz LVDS 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1 - 84mA MEMS ±25ppm ±20ppm - -
SIT8208AI-G1-28E-6.000000X SiTime SIT8208AI-G1-28E-6.000000X 2.4360
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 ECAD 1208 0.00000000 사이타임 SiT8208 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C - 0.106" 길이 x 0.094" 너비(2.70mm x 2.40mm) 0.031"(0.80mm) 표면 실장 4-SMD, 무연 XO(표준) SIT8208 6MHz LVCMOS, LVTTL 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33mA MEMS ±20ppm - - 31mA
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