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발진기 (8591)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
XLH730230.000000X	-	RFQ	1921	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH730	230MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	60ma	결정	± 100ppm	-		-
XLH736032.000000I	2.3900	RFQ	5175	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH736	32 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 25ppm	-		-
XLH73V156.250000I	-	RFQ	6496	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-HC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH73V	156.25 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	55MA	결정	-	± 50ppm		-
XLP725062.500000X	-	RFQ	1476	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-PC72	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP725	62.5 MHz	lvpecl	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	41MA	결정	± 50ppm	-		-
XLL52V106.250000X	-	RFQ	5922	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-LC52	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	xll52v	106.25 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	34ma	결정	-	± 50ppm		-
XLP735052.000000X	-	RFQ	2968	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-PC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP735	52MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	± 50ppm	-		-
XLH730132.000000X	-	RFQ	2770	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH730	132 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	55MA	결정	± 100ppm	-		-
XLP73V627.329600I	-	RFQ	5749	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-PC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLP73V	627.3296 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	-	± 50ppm		-
XUP536156.250JS6I	4.8000	RFQ	43	Renesas Electronics America Inc	xup	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xup536	156.25 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	115ma	결정	± 25ppm	-		-
XLH720150.000000X	-	RFQ	6113	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC72	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH720	150MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	35MA	결정	± 100ppm	-		-
XLL535200.000000X	3.3400	RFQ	2113	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-LC53	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll535	200MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 50ppm	-		-
XLH736029.491200X	1.5698	RFQ	6543	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH736	29.4912 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 25ppm	-		-
XLL536001.163000I	-	RFQ	6676	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-LC53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll536	1.163 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	100ma	결정	± 25ppm	-		-
XLH73V065.536000X	1.4153	RFQ	5842	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH73V	65.536 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	47ma	결정	-	± 50ppm		-
4HF212500Z4AACXGI8	-	RFQ	9316	Renesas Electronics America Inc	4HF	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		212.5 MHz	LVD	3.3v	-		3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	500	활성화/비활성화	-	MEMS	± 50ppm	-		-
XLP736148.351648I	-	RFQ	9873	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-PC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP736	148.351648 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	± 25ppm	-		-
XLH735080.000000I	-	RFQ	7842	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	80MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	47ma	결정	± 50ppm	-		-
XLP73V672.162700I	-	RFQ	3169	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-PC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLP73V	672.1627 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	-	± 50ppm		-
XLH735001.205888X	-	RFQ	6584	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	1.205888 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-		-
XLP73V360.000000X	1.6110	RFQ	6577	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-PC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLP73V	360 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	-	± 50ppm		-
XLL735114.285000I	3.2732	RFQ	7061	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll735	114.285 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL735114.285000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XUL535154.000000I	4.6092	RFQ	8890	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL535	154 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL535154.0000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	97ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLL536400.000000I	4.2585	RFQ	9404	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-LC53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll536	400MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 25ppm	-		-
XLP73V240.000000I	4.2585	RFQ	1970	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-PC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLP73V	240 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	-	± 50ppm		-
XLL536148.351648I	3.9412	RFQ	9131	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll536	148.351648 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL536148.351648IT	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH530080.000000X	-	RFQ	4970	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC53	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH530	80MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	47ma	결정	± 100ppm	-		-
XLH735003.680000I	-	RFQ	9705	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	3.68 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-		-
XLP738155.200000X	4.6092	RFQ	8793	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP738	155.2 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLP738155.200000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	± 20ppm	-	-	-
XLH520001.000000X	0.9352	RFQ	6093	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH520	1MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH520001.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	22MA	결정	± 100ppm	-	-	-
XLH53V044.800000I	-	RFQ	3492	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-HC53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH53V	44.8 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	35MA	결정	-	± 50ppm		-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (8591)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²