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발진기 (8591)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
XLH735004.000000X	1.4696	RFQ	3515	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	4 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-		-
XLP73V184.320000X	-	RFQ	4617	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-PC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLP73V	184.32 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	-	± 50ppm		-
XLH330.062.500000I	-	RFQ	4926	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC33	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH330	62.5 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	47ma	결정	± 100ppm	-		-
XPL336830.000000I	9.6359	RFQ	9021	Renesas Electronics America Inc	xp	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XPL336	830 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XPL336830.0000000	귀 99	8542.39.0001	500	활성화/비활성화	85MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH736037.056000I	-	RFQ	8075	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH736	37.056 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 25ppm	-		-
XFP536156.250000I	6.8072	RFQ	9017	Renesas Electronics America Inc	xf	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.037 "(0.95mm)	표면 표면	8-smd,, 없음	xo (표준)		156.25 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		800-XFP536156.250000I	귀 99	8542.39.0001	500	활성화/비활성화	94ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLL53V045.000000X	3.9412	RFQ	1703	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-LC53	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	xll53v	45MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	-	± 50ppm		-
XLP735266.000000I	-	RFQ	8043	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-PC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP735	266 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	± 50ppm	-		-
XLP538910.000000X	-	RFQ	1527	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-PC53	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP538	910 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	± 20ppm	-		-
XLH536033.330000I	1.6867	RFQ	6781	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH536	33.33 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 25ppm	-		35MA
XLL72V200.000000X	1.6110	RFQ	5800	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	xll72v	200MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL72V200.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	34ma	결정	-	-	-	-
XLH325010.000000I	1.0187	RFQ	1610	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH325	10MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH325010.000000IT	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLL736312.500000X	3.6406	RFQ	1571	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-LC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll736	312.5 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 25ppm	-		-
XLL526240.000000I	-	RFQ	2834	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-LC52	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll526	240 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	44MA	결정	± 25ppm	-		-
XLH335010.240000X	-	RFQ	7161	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC33	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH335	10.24 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-		-
XLP720156.250000I	-	RFQ	5319	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-PC72	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP720	156.25 MHz	lvpecl	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	41MA	결정	± 100ppm	-		-
XLH735135.000000X	-	RFQ	8897	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	135 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	55MA	결정	± 50ppm	-		-
XLH335089.000000I	1.5698	RFQ	4086	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH335	89MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH335089.000000000	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	47ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLP535C19.500000X	-	RFQ	4100	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-PC53	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP535	1.2195 GHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	± 50ppm	-		-
XLH535002.048000X	1.4696	RFQ	6977	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC53	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH535	2.048 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-		-
XLH530100.000000I	-	RFQ	6338	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH530	100MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	47ma	결정	± 100ppm	-		-
XUP735125.000000X	3.9412	RFQ	3378	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xup735	125MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUP735125.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	115ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH736127.794000X	-	RFQ	6861	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH736	127.794 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	47ma	결정	± 25ppm	-		-
XLH536066.666000I	1.6867	RFQ	5082	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH536	66.666 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	47ma	결정	± 25ppm	-		-
XLH525075.000000X	-	RFQ	5026	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC52	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH525	75MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	29ma	결정	± 50ppm	-		-
XLP738120.000000X	1.6987	RFQ	8285	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		120MHz	lvpecl	3.3v	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		800-XLP738120.000000XTR			1,000	활성화/비활성화	45MA	결정	± 20ppm	-	-	-
XUL725184.320000I	4.6092	RFQ	8435	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL725	184.32 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL725184.320000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	90ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH335033.554400I	1.5698	RFQ	6963	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH335	33.5544 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH335033.554400IT	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 50ppm	-	-	-
4MA159375Z3BACTGI8	-	RFQ	7501	Renesas Electronics America Inc	4MA	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		159.375 MHz	lvpecl	2.5V	-		3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	500	활성화/비활성화	100ma	MEMS	± 50ppm	-		-
XLH536015.728640I	-	RFQ	1017	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH536	15.72864 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	32MA	결정	± 25ppm	-		-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (8591)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²