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발진기 (8591)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
XLH736032.000000X	-	RFQ	8641	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH736	32 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	35MA	결정	± 25ppm	-		-
XLP536100.500000I	-	RFQ	5996	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-PC53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP536	100.5MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	± 25ppm	-		-
XLH53V016.000000I	1.5377	RFQ	4879	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-HC53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH53V	16MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	-	± 50ppm		-
XLH735016.738400X	-	RFQ	4363	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	16.7384 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-		-
XLL530915.000000I	3.9412	RFQ	6543	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll530	915 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL530915.0000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH335148.351600I	1.6867	RFQ	1394	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH335	148.3516 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH335148.351600IT	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	55MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH525066.666600X	-	RFQ	3509	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC52	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH525	66.6666 MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	29ma	결정	± 50ppm	-		-
4MA312500Z3AACTGI	-	RFQ	5923	Renesas Electronics America Inc	4MA	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		312.5 MHz	lvpecl	3.3v	-		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	70	활성화/비활성화	-	MEMS	± 50ppm	-		-
XLL738020.000000X	4.2585	RFQ	7202	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-LC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll738	20MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 20ppm	-		-
XLH53V074.250000X	-	RFQ	3022	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-HC53	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH53V	74.25 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	47ma	결정	-	± 50ppm		-
XLL735120.000000I	3.2732	RFQ	2823	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-LC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll735	120MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 50ppm	-		-
XLH730009.830000X	-	RFQ	4013	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH730	9.83 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 100ppm	-		-
XLH538033.333000X	-	RFQ	6480	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC53	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH538	33.333 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 20ppm	-		-
769-50-5	-	RFQ	9253	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-LC33	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		50MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	Q9076255	귀 99	8542.39.0001	200	활성화/비활성화	100ma	결정	-	-		-
XLL726240.000000I	1.8370	RFQ	4810	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-LC72	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll726	240 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	44MA	결정	± 25ppm	-		-
xup536100.000js6i	-	RFQ	4255	Renesas Electronics America Inc	xup	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xup536	100MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	115ma	결정	± 25ppm	-		-
XLH530012.500000I	-	RFQ	2243	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH530	12.5MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	32MA	결정	± 100ppm	-		-
XLH336026.670000I	1.6867	RFQ	9317	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH336	26.67 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH336026.6700000	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XLL72V244.200000X	4.2585	RFQ	1946	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	xll72v	244.2 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-xll72v244.200000xtr	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	44MA	결정	-	-	-	-
XLH730039.000000X	-	RFQ	1115	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH730	39MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 100ppm	-		-
XLH735133.000000I	-	RFQ	4061	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	133 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	55MA	결정	± 50ppm	-		-
4MA148500Z3AACTGI	-	RFQ	3418	Renesas Electronics America Inc	4MA	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	4MA148500	148.5 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	70	활성화/비활성화	100MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-		-
XPN315100.000000K	12.5918	RFQ	3297	Renesas Electronics America Inc	xp	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XPN315	100MHz	HCSL	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-xpn315100.000000ktr	귀 99	8542.39.0001	500	활성화/비활성화	95MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLP73VA00.000000I	4.6092	RFQ	2334	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-PC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLP73V	1GHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	-	± 50ppm		-
XLP735016.000000I	1.5865	RFQ	7873	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-PC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP735	16MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	± 50ppm	-		-
XLL535020.000000I	3.2732	RFQ	7893	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-LC53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll535	20MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 50ppm	-		-
XLP520008.000000X	1.5377	RFQ	1233	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP520	8 MHz	lvpecl	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLP520008.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	33MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH526024.000000I	0.9185	RFQ	5916	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC52	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH526	24 MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	25MA	결정	± 25ppm	-		-
XLL73V148.000000X	-	RFQ	8522	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-LC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	xll73v	148 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	100ma	결정	-	± 50ppm		-
XLL526050.000000I	3.6406	RFQ	4430	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll526	50MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL526050.000000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	34ma	결정	± 25ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (8591)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²