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| XLH735066.666667I | 1.5698 | | 8699 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH735 | 66.666667 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 47ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
| XLH730018.432000X | - | | 2333 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH730 | 18.432 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | 결정 | ± 100ppm | - | - | |||
 | XLH335096.000000X | 1.4696 | | 2104 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC33 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH335 | 96 MHz | HCMOS | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 활성화/비활성화 | 47ma | 결정 | ± 50ppm | |||||
| XLH535022.118400X | 1.4696 | | 8382 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 특대 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH535 | 22.1184 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XLH535022.118400XTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |
| XLL735133.000000I | - | | 5238 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-LC73 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | xll735 | 133 MHz | LVD | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 100ma | 결정 | ± 50ppm | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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