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발진기 (8591)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
XLH335095.000000I	-	RFQ	5282	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC33	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH335	95MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	47ma	결정	± 50ppm	-		-
XLH730027.397200X	1.4696	RFQ	4199	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH730	27.3972 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 100ppm	-		-
XLH530066.670000I	-	RFQ	9373	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH530	66.67 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	47ma	결정	± 100ppm	-		-
FXTC-HE73TC-52 MHz	-	RFQ	5954	Renesas Electronics America Inc	fxtc-he73	조각	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	-	0.283 "L x 0.205"W (7.20mm x 5.20mm)	0.094 "(2.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	TCXO		52MHz	HCMOS	3.3v	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	55MA	결정	± 1ppm	-		-
XLL526420.000000I	1.7720	RFQ	6667	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll526	420 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL526420.0000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	44MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XLL738622.080000X	1.8370	RFQ	4626	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-LC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll738	622.08 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 20ppm	-		-
XFL536125.000000I	6.8072	RFQ	4390	Renesas Electronics America Inc	xf	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.037 "(0.95mm)	표면 표면	8-smd,, 없음	xo (표준)		125MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		800-XFL536125.000000I	귀 99	8542.39.0001	500	활성화/비활성화	67ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLL536275.000000I	-	RFQ	4736	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-LC53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll536	275 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	100ma	결정	± 25ppm	-		-
XLL726048.000000I	3.6406	RFQ	2600	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll726	48MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL726048.000000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	34ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH535029.491200I	-	RFQ	7211	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH535	29.4912 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	35MA	결정	± 50ppm	-		-
XLH520016.000000X	0.9352	RFQ	9197	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH520	16MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH520016.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	22MA	결정	± 100ppm	-	-	-
XLL73V074.520000I	-	RFQ	2242	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-LC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	xll73v	74.52 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	100ma	결정	-	± 50ppm		-
XLH736039.062500I	-	RFQ	1325	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH736	39.0625 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	35MA	결정	± 25ppm	-		-
xll73v806.400000i	-	RFQ	3058	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-LC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	xll73v	806.4 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	100ma	결정	-	± 50ppm		-
XLH530060.000000I	-	RFQ	2763	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH530	60MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	47ma	결정	± 100ppm	-		-
XAH335125.000000I	1.7368	RFQ	2631	Renesas Electronics America Inc	XA	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q200	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XAH335	125MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XAH335125.0000000	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	47ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH73V044.000000I	-	RFQ	5195	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-HC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH73V	44 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	35MA	결정	-	± 50ppm		-
XLH530013.560000X	1.4696	RFQ	8811	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC53	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH530	13.56 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 100ppm	-		-
XLM320032.000000I	3.2732	RFQ	5987	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLM320	32 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLM320032.0000000	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	34ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH73V074.175800X	1.9706	RFQ	6795	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH73V	74.1758 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	47ma	결정	-	± 50ppm		-
XLH738160.000000X	-	RFQ	2416	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH738	160MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	55MA	결정	± 20ppm	-		-
XLH526012.000000X	0.9352	RFQ	4947	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH526	12MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH526012.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	22MA	결정	± 25ppm	-	-	-
FXTC-HE73PR-18.432 MHz	-	RFQ	1208	Renesas Electronics America Inc	fxtc-he73	조각	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.283 "L x 0.205"W (7.20mm x 5.20mm)	0.094 "(2.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	TCXO		18.432 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	40ma	결정	± 2.5ppm	-		-
XLH736172.753867I	-	RFQ	6328	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH736	172.753867 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	55MA	결정	± 25ppm	-		-
4HF212500Z3AACTGI8	-	RFQ	8186	Renesas Electronics America Inc	4HF	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		212.5 MHz	lvpecl	3.3v	-		3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	500	활성화/비활성화	-	MEMS	± 50ppm	-		-
XLH726024.545400I	1.6867	RFQ	7355	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH726	24.5454 MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH726024.545400IT	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	25MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XLL536A00.000000X	-	RFQ	7687	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-LC53	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll536	1GHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	100ma	결정	± 25ppm	-		-
XLH725080.000000X	1.4696	RFQ	2313	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC72	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH725	80MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	29ma	결정	± 50ppm	-		-
XLH735004.032000I	1.5698	RFQ	8533	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	4.032 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH735004.032000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLP53VA00.000000X	-	RFQ	9326	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-PC53	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLP53V	1GHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	-	± 50ppm		-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (8591)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²