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발진기 (8591)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
XLH730037.795300I	1.5698	RFQ	2004	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH730	37.7953 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH730037.795300IT	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 100ppm	-	-	-
XLP528200.000000X	4.6092	RFQ	9883	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP528	200MHz	lvpecl	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLP528200.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	41MA	결정	± 100ppm	-	-	-
XLH525012.000000I	1.0187	RFQ	2447	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH525	12MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH525012.000000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH320030.000000X	0.9352	RFQ	8352	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH320	30MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH320030.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	25MA	결정	± 100ppm	-	-	-
XUQ536300.000000I	4.8931	RFQ	7792	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUQ536	300MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUQ536300.0000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	128ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH320001.000000I	1.0187	RFQ	3786	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH320	1MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH320001.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	22MA	결정	± 100ppm	-	-	-
XLP73V045.696000I	-	RFQ	3362	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-PC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLP73V	45.696 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	-	± 50ppm		-
XLL73V666.514300I	-	RFQ	4625	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-LC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	xll73v	666.5143 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	100ma	결정	-	± 50ppm		-
XLH73V049.152000I	2.1209	RFQ	4944	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-HC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH73V	49.152 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	-	± 50ppm		-
XLH536088.000000I	1.6867	RFQ	5538	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH536	88MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	47ma	결정	± 25ppm	-		-
XLM520065.010000I	3.2732	RFQ	4258	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLM520	65.01 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLM520065.010000IT	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	34ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH536026.000000I	1.3600	RFQ	3871	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH536	26 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 25ppm	-		35MA
XLH735024.540000I	-	RFQ	6435	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	24.54 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	35MA	결정	± 50ppm	-		-
XLP73V693.480000X	-	RFQ	2599	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-PC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLP73V	693.48 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	-	± 50ppm		-
4HF156250Z3BACXGI	-	RFQ	9101	Renesas Electronics America Inc	4HF	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		156.25 MHz	lvpecl	2.5V	다운로드		3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	90ma (유형)	MEMS	± 50ppm	-		-
XLH730026.666700X	-	RFQ	1192	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH730	26.6667 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	35MA	결정	± 100ppm	-		-
XLH73V061.440000I	-	RFQ	2972	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-HC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH73V	61.44 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	47ma	결정	-	± 50ppm		-
XLL725096.000000X	-	RFQ	6871	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-LC72	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll725	96 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	65MA	결정	± 50ppm	-		-
XLP73V098.304000I	-	RFQ	9316	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-PC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLP73V	98.304 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	-	± 50ppm		-
XLH73V012.280000I	-	RFQ	3364	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-HC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH73V	12.28 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	32MA	결정	-	± 50ppm		-
XUP736161.132812I	4.8931	RFQ	7180	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xup736	161.132812 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUP736161.132812ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	115ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLP730240.000000X	-	RFQ	2617	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-PC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP730	240 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	± 100ppm	-		-
XLH536002.000000I	1.6867	RFQ	2807	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH536	2 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH536002.000000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH730104.000000X	1.4696	RFQ	8812	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH730	104 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH730104.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	47ma	결정	± 100ppm	-	-	-
XLH735011.520000I	-	RFQ	1857	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	11.52 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-		-
XLH735049.090900X	-	RFQ	1766	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	49.0909 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	35MA	결정	± 50ppm	-		-
XLH73V001.544000I	2.1209	RFQ	1995	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-HC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH73V	1.544 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	-	± 50ppm		-
XLP736075.000000I	-	RFQ	2645	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-PC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP736	75MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	± 25ppm	-		-
XLH536100.000000X	-	RFQ	2679	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC53	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH536	100MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	47ma	결정	± 25ppm	-		-
XLP736780.000000I	1.8370	RFQ	1990	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-PC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP736	780MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	± 25ppm	-		-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (8591)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²