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발진기 (8591)
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| XLH736001.544000X | - | | 8890 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH736 | 1.544 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | |||
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| XLH736045.500000X | - | | 5229 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH736 | 45.5 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 35MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | |||
| XLH538044.000000X | - | | 3225 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC53 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH538 | 44 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 35MA | 결정 | ± 20ppm | - | - | |||
| XLL735A00.000000I | 3.9412 | | 5101 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-LC73 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | xll735 | 1GHz | LVD | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 100ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
| XLH725025.145000X | - | | 8590 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC72 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH725 | 25.145 MHz | HCMOS | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 25MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
| 4HF100000Z4BACXGI | - | | 4419 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 4HF | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 100MHz | LVD | 2.5V | - | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | - | MEMS | ± 50ppm | - | - | ||||||
| XLL73V296.703200I | 4.2585 | | 1064 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 특대 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.057 "(1.45mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | xll73v | 296.7032 MHz | LVD | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XLL73V296.703200IT | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 100ma | 결정 | - | - | - | - | |
| 4MA133333Z4AACUGI | - | | 2270 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 4MA | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 133.333 MHz | LVD | 3.3v | - | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 105ma (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | ||||||
| XLH535004.000000X | - | | 3356 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC53 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH535 | 4 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 32MA | 결정 | ± 50ppm | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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