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발진기 (8591)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
XLM338003.200000X	4.2585	RFQ	8390	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLM338	3.2 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLM338003.200000XTR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 20ppm	-	-	-
XLH538002.048000X	1.6867	RFQ	6567	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH538	2.048 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH538002.048000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 20ppm	-	-	-
XLL726309.000000I	1.6110	RFQ	6546	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll726	309 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL726309.0000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	44MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XLQ535A90.000000K	1.7574	RFQ	3490	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLQ535	1.09 GHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLQ535A90.000000KTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLQ336C50.000000I	4.2585	RFQ	4553	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLQ336	1.25GHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLQ336C50.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	120ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XAH730008.000000K	1.7368	RFQ	5175	Renesas Electronics America Inc	XA	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q200	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XAH730	8 MHz	HCMOS	3.3v	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XAH730008.000000KTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 100ppm	-	-	-
XLM336048.000000I	3.6406	RFQ	4990	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLM336	48MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLM336048.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLL73VB52.000000X	4.6092	RFQ	8858	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	xll73v	1.152 GHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL73VB52.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	-	-	-	-
XLH335045.000000I	1.5698	RFQ	8845	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH335	45MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH335045.000000000	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH336054.000000I	1.6867	RFQ	6008	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH336	54 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH336054.0000000	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	47ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XPL736125.000000I	9.6359	RFQ	9309	Renesas Electronics America Inc	xp	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XPL736	125MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XPL736125.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	67ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH335014.187500X	1.4696	RFQ	5287	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH335	14.1875 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH335014.187500XTR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH335024.545455I	1.5698	RFQ	3597	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH335	24.545455 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH335024.545455ITR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLM738270.000000X	4.1917	RFQ	5305	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLM738	270 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLM738270.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 20ppm	-	-	-
XLM526200.000000I	1.7574	RFQ	5523	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLM526	200MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLM526200.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	34ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH735016.666600I	1.5698	RFQ	3914	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	16.6666 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH735016.666600IT	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLM328200.000000X	4.6092	RFQ	5612	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLM328	200MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLM328200.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	34ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH536198.000000I	1.8036	RFQ	2850	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH536	198 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH536198.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	55MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XLQ736400.000000I	-	RFQ	7704	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLQ736	400MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLQ736400.000000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XUH718033.333000X	4.2585	RFQ	6058	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUH718	33.333 MHz	HCMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XUH718033.333000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	58ma	결정	± 20ppm	-	-	-
XLL730A00.000000X	3.6406	RFQ	7323	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll730	1GHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-xll730a00.000000xtr	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH330030.000000I	1.0187	RFQ	3731	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH330	30MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH330030.0000000	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 100ppm	-	-	-
XLL720132.000000I	3.6406	RFQ	1848	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll720	132 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL720132.0000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	34ma	결정	± 100ppm	-	-	-
XUH526050.000000I	3.9412	RFQ	4159	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUH526	50MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XUH526050.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	80ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XUQ735160.000000I	-	RFQ	6126	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUQ735	160MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUQ735160.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	115ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XPC315808.123456K	12.5918	RFQ	5104	Renesas Electronics America Inc	xp	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XPC315	808.123456 MHz	CML	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XPC315808.123456KTR	귀 99	8542.39.0001	500	활성화/비활성화	61ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH526016.000000X	0.9352	RFQ	4595	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH526	16MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH526016.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	22MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XUH515048.000000I	3.5571	RFQ	1749	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUH515	48MHz	HCMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUH515048.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	58ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH736147.456000I	1.8036	RFQ	5350	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH736	147.456 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH736147.456000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	55MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XLL728027.000000X	4.2585	RFQ	3637	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll728	27 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-xll728027.000000xtr	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	34ma	결정	± 20ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (8591)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²