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발진기 (8591)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
XLL336333.330000I	4.2585	RFQ	3560	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll336	333.33 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL336333.3300000	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLL525010.000000I	3.2899	RFQ	2064	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll525	10MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL525010.0000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	26MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH326100.000000X	1.5698	RFQ	4411	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH326	100MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH326100.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	29ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLL530108.000000I	3.2732	RFQ	500	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll530	108 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL530108.000000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 100ppm	-	-	-
XLH735168.000000I	1.6867	RFQ	8141	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	168 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH735168.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	55MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH730012.800000X	1.4696	RFQ	8106	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH730	12.8 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH730012.800000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 100ppm	-	-	-
XLH735001.920000I	1.5698	RFQ	9488	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	1.92 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH735001.920000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XUL715050.000000X	3.9412	RFQ	3294	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL715	50MHz	LVD	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL715050.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	65MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLL526250.000000I	3.9412	RFQ	3862	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll526	250MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL526250.000000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	44MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XUL736A30.000000X	4.8931	RFQ	4963	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL736	1.03 GHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL736A30.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	122MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XUL516300.000000I	4.8931	RFQ	5161	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL516	300MHz	LVD	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL516300.000000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	65MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH525010.000000I	1.0187	RFQ	3509	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH525	10MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH525010.0000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLL530120.000000X	3.0227	RFQ	9391	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll530	120MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-xll530120.000000xtr	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 100ppm	-	-	-
XLL335130.250000X	3.3400	RFQ	5872	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll335	130.25 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-xll335130.250000xtr	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLL736122.880000I	3.6406	RFQ	8435	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll736	122.88 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL736122.880000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLL335156.250000I	1.9039	RFQ	2821	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll335	156.25 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL335156.250000ITR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLL535026.000000X	3.0227	RFQ	4996	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll535	26 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-xll535026.000000xtr	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLM338070.656000X	1.6842	RFQ	1592	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLM338	70.656 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-xlm338070.656000xtr	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 100ppm	-	-	-
XLL535143.000000I	1.7574	RFQ	8132	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll535	143 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLL535143.0000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XUL525212.500000I	4.6092	RFQ	5701	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL525	212.5 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL525212.500000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	90ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLL538048.000000X	4.2585	RFQ	7226	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll538	48MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-xll538048.000000xtr	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 20ppm	-	-	-
XUP526644.531250X	4.8931	RFQ	2561	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xup526	644.53125 MHz	lvpecl	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUP526644.531250XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	118ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH53V024.883200X	1.9706	RFQ	5339	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH53V	24.8832 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH53V024.883200XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	-	-	-	-
XLH326001.000000I	1.1523	RFQ	3024	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH326	1MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH326001.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	22MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XAL335100.000000K	1.7574	RFQ	5817	Renesas Electronics America Inc	XA	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q200	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XAL335	100MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XAL335100.000000KTR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLP735322.265625I	1.6110	RFQ	5474	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP735	322.265625 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLP735322.265625ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH726155.520000I	1.8036	RFQ	1758	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH726	155.52 MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH726155.5200000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 20ppm	-	-	-
XLL526155.560000I	3.6406	RFQ	4612	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll526	155.56 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL526155.560000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	34ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH335014.750000X	1.4696	RFQ	9599	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH335	14.75 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH335014.750000XTR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH738012.920000X	1.6867	RFQ	8627	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH738	12.92 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH738012.920000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 20ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (8591)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²