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발진기 (8591)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
XLL330011.059000I	3.2732	RFQ	8879	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll330	11.059 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLL330011.059000ITR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 100ppm	-	-	-
XUL735650.000000X	4.6092	RFQ	4748	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL735	650MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL735650.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	122MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH73V021.096100I	2.1209	RFQ	1328	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH73V	21.0961 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH73V021.096100IT	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	-	-	-	-
XLH535009.175000I	1.5698	RFQ	2945	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH535	9.175 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH535009.175000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLL336008.192000I	3.9412	RFQ	5236	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll336	8.192 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLL336008.192000ITR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XPL536161.132812I	9.6526	RFQ	8754	Renesas Electronics America Inc	xp	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XPL536	161.132812 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XPL536161.132812ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	67ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH726026.000000I	1.1523	RFQ	6300	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH726	26 MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH726026.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	25MA	결정	± 25ppm	-	-	-
xux515025.000000i	4.2585	RFQ	4381	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xux515	25MHz	HCMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUX515025.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	58ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLP736100.300000I	3.6406	RFQ	9479	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP736	100.3 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLP736100.300000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XUL535800.000000X	4.8931	RFQ	1603	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL535	800MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL535800.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	122MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH53V013.107200I	2.1209	RFQ	7852	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH53V	13.1072 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH53V013.107200IT	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	-	-	-	-
XLH535035.000000X	1.4696	RFQ	3109	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH535	35MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH535035.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XUL536270.000000I	2.1210	RFQ	1768	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL536	270 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL536270.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	97ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XUO535133.333333I	4.6092	RFQ	6435	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUO535	133.333333 MHz	HCSL	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XUO535133.333333ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	145ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH335006.560000X	1.4696	RFQ	4817	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH335	6.56 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH335006.560000XTR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-	-	-
xux730000.020000x	3.9412	RFQ	1250	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xux730	20 kHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-xux730000.020000xtr	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	98ma	결정	± 100ppm	-	-	-
XLH735022.400000I	1.5698	RFQ	6190	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	22.4 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH735022.400000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH535033.333333X	1.4696	RFQ	5561	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH535	33.333333 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-xlh535033.333333xtr	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XPP336040.000000I	9.6359	RFQ	4471	Renesas Electronics America Inc	xp	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XPP336	40MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XPP336040.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	500	활성화/비활성화	94ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLL335200.000000I	3.6406	RFQ	4168	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll335	200MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL335200.000000000	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH730028.450560I	1.5698	RFQ	7675	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH730	28.45056 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH730028.450560IT	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 100ppm	-	-	-
XLH330033.333000X	0.9352	RFQ	5695	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH330	33.333 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH330033.333000XTR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 100ppm	-	-	-
XUP525161.132813X	4.2585	RFQ	8977	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUP525	161.132813 MHz	lvpecl	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUP525161.132813XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	102ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH735027.120000I	1.5698	RFQ	5345	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	27.12 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH735027.1200000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XUN718100.000000X	2.0649	RFQ	6081	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUN718	100MHz	HCSL	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUN718100.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	68ma	결정	± 20ppm	-	-	-
XAH336080.000000I	1.8704	RFQ	2032	Renesas Electronics America Inc	XA	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q200	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XAH336	80MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XAH336080.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	47ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLM736133.333000I	3.9412	RFQ	8173	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLM736	133.333 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLM736133.333000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XUL525150.000000I	4.6092	RFQ	5983	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL525	150MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL525150.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	90ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLP536155.523888I	3.6406	RFQ	4414	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP536	155.523888 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLP536155.523888IT	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XUL535156.250000I	3.7075	RFQ	5841	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL535	156.25 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL535156.250000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	97ma	결정	± 50ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (8591)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²