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XLH530066.666000I Renesas Electronics America Inc XLH530066.666000I -
RFQ
ECAD 6365 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH530 66.666 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 100ppm - -
XLH530064.000000I Renesas Electronics America Inc XLH530064.000000I 1.5698
RFQ
ECAD 2520 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH530 64 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 100ppm - -
XLH530048.000000I Renesas Electronics America Inc XLH530048.000000I 1.0187
RFQ
ECAD 2849 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH530 48MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH530027.000000I Renesas Electronics America Inc XLH530027.000000I 0.8183
RFQ
ECAD 9164 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH530 27 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH535160.000000X Renesas Electronics America Inc XLH535160.000000X 1.5698
RFQ
ECAD 1707 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 160MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535133.330000X Renesas Electronics America Inc XLH535133.330000X -
RFQ
ECAD 6065 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 133.33 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535100.000000X Renesas Electronics America Inc XLH535100.000000X 2.2000
RFQ
ECAD 5381 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 100MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH535075.000000X Renesas Electronics America Inc XLH535075.000000X -
RFQ
ECAD 7459 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 75MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH535067.250000X Renesas Electronics America Inc XLH535067.250000X -
RFQ
ECAD 7127 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 67.25 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH535066.500000X Renesas Electronics America Inc XLH535066.500000X -
RFQ
ECAD 8580 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 66.5 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH535062.500000X Renesas Electronics America Inc XLH535062.500000X -
RFQ
ECAD 1511 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 62.5 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH535033.333000X Renesas Electronics America Inc XLH535033.333000X 1.3000
RFQ
ECAD 1227 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 33.333 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535033.330000X Renesas Electronics America Inc XLH535033.330000X -
RFQ
ECAD 4585 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 33.33 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535028.750000X Renesas Electronics America Inc XLH535028.750000X -
RFQ
ECAD 2136 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 28.75 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535028.636360X Renesas Electronics America Inc XLH535028.636360X -
RFQ
ECAD 4031 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 28.63636 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535026.670000X Renesas Electronics America Inc XLH535026.670000X -
RFQ
ECAD 7283 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 26.67 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535016.562500X Renesas Electronics America Inc XLH535016.562500X -
RFQ
ECAD 3309 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 16.5625 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535013.560000X Renesas Electronics America Inc XLH535013.560000X -
RFQ
ECAD 2753 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 13.56 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535012.288000X Renesas Electronics America Inc XLH535012.288000X -
RFQ
ECAD 9992 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 12.288 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535004.096000X Renesas Electronics America Inc XLH535004.096000X -
RFQ
ECAD 2891 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 4.096 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535180.000000I Renesas Electronics America Inc XLH535180.000000I -
RFQ
ECAD 6756 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 180MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535147.456000I Renesas Electronics America Inc XLH535147.456000I -
RFQ
ECAD 3190 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 147.456 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535128.067000I Renesas Electronics America Inc XLH535128.067000I -
RFQ
ECAD 8278 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 128.067 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH535106.250000I Renesas Electronics America Inc XLH535106.250000I 1.5698
RFQ
ECAD 6314 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 106.25 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH535099.000000I Renesas Electronics America Inc XLH535099.000000I -
RFQ
ECAD 2835 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 99MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH535066.000000I Renesas Electronics America Inc XLH535066.000000I 1.5698
RFQ
ECAD 4268 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 66MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH535050.625000I Renesas Electronics America Inc XLH535050.625000I -
RFQ
ECAD 7309 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 50.625 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH535048.000000I Renesas Electronics America Inc XLH535048.000000I 0.8183
RFQ
ECAD 6695 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 48MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535033.333300I Renesas Electronics America Inc XLH535033.333300I -
RFQ
ECAD 2065 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 33.3333 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535032.768000I Renesas Electronics America Inc XLH535032.768000I -
RFQ
ECAD 1190 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 32.768 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고