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발진기 (8591)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
XUL535250.000000X	4.2585	RFQ	2023	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL535	250MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL535250.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	97ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH525030.000000I	1.0187	RFQ	3185	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH525	30MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH525030.000000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	25MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XUH535000.034133I	3.6406	RFQ	1480	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUH535	34.133 kHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUH535000.034133ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	98ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XPL316026.000000I	9.6359	RFQ	4949	Renesas Electronics America Inc	xp	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XPL316	26 MHz	LVD	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XPL316026.0000000	귀 99	8542.39.0001	500	활성화/비활성화	66MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XUM738156.250000X	4.8931	RFQ	1092	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xum738	156.25 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XUM738156.250000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	97ma	결정	± 20ppm	-	-	-
XLH736025.600000I	1.7034	RFQ	3065	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH736	25.6 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH736025.600000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XLL725106.250000I	3.2732	RFQ	7426	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll725	106.25 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL725106.25000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	34ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XUL535156.253906I	4.6092	RFQ	4306	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL535	156.253906 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL535156.253906IT	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	97ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XUP736025.000000X	4.2585	RFQ	1821	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xup736	25MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XUP736025.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	115ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH725001.000000I	1.0187	RFQ	7259	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH725	1MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH725001.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLL730091.860000X	3.0227	RFQ	5778	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll730	91.86 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-xll730091.860000xtr	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 100ppm	-	-	-
XUL515160.000000I	4.6092	RFQ	6330	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL515	160MHz	LVD	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL515160.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	65MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLL335091.000000X	3.0227	RFQ	6935	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll335	91 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-xll335091.000000xtr	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XUH536010.000000I	3.8911	RFQ	5069	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUH536	10MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUH536010.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	98ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XUL510100.000000X	3.9412	RFQ	7399	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL510	100MHz	LVD	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL510100.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	65MA	결정	± 100ppm	-	-	-
XLH735024.704000I	1.5698	RFQ	2733	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	24.704 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH735024.704000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH53V106.832240X	1.9706	RFQ	7207	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH53V	106.83224 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH53V106.832240XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	47ma	결정	-	-	-	-
XUH536024.000000I	3.9412	RFQ	5082	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUH536	24 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUH536024.0000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	98ma	결정	± 25ppm	-	-	-
xll736094.697000i	3.6406	RFQ	8102	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll736	94.697 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL736094.697000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH326080.000000I	1.4938	RFQ	4563	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH326	80MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH326080.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	29ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLL525644.530000I	3.9412	RFQ	2713	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll525	644.53 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLL525644.5300000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	65MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH725096.000000X	1.4696	RFQ	7884	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH725	96 MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH725096.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	29ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLP735114.285000I	3.2732	RFQ	8333	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP735	114.285 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLP735114.285000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH536024.576000X	1.5698	RFQ	6582	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH536	24.576 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH536024.576000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XUN736156.250000I	4.8931	RFQ	7920	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUN736	156.25 MHz	HCSL	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUN736156.250000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	145ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XUL525250.000000I	4.6092	RFQ	3170	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL525	250MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL525250.0000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	90ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLP536156.257812X	3.6406	RFQ	3005	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP536	156.257812 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-xlp536156.257812xtr	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH330030.000000X	0.9352	RFQ	6128	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH330	30MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH330030.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 100ppm	-	-	-
XLL736024.576000I	3.6406	RFQ	1285	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll736	24.576 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL736024.576000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH735029.412000I	1.5698	RFQ	9329	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	29.412 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH735029.412000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 50ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (8591)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²