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XLH736032.110000I Renesas Electronics America Inc XLH736032.110000I -
RFQ
ECAD 7148 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH736 32.11 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 25ppm - -
XLH730039.936000I Renesas Electronics America Inc XLH730039.936000I -
RFQ
ECAD 2050 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 39.936 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730033.330000I Renesas Electronics America Inc XLH730033.330000I -
RFQ
ECAD 9613 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 33.33 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730033.177600I Renesas Electronics America Inc XLH730033.177600I -
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ECAD 9472 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 33.1776 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730027.500000I Renesas Electronics America Inc XLH730027.500000I -
RFQ
ECAD 2562 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 27.5 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730016.500000I Renesas Electronics America Inc XLH730016.500000I -
RFQ
ECAD 6640 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 16.5 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730014.950000I Renesas Electronics America Inc XLH730014.950000I -
RFQ
ECAD 3286 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 14.95 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730014.745600I Renesas Electronics America Inc XLH730014.745600I 1.5698
RFQ
ECAD 9788 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 14.7456 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730014.450000I Renesas Electronics America Inc XLH730014.450000I -
RFQ
ECAD 2902 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 14.45 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730012.000000I Renesas Electronics America Inc XLH730012.000000I 1.0187
RFQ
ECAD 3279 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 12MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730008.600000I Renesas Electronics America Inc XLH730008.600000I -
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ECAD 5376 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 8.6 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730007.864320I Renesas Electronics America Inc XLH730007.864320I -
RFQ
ECAD 6160 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 7.86432 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730007.680000I Renesas Electronics America Inc XLH730007.680000I 1.5698
RFQ
ECAD 4476 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 7.68 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730007.500000I Renesas Electronics America Inc XLH730007.500000I -
RFQ
ECAD 5179 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 7.5 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730007.372000I Renesas Electronics America Inc XLH730007.372000I 1.5698
RFQ
ECAD 5971 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 7.372 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730006.144000I Renesas Electronics America Inc XLH730006.144000I 1.5698
RFQ
ECAD 6564 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 6.144 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730004.915200I Renesas Electronics America Inc XLH730004.915200I -
RFQ
ECAD 9940 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 4.9152 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730004.096000I Renesas Electronics America Inc XLH730004.096000I 1.5698
RFQ
ECAD 9142 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 4.096 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730002.034000I Renesas Electronics America Inc XLH730002.034000I -
RFQ
ECAD 1541 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 2.034 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH735212.000000X Renesas Electronics America Inc XLH735212.000000X -
RFQ
ECAD 5728 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 212 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 50ppm - -
XLH735161.044000X Renesas Electronics America Inc XLH735161.044000X -
RFQ
ECAD 8083 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 161.044 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735133.500000X Renesas Electronics America Inc XLH735133.500000X -
RFQ
ECAD 9415 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 133.5 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735094.000000X Renesas Electronics America Inc XLH735094.000000X 1.4696
RFQ
ECAD 7950 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 94 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH735087.654000X Renesas Electronics America Inc XLH735087.654000X -
RFQ
ECAD 3917 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 87.654 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH735082.000000X Renesas Electronics America Inc XLH735082.000000X -
RFQ
ECAD 1700 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 82 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH735070.656000X Renesas Electronics America Inc XLH735070.656000X -
RFQ
ECAD 7157 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 70.656 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH735068.000000X Renesas Electronics America Inc XLH735068.000000X -
RFQ
ECAD 9601 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 68MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH735065.653000X Renesas Electronics America Inc XLH735065.653000X -
RFQ
ECAD 7951 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 65.653 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH735051.840000X Renesas Electronics America Inc XLH735051.840000X -
RFQ
ECAD 7666 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 51.84 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH735038.785316X Renesas Electronics America Inc XLH735038.785316X -
RFQ
ECAD 5421 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 38.785316 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고