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발진기 (8591)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
XUL535400.000000I	2.1210	RFQ	6299	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL535	400MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL535400.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	97ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH73V028.224000I	2.1209	RFQ	8904	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH73V	28.224 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH73V028.224000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	-	-	-	-
XUL515644.531250i	2.1210	RFQ	1846	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL515	644.53125 MHz	LVD	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL515644.531250	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	72MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH325050.000000X	0.9352	RFQ	4335	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC32	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH325	50MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	25MA	결정	± 50ppm	-		-
XLH736059.941610I	2.1600	RFQ	914	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH736	59.94161 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	47ma	결정	± 25ppm	-		-
XLL73V018.500000X	-	RFQ	2449	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-LC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	xll73v	18.5MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	100ma	결정	-	± 50ppm		-
XLP73V245.760000I	4.2585	RFQ	3304	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLP73V	245.76 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLP73V245.760000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	-	-	-	-
XLP735161.132800X	-	RFQ	3427	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-PC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP735	161.1328 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	± 50ppm	-		-
XLH53V090.000000X	-	RFQ	1239	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-HC53	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH53V	90MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	47ma	결정	-	± 50ppm		-
4HF200000Z3AACTGI	-	RFQ	7832	Renesas Electronics America Inc	4HF	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		200MHz	lvpecl	3.3v	-		3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	70	활성화/비활성화	95MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-		-
XLH736030.000000X	1.0187	RFQ	2329	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH736	30MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 25ppm	-		-
XLH730140.000000X	1.5698	RFQ	1578	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH730	140MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH730140.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	55MA	결정	± 100ppm	-	-	-
XLH730073.000000X	-	RFQ	3457	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH730	73MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	47ma	결정	± 100ppm	-		-
4HF100000Z3AACXGI8	-	RFQ	8488	Renesas Electronics America Inc	4HF	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		100MHz	lvpecl	3.3v	다운로드		3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	500	활성화/비활성화	-	MEMS	± 50ppm	-		-
XLH735150.550000I	-	RFQ	9999	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	150.55 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	55MA	결정	± 50ppm	-		-
XLH735036.000000X	-	RFQ	9467	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	36 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	35MA	결정	± 50ppm	-		-
XLH736005.000000X	-	RFQ	4471	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-HC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH736	5 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	32MA	결정	± 25ppm	-		-
XLH72V025.000000X	-	RFQ	7242	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-HC72	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH72V	25MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	25MA	결정	-	± 50ppm		-
XLH535024.545400X	1.4696	RFQ	1322	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH535	24.5454 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH535024.545400XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XUP536125.000000X	4.2585	RFQ	1376	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xup536	125MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUP536125.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	115ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XUL518300.000000X	4.8931	RFQ	5549	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL518	300MHz	LVD	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL518300.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	65MA	결정	± 20ppm	-	-	-
XLP735032.000000X	-	RFQ	9314	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-PC73	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP735	32 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	± 50ppm	-		-
XLH335070.500000I	1.5698	RFQ	1809	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH335	70.5 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH335070.500000ITR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	47ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLP736420.000000I	-	RFQ	7723	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FXO-PC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP736	420 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	120ma	결정	± 25ppm	-		-
XLL73VB52.000000I	1.6110	RFQ	7976	Renesas Electronics America Inc	Xpresso ™ FVXO-LC73	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	xll73v	1.152 GHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	-	± 50ppm		-
XUL535212.500JS6I8	-	RFQ	9548	Renesas Electronics America Inc	xul	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL535	212.5 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	500	활성화/비활성화	97ma	결정	± 50ppm	-		-
XLL325200.000000I	3.6406	RFQ	5965	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll325	200MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL325200.000000000	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	34ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XUH518012.000000X	1.9771	RFQ	3674	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUH518	12MHz	HCMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XUH518012.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	58ma	결정	± 20ppm	-	-	-
XUP736156.250000K	2.1775	RFQ	4651	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		156.25 MHz	lvpecl	3.3v	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		800-XUP736156.250000KTR			1,000	활성화/비활성화	115ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH526066.666000I	1.6867	RFQ	7395	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH526	66.666 MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH526066.666000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	29ma	결정	± 25ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (8591)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²