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| XLL52V297.000000I | 1.7720 | | 2868 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 특대 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | xll52v | 297 MHz | LVD | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XLL52V297.000000ITR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 44MA | 결정 | ± 100ppm | - | - | - | |
 | XUL536100.000JS6I | - | | 8133 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | xul | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | XUL536 | 100MHz | LVD | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 97ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | |||
| XLH730070.000000I | 1.5698 | | 7588 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH730 | 70MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 47ma | 결정 | ± 100ppm | - | - | |||
| XUP735133.330000I | 2.0649 | | 5712 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | xu | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.057 "(1.45mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | xup735 | 133.33 MHz | lvpecl | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 800-XUP735133.3300000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 115ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||
| XLH73V044.736000X | 1.4153 | | 7638 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FVXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | XLH73V | 44.736 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | 결정 | - | ± 50ppm | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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