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| 4MA159375Z3AACTGI8 | - | | 3502 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 4MA | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 159.375 MHz | lvpecl | 3.3v | - | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 활성화/비활성화 | 100ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | ||||||
| XUL735161.000000I | 2.0649 | | 4233 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | xu | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.057 "(1.45mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XUL735 | 161 MHz | LVD | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 800-XUL735161.000000ITR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 97ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||
| XLH736077.780000X | - | | 5717 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH736 | 77.78 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 47ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | |||
| XLH735088.000000X | - | | 6624 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH735 | 88MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 47ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
| XLL335148.500000I | 3.6406 | | 8708 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 특대 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | xll335 | 148.5 MHz | LVD | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XLL335148.500000ITR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 활성화/비활성화 | 100ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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