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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
XLH730008.192000I Renesas Electronics America Inc XLH730008.192000I -
RFQ
ECAD 9817 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 8.192 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XUP735360.000000X Renesas Electronics America Inc XUP735360.000000X 4.6092
RFQ
ECAD 2830 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) xup735 360 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 800-XUP735360.000000XTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 128ma 결정 ± 50ppm - - -
XLP725200.000000I Renesas Electronics America Inc XLP725200.000000I 1.6110
RFQ
ECAD 8860 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLP725 200MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 800-XLP725200.0000000 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 41MA 결정 ± 50ppm - - -
4MA300000Z4AACTGI Renesas Electronics America Inc 4MA300000Z4AACTGI -
RFQ
ECAD 1135 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 4MA 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 300MHz LVD 3.3v - 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 70 활성화/비활성화 105ma (유형) MEMS ± 50ppm - -
XLH738024.000000X Renesas Electronics America Inc XLH738024.000000X -
RFQ
ECAD 6910 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH738 24 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 20ppm - -
XLL73V009.123456X Renesas Electronics America Inc XLL73V009.123456X -
RFQ
ECAD 6322 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-LC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO xll73v 9.123456 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 100ma 결정 - ± 50ppm -
XLP526156.250000I Renesas Electronics America Inc XLP526156.250000I 3.6406
RFQ
ECAD 1337 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-PC52 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLP526 156.25 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 41MA 결정 ± 25ppm - -
XLH530013.560000X Renesas Electronics America Inc XLH530013.560000X 1.4696
RFQ
ECAD 8811 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH530 13.56 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH73V112.896000X Renesas Electronics America Inc XLH73V112.896000X -
RFQ
ECAD 1598 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH73V 112.896 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 - ± 50ppm -
4HF212500Z3BACXGI8 Renesas Electronics America Inc 4HF212500Z3BACXGI8 -
RFQ
ECAD 4952 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 4HF 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 212.5 MHz lvpecl 2.5V - 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 - MEMS ± 50ppm - -
XLH525050.000000X Renesas Electronics America Inc XLH525050.000000X 0.9352
RFQ
ECAD 7163 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH525 50MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 50ppm - -
XLP726300.000000I Renesas Electronics America Inc XLP726300.000000I 10.6700
RFQ
ECAD 596 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-PC72 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLP726 300MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 63MA 결정 ± 25ppm - -
4HF156250Z3BACUGI8 Renesas Electronics America Inc 4HF156250Z3BACUGI8 -
RFQ
ECAD 2946 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 4HF 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 90ma (유형) MEMS ± 50ppm - -
XLH730033.333000I Renesas Electronics America Inc XLH730033.333000I 1.4000
RFQ
ECAD 6889 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 33.333 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH525042.500000X Renesas Electronics America Inc XLH525042.500000X -
RFQ
ECAD 8461 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH525 42.5 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 50ppm - -
XLH736170.000000I Renesas Electronics America Inc XLH736170.000000I 1.8036
RFQ
ECAD 6825 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH736 170 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 25ppm - -
XLH53V234.370000X Renesas Electronics America Inc XLH53V234.370000X -
RFQ
ECAD 2016 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 234.37 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 60ma 결정 - ± 50ppm -
XLH53V160.000000I Renesas Electronics America Inc XLH53V160.000000I -
RFQ
ECAD 3768 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 160MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 55MA 결정 - ± 50ppm -
XLH53V120.000000I Renesas Electronics America Inc XLH53V120.000000I -
RFQ
ECAD 6374 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 120MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 - ± 50ppm -
XLL735A00.000000X Renesas Electronics America Inc XLL735A00.000000X 5.2772
RFQ
ECAD 6251 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-LC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) xll735 1GHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 100ma 결정 ± 50ppm - -
XLH53V019.200000I Renesas Electronics America Inc XLH53V019.200000I -
RFQ
ECAD 7135 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 19.2 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 - ± 50ppm -
XLH73V148.500000X Renesas Electronics America Inc XLH73V148.500000X 2.1209
RFQ
ECAD 1186 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH73V 148.5 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 55MA 결정 - ± 50ppm -
XLH735020.833333X Renesas Electronics America Inc XLH735020.833333X 1.4696
RFQ
ECAD 5264 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 20.833333 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 800-XLH735020.833333xtr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - - -
XLH530003.579545I Renesas Electronics America Inc XLH530003.579545I -
RFQ
ECAD 7001 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH530 3.579545 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH535020.000000X Renesas Electronics America Inc XLH535020.000000X 0.9352
RFQ
ECAD 2584 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 20MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535001.843200X Renesas Electronics America Inc XLH535001.843200X -
RFQ
ECAD 5976 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 1.8432 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH530011.289600X Renesas Electronics America Inc XLH530011.289600X -
RFQ
ECAD 8135 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH530 11.2896 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XUN536027.000000I Renesas Electronics America Inc XUN536027.000000I 1.9771
RFQ
ECAD 9323 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XUN536 27 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 800-XUN536027.0000000 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 145ma 결정 ± 25ppm - - -
XLH336031.948512I Renesas Electronics America Inc XLH336031.948512I 1.5494
RFQ
ECAD 5417 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 31.948512 MHz LVCMOS 3.3v - Rohs3 준수 1 (무제한) 800-XLH336031.948512ITR 2,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 25ppm - - -
4HF212500Z3BACTGI Renesas Electronics America Inc 4HF212500Z3BACTGI -
RFQ
ECAD 5814 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 4HF 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 212.5 MHz lvpecl 2.5V - 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 70 활성화/비활성화 - MEMS ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고