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| XLL525218.750000I | 3.6406 | | 6378 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 특대 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | xll525 | 218.75 MHz | LVD | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XLL525218.750000ITR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 44MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |
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 | XLH538040.000000X | 1.6867 | | 4314 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC53 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH538 | 40MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | 결정 | ± 20ppm | - | - | |||
| XLH525048.000000X | 0.9352 | | 4114 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 특대 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH525 | 48MHz | HCMOS | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 800-XLH525048.000000XTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 25MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||
| XLH736027.491200I | - | | 9292 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH736 | 27.4912 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 35MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | |||
| XLH735120.000000I | 1.5698 | | 3613 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH735 | 120MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 47ma | 결정 | ± 50ppm | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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