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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
XUL515033.330000I Renesas Electronics America Inc XUL515033.330000I 4.6092
RFQ
ECAD 8017 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XUL515 33.33 MHz LVD 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 800-XUL515033.330000ITR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 65MA 결정 ± 50ppm - - -
XLH336100.000000I Renesas Electronics America Inc XLH336100.000000I 1.6867
RFQ
ECAD 9489 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH336 100MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 800-XLH336100.000000ITR 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 25ppm - - -
XUP736644.531200X Renesas Electronics America Inc XUP736644.531200X 4.8931
RFQ
ECAD 8859 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) xup736 644.5312 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 800-XUP736644.531200XTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 142MA 결정 ± 25ppm - - -
XUP536100.000000X Renesas Electronics America Inc XUP536100.000000X 2.1210
RFQ
ECAD 9928 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) xup536 100MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 800-XUP536100.000000XTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 115ma 결정 ± 25ppm - - -
XLH736002.097152I Renesas Electronics America Inc XLH736002.097152I 1.4153
RFQ
ECAD 3558 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH736 2.097152 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 800-XLH736002.097152ITR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 25ppm - - -
XFL336156.250000I Renesas Electronics America Inc XFL336156.250000I 12.8400
RFQ
ECAD 4879 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xf 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.037 "(0.95mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 800-XFL336156.250000I 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 67ma 결정 ± 25ppm - - -
XLL536008.192000I Renesas Electronics America Inc XLL536008.192000I 3.6406
RFQ
ECAD 7771 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 8.192 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 800-XLL536008.192000ITR 귀 99 8541.60.0080 1 활성화/비활성화 37ma 결정 ± 25ppm - - -
XFP536A00.000000I Renesas Electronics America Inc XFP536A00.000000I 6.8072
RFQ
ECAD 8243 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xf 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.037 "(0.95mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 1GHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 800-XFP536A00.000000I 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 110ma 결정 ± 25ppm - - -
XPL736165.000000I Renesas Electronics America Inc XPL736165.000000I 7.7975
RFQ
ECAD 2347 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xp 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.074 "(1.88mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 165 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 800-XPL736165.0000000 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 67ma 결정 ± 25ppm - - -
XFL216625.000000I Renesas Electronics America Inc XFL216625.000000I 5.2704
RFQ
ECAD 9796 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xf 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 12-smd,, 없음, 노출 된 패드 xo (표준) 625 MHz LVD 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 800-XFL216625.000000I 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 25ppm - - -
XPL326100.000000I Renesas Electronics America Inc XPL326100.000000I 7.0587
RFQ
ECAD 5153 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xp 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.19mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 100MHz LVD 2.5V - Rohs3 준수 1 (무제한) 800-XPL326100.0000000 500 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 25ppm - - -
XUH535003.866000I Renesas Electronics America Inc XUH535003.866000I 2.0848
RFQ
ECAD 2621 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 3.866 MHz LVCMOS 3.3v - Rohs3 준수 800-XUH535003.866000ITR 1,000 활성화/비활성화 98ma 결정 ± 50ppm - - -
XLP535710.000000I Renesas Electronics America Inc XLP535710.000000I 1.8686
RFQ
ECAD 9322 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 710 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 800-XLP535710.000000ITR 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
XUH716019.440000I Renesas Electronics America Inc XUH716019.440000I 1.9304
RFQ
ECAD 2338 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 19.44 MHz LVCMOS 1.8V - Rohs3 준수 800-XUH716019.440000IT 1,000 활성화/비활성화 58ma 결정 ± 25ppm - - -
IDT8102-25VPCNSG Renesas Electronics America Inc IDT8102-25VPCNSG -
RFQ
ECAD 7472 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Crystall ™ 8102 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 550 대기 (다운 전원) 2.2MA MEMS ± 100ppm - 1µA
XLH335002.000000I Renesas Electronics America Inc XLH335002.000000I 1.5698
RFQ
ECAD 1239 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 2 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH736028.224000I Renesas Electronics America Inc XLH736028.224000I 2.3900
RFQ
ECAD 57 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH736 28.224 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 25ppm - -
XLP736025.000000I Renesas Electronics America Inc XLP736025.000000I 3.6406
RFQ
ECAD 2607 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-PC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLP736 25MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 25ppm - -
FVXO-HC53BR-98.304 Renesas Electronics America Inc FVXO-HC53BR-98.304 -
RFQ
ECAD 2766 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO FVXO-HC53 98.304 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 - ± 50ppm -
XLH536014.745600I Renesas Electronics America Inc XLH536014.745600I 2.4100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH536 14.7456 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 25ppm - -
XLL526150.000000X Renesas Electronics America Inc XLL526150.000000X 2.0040
RFQ
ECAD 2949 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-LC52 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) xll526 150MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 34ma 결정 ± 25ppm - -
XLH536040.000JS4I8 Renesas Electronics America Inc XLH536040.000JS4I8 -
RFQ
ECAD 4928 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xlh 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH536 40MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 25ppm - -
XLH536125.000JS4I8 Renesas Electronics America Inc XLH536125.000JS4I8 -
RFQ
ECAD 9541 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xlh 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH536 125MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 25ppm - -
XUL736100.000JU6I Renesas Electronics America Inc XUL736100.000JU6I -
RFQ
ECAD 6538 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xul 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XUL736 100MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 800-3699 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 97ma 결정 ± 25ppm - -
XUP736125.000JU6I Renesas Electronics America Inc xup736125.000ju6i 5.7600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xup 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) xup736 125MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 200 활성화/비활성화 115ma 결정 ± 25ppm - -
XUL536212.500JS6I Renesas Electronics America Inc XUL536212.500JS6I 5.9100
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xul 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) XUL536 212.5 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 97ma 결정 ± 25ppm - -
XUP536150.000JS6I Renesas Electronics America Inc XUP536150.000JS6I -
RFQ
ECAD 7545 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xup 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) xup536 150MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 115ma 결정 ± 25ppm - -
XLH336156.250JX4I Renesas Electronics America Inc XLH336156.250JX4I 2.8600
RFQ
ECAD 359 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xlh 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH336 156.25 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 800-3722 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 25ppm - -
XLP736698.812300X Renesas Electronics America Inc XLP736698.812300X 1.8370
RFQ
ECAD 9593 0.00000000 Renesas Electronics America Inc XLP ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLP736 698.8123 MHz lvpecl 3.3v - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q10437109 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 25ppm - -
XLL735080.000000I Renesas Electronics America Inc XLL735080.000000I 3.2732
RFQ
ECAD 6943 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xll 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) xll735 80MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q10476533 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 100ma 결정 ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고