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발진기 (8591)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
XLH536025.001300X	1.5698	RFQ	2007	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH536	25.0013 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH536025.001300XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH336029.500000I	1.6867	RFQ	9055	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH336	29.5MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH336029.500000ITR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XLL338200.000000X	4.6092	RFQ	4526	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll338	200MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-xll338200.000000xtr	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 20ppm	-	-	-
XLL53V125.000000I	3.9412	RFQ	4458	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	xll53v	125MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL53V125.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	-	-	-	-
XUL536050.000000I	4.6092	RFQ	5006	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL536	50MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL536050.0000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	97ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XAH536025.000000I	1.8370	RFQ	2819	Renesas Electronics America Inc	XA	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q200	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XAH536	25MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XAH536025.0000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH520050.000000X	0.9352	RFQ	1304	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH520	50MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH520050.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	25MA	결정	± 100ppm	-	-	-
XLH536210.380000I	1.8036	RFQ	4307	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH536	210.38 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH536210.380000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	60ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLP538660.000000X	4.2585	RFQ	7769	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP538	660MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLP538660.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	-	-	-	-
XLH535012.000000I	1.0187	RFQ	4205	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH535	12MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH535012.000000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH335155.942400X	1.5698	RFQ	5420	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH335	155.9424 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH335155.942400XTR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	55MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLP725670.000000X	3.6406	RFQ	5458	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP725	670MHz	lvpecl	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLP725670.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	72MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XUL536037.500000I	4.6092	RFQ	2682	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL536	37.5 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL536037.500000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	97ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XUL535106.250000I	4.2585	RFQ	9931	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL535	106.25 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL535106.250000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	97ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH736040.079000X	1.5698	RFQ	2910	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH736	40.079 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH736040.079000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH536019.354700I	1.7034	RFQ	3973	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH536	19.3547 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH536019.354700IT	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XLL338150.000000X	3.6573	RFQ	8270	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll338	150MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-xll338150.000000xtr	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 20ppm	-	-	-
XPC536020.000000I	9.6359	RFQ	4906	Renesas Electronics America Inc	xp	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XPC536	20MHz	CML	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XPC536020.0000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	61ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XUL526166.666666I	4.8931	RFQ	4132	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL526	166.666666 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL526166.666666ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	90ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLL53V066.000000I	3.9412	RFQ	6015	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	xll53v	66MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL53V066.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	-	-	-	-
XUL736156.254688X	4.8931	RFQ	8924	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL736	156.254688 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL736156.254688XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	97ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH326027.000000I	1.1523	RFQ	7259	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH326	27 MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH326027.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	25MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XUL516171.875000I	4.8931	RFQ	3639	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL516	171.875 MHz	LVD	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL516171.875000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	65MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XUH538020.000000X	1.7034	RFQ	1352	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUH538	20MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUH538020.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	98ma	결정	± 20ppm	-	-	-
XUP538100.000000X	4.6092	RFQ	5516	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xup538	100MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUP538100.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	115ma	결정	± 20ppm	-	-	-
XLL726153.600000I	1.6110	RFQ	9979	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll726	153.6 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL726153.600000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	34ma	결정	± 25ppm	-	-	-
xum526148.351650i	2.1210	RFQ	1262	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xum526	148.35165 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUM526148.351650IT	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	90ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XUH736075.000000X	3.6406	RFQ	2768	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUH736	75MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XUH736075.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	108ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH536193.354700I	1.8036	RFQ	9864	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH536	193.3547 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH536193.354700IT	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	55MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XFL236644.531250i	4.9238	RFQ	9358	Renesas Electronics America Inc	xf	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.043 "(1.10mm)	표면 표면	12-smd,, 없음, 노출 된 패드	xo (표준)	XFL236	644.53125 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	800-XFL23644.531250i	귀 99	8542.39.0001	500	활성화/비활성화	85MA	결정	± 25ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (8591)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²